Sicondu u situ web IEEE Spectrum, da a fini di ferraghju à u principiu di marzu, un laboratoriu hè statu creatu nantu à a basa di u centru belga Imec inseme cù a cumpagnia americana KMLabs per studià i prublemi cù a fotolitografia di semiconductor sottu l'influenza di a radiazione EUV (in u ultra-duru). gamma ultravioletta). Sembra, chì ci hè da studià ? No, ci hè un sughjettu di studiu, ma perchè stabilisce un novu laboratoriu per questu? Samsung hà cuminciatu à pruduce chips 7nm un annu fà cù l'usu parziale di scanners di gamma EUV. TSMC si uniscerà prestu à questu. À a fine di l'annu, tramindui cumincianu a produzzione risicatu cù standard 5 nm, è cusì. Eppuru ci sò prublemi, è sò abbastanza serii per circà risposte à e dumande in i laboratori, è micca in a produzzione.
U prublema principali in a litografia EUV oghje ferma a qualità di u photoresist. A fonte di a radiazione EUV hè plasma, micca laser, cum'è u casu cù scanners 193nm più antichi. U laser vaporizeghja una goccia di piombo in un mediu gassoso è a radiazione resultanti emette fotoni, l'energia di quale hè 14 volte più altu ch'è l'energia di i fotoni in scanners cù a radiazione ultravioletta. In u risultatu, u photoresist hè distruttu micca solu in quelli lochi induve hè bombardatu da photons, ma ancu errori aleatorii, cumpresu per via di u chjamatu effettu di rumore fraccionale. L'energia di i fotoni hè troppu altu. Esperimenti cù scanners EUV mostranu chì i fotoresisti, chì sò sempre capaci di travaglià cù standard 7 nm, dimustranu un livellu criticu di rifiuti quandu sò fabbricati in circuiti 5 nm. U prublema hè cusì seriu chì parechji sperti ùn crèdenu micca in u primu lanciu successu di a tecnulugia di prucessu 5nm, per ùn dì micca a transizione à 3nm è sottu.
U prublema di creà una nova generazione di fotoresist serà risolta in u laboratoriu cumuni di Imec è KMLabs. E risolveranu da u puntu di vista di un approcciu scientificu, è micca selezziunendu reagenti, cum'è hè statu fattu in l'ultimi trenta anni. Per fà questu, i partenarii scientifichi creanu un strumentu per un studiu detallatu di i prucessi fisichi è chimichi in u photoresist. Di solitu, i synchrotrons sò usati per studià i prucessi à u livellu molekulari, ma Imec è KMLabs anu da creà equipaghji EUV di prughjezzione è misurazione basati nantu à laser infrared. KMLabs hè solu un specialistu in sistemi laser.
Basatu nantu à a facilità laser KMLabs, serà creata una piattaforma per generà armoniche alte. Di solitu, per questu, un impulsu laser d'alta intensità hè diretta in un mediu gaseous, in quale l'armunia di freccia assai alta di u pulsu direttu accade. Cù una tale cunversione, si trova una perdita di putenza significativa, perchè un principiu simili di generazione di radiazione EUV ùn pò micca esse usatu direttamente per a litografia di semiconductor. Ma questu hè abbastanza per esperimenti. U più impurtante, a radiazione risultante pò esse cuntrullata sia da a durata di l'impulsu chì varieghja da picoseconds (10-12) à attoseconds (10-18), sia da a lunghezza d'onda da 6,5 nm à 47 nm. Per un strumentu di misurazione, questi sò qualità preziosi. Aiutanu à studià i prucessi di cambiamenti molecolari ultrarapidi in u photoresist, i prucessi di ionizazione è l'esposizione à i fotoni d'alta energia. Senza questu, a fotolitografia industriale cù standard menu di 3 è ancu 5 nm ferma in quistione.
Source: 3dnews.ru