Ang Everspin ug GlobalFoundries nagpalapad sa ilang MRAM joint development agreement ngadto sa 12nm process technology

Ang bugtong developer sa kalibutan sa discrete magnetoresistive MRAM memory chips, Everspin Technologies, nagpadayon sa pagpalambo sa mga teknolohiya sa produksyon. Karon Everspin ug GlobalFoundries nagkasabot dungan sa pagpalambo sa teknolohiya alang sa produksyon sa STT-MRAM microcircuits uban sa 12 nm sumbanan ug FinFET transistors.

Ang Everspin adunay sobra sa 650 ka patente ug aplikasyon nga may kalabotan sa memorya sa MRAM. Kini usa ka panumduman, pagsulat sa usa ka cell nga parehas sa pagsulat sa kasayuran sa usa ka magnetic plate sa usa ka hard disk. Sa kaso lamang sa microcircuits, ang matag selula adunay kaugalingong (kondisyon) nga magnetic head. Ang STT-MRAM nga panumduman nga mipuli niini, base sa electron spin momentum transfer effect, naglihok sa mas ubos nga gasto sa enerhiya, tungod kay kini naggamit sa mas ubos nga mga sulog sa pagsulat ug pagbasa nga mga paagi.

Sa sinugdan, ang memorya sa MRAM nga gimando ni Everspin gihimo sa NXP sa planta niini sa USA. Sa 2014, si Everspin misulod sa usa ka hiniusa nga kasabutan sa trabaho kauban ang GlobalFoundries. Magkauban, nagsugod sila sa paghimo og discrete ug embedded MRAM (STT-MRAM) nga mga proseso sa paggama gamit ang mas abante nga mga proseso sa paggama.

Sa paglabay sa panahon, ang mga pasilidad sa GlobalFoundries naglunsad sa produksyon sa 40-nm ug 28-nm STT-MRAM chips (nagtapos sa usa ka bag-ong produkto - usa ka 1-Gbit discrete STT-MRAM chip), ug giandam usab ang 22FDX nga teknolohiya sa proseso alang sa paghiusa sa STT- MRAM arrays ngadto sa controllers gamit ang 22-nm nm process technology sa FD-SOI wafers. Ang bag-ong kasabutan tali sa Everspin ug GlobalFoundries magdala ngadto sa pagbalhin sa produksyon sa STT-MRAM chips ngadto sa 12-nm process technology.

Ang panumduman sa MRAM nagkaduol na sa paghimo sa panumduman sa SRAM ug mahimo’g mapulihan kini sa mga tigkontrol alang sa Internet of Things. Sa parehas nga oras, kini dili mabag-o ug labi ka makasukol sa pagsul-ob kaysa sa naandan nga panumduman sa NAND. Ang pagbalhin ngadto sa 12 nm nga mga sumbanan makadugang sa recording density sa MRAM, ug kini ang nag-unang disbentaha niini.

Source: 3dnews.ru