Samsung Electronics cuntinueghja à immergersi in a tecnulugia di prucessu di classa 10 nm. Questa volta, solu 16 mesi dopu à l'iniziu di a pruduzzione in massa di memoria DDR4 utilizendu a tecnulugia di prucessu di a seconda generazione di classi 10nm (1y-nm), u fabricatore sudcoreanu hà finitu u sviluppu di a memoria DDR4 mori utilizendu a terza generazione di classi 10 nm ( 1z-nm) tecnulugia di prucessu. Ciò chì hè impurtante hè chì u prucessu di classi 10nm di terza generazione usa sempre scanners di litografia 193nm è ùn si basa micca in scanners EUV di bassa prestazione. Questu significa chì a transizione à a produzzione di massa di memoria utilizendu l'ultima tecnulugia di prucessu 1z-nm serà relativamente rapida è senza costi finanziarii significativi per riequipà e linee.
A cumpagnia principia a produzzione in massa di chips DDR8 4-Gbit utilizendu a tecnulugia di prucessu 1z-nm di a classa 10 nm in a seconda mità di questu annu. Cume hè stata a norma da a transizione à a tecnulugia di prucessu 20nm, Samsung ùn divulga micca e specificazioni precise di a tecnulugia di prucessu. Si assume chì u prucessu tecnicu di a classe 1x-nm 10-nm di a cumpagnia risponde à i standard 18 nm, u prucessu 1y-nm risponde à i standard 17- o 16-nm, è l'ultime 1z-nm risponde à i standard 16- o 15-nm, è forse ancu finu à 13 nm. In ogni casu, a riduzzione di a scala di u prucessu tecnicu hà aumentatu di novu u rendiment di cristalli da una wafer, cum'è Samsung ammette, da 20%. In u futuru, questu permetterà à a cumpagnia di vende una nova memoria più prezzu o à un marghjenu megliu finu à chì i cuncurrenti ghjunghjenu risultati simili in a produzzione. In ogni casu, hè un pocu alarmante chì Samsung ùn hà micca pussutu creà un cristallu 1z-nm 16 Gbit DDR4. Questu pò insinuà l'aspettativa di i tassi di difetti aumentati in a produzzione.
Utilizendu a terza generazione di a tecnulugia di prucessu di classa 10nm, a cumpagnia serà a prima à pruduce memoria di servitore è memoria per PC high-end. In u futuru, a tecnulugia di prucessu di classa 1z-nm 10nm serà adattata per a produzzione di memoria DDR5, LPDDR5 è GDDR6. I servitori, i dispositi mobili è i gràfici puderanu prufittà sanu di a memoria più veloce è menu affamata di memoria, chì serà facilitata da a transizione à standard di produzzione più sottili.
Source: 3dnews.ru