Ang bahin sa HBM memory karon nakasinati og paspas nga pagtubo, tungod kay kini gigamit sa mga market-demand accelerators para sa artificial intelligence systems. Gipahibalo sa Samsung Electronics ang pag-uswag sa unang 12-tier HBM3E stack sa kalibutan nga adunay total nga kapasidad nga 36 GB, nga naghatag og data transfer rates nga 1280 GB/s. Tinubdan sa imahe: Samsung Electronics
Source: 3dnews.ru
