Oghje Samsung Electronics nantu à i piani per u sviluppu di prucessi tecnichi per a produzzione di semiconduttori. A cumpagnia cunsidereghja a creazione di prughjetti digitale di chips sperimentali 3-nm basati nantu à transistori MBCFET patentati per esse u principale successu attuale. Questi sò transistori cù più canali di nanopagina horizontale in porte FET verticali (FET Multi-Bridge-Channel).
Cum'è parte di una alleanza cù IBM, Samsung hà sviluppatu una tecnulugia ligeramente diversa per a produzzione di transistori cù canali cumpletamente circundati da porte (GAA o Gate-All-Around). I canali anu da esse fatti sottili in forma di nanofili. In seguitu, Samsung si alluntanò da stu schema è patentò una struttura di transistor cù canali in forma di nanopages. Sta struttura permette di cuntrullà e caratteristiche di i transistori manipulendu u numeru di pagine (canali) è aghjustendu a larghezza di e pagine. Per a tecnulugia FET classica, una tale manuvra hè impussibile. Per aumentà a putenza di un transistor FinFET, hè necessariu di multiplicà u nùmeru d'alette FET nantu à u sustrato, è questu hè bisognu di zona. E caratteristiche di u transistor MBCFET ponu esse cambiate in una porta fisica, per quale avete bisognu di stabilisce a larghezza di i canali è u so numeru.
A dispunibilità di un disignu digitale (taped out) di un chip prototipu per a produzzione cù u prucessu GAA hà permessu à Samsung di determinà i limiti di e capacità di i transistori MBCFET. Ci hè da esse cunsideratu chì questu hè sempre dati di mudeli di l'urdinatore è u novu prucessu tecnicu pò esse finalmente ghjudicatu solu dopu chì hè stata lanciata in a pruduzzioni di massa. Tuttavia, ci hè un puntu di partenza. A cumpagnia hà dettu chì a transizione da u prucessu 7nm (ovviamente a prima generazione) à u prucessu GAA furnisce una riduzione di u 45% in l'area di a morte è una riduzione di u cunsumu di 50%. Se ùn risparmiate micca u cunsumu, a produtividade pò esse aumentata da 35%. In precedenza, Samsung hà vistu risparmi è guadagnà di produtividade quandu si move à u prucessu 3nm separati da virgole. Il s'avère qu'il s'agissait soit de l'un soit de l'autre.
A cumpagnia cunsidereghja a preparazione di una piattaforma publica nuvola per sviluppatori di chip indipendenti è cumpagnie senza fabbrica per esse un puntu impurtante in a popularizazione di a tecnulugia di prucessu 3nm. Samsung ùn hà micca ammucciatu l'ambiente di sviluppu, a verificazione di u prughjettu è e biblioteche nantu à i servitori di produzzione. A piattaforma SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) serà dispunibule per i disegnatori di u mondu. A piattaforma di nuvola SAFE hè stata creata cù a participazione di tali servizii di nuvola publica cum'è Amazon Web Services (AWS) è Microsoft Azure. I sviluppatori di sistemi di cuncepimentu di Cadence è Synopsys furnianu i so strumenti di cuncepimentu in SAFE. Stu prumetti di fà più faciuli è più prezzu di creà novi suluzioni per i prucessi Samsung.
Riturnendu à a tecnulugia di prucessu 3nm di Samsung, aghjustemu chì a cumpagnia hà prisentatu a prima versione di u so pacchettu di sviluppu di chip - 3nm GAE PDK Version 0.1. Cù u so aiutu, vi ponu principiatu cuncepimentu suluzioni 3nm oghje, o almenu priparà à scuntrà stu prucessu Samsung quandu si diventa diffusa.
Samsung annuncia i so piani futuri cum'è seguita. In a seconda mità di questu annu, a produzzione di massa di chips cù u prucessu 6nm serà lanciata. À u listessu tempu, u sviluppu di a tecnulugia di prucessu 4nm serà cumpletu. U sviluppu di i primi prudutti Samsung chì utilizanu u prucessu di 5nm serà cumpletu sta caduta, cù a pruduzzione lanciata in a prima mità di l'annu prossimu. Inoltre, à a fine di questu annu, Samsung compie u sviluppu di a tecnulugia di prucessu 18FDS (18 nm in wafers FD-SOI) è chips eMRAM 1-Gbit. Tecnulugie di prucessu da 7 nm à 3 nm utilizanu scanners EUV cù intensità crescente, facendu chì ogni nanometru conta. Più avanti in discendenza, ogni passu sarà fattu cù una lotta.
Source: 3dnews.ru