TSMC, inseme cù i scientisti di l'Istitutu di Ricerca di Tecnulugia Industriale di Taiwan (ITRI), hà presentatu una memoria SOT-MRAM sviluppata in cunghjunzione. U novu dispositivu di almacenamento hè pensatu per l'informatica in memoria è per l'usu cum'è cache d'altu livellu. A nova memoria hè più veloce di a DRAM è conserva a dati ancu dopu chì a putenza hè spenta, è hè pensata per rimpiazzà a memoria STT-MRAM, cunsumendu 100 volte menu putenza quandu eseguisce. Wafer sperimentale cù chip SOT-MRAM. Fonte di l'imaghjini: TSMC/ITRI
Source: 3dnews.ru