I Francesi anu prisentatu u transistor GAA à sette livelli di dumane
Ùn hè statu un sicretu longu chì cù a tecnulugia di prucessu 3nm, i transistori si movenu da i canali FinFET "fin" verticali à i canali di nanopage horizontale cumplettamente circundati da porte o GAA (gate-all-around). Oghje, l'istitutu francese CEA-Leti hà dimustratu cumu i prucessi di fabricazione di transistor FinFET ponu esse usatu per pruduce transistor GAA multi-livellu. È mantene a continuità di i prucessi tecnichi hè una basa affidativa per a trasfurmazioni rapida. Per u Simposiu di Tecnulugia è Circuiti VLSI [...]