Jediný světový výrobce diskrétních obvodů magnetorezistivní paměti MRAM, společnost Everspin Technologies, pokračuje ve zdokonalování výrobních technologií. Dnes se Everspin a společnost GlobalFoundries společně vyvinout technologii výroby čipů STT-MRAM s normami 12 nm a tranzistory FinFET.
Na kontě společnosti Everspin je více než 650 patentů a přihlášek týkajících se paměti MRAM. Tato paměť zapisuje do buňky podobně jako zápis informací na magnetickou desku pevného disku. Pouze v případě čipů má každá buňka svou (podmíněně) magnetickou hlavu. Novější paměť STT-MRAM na základě efektu přenosu spinového momentu elektronu pracuje s ještě menšími energetickými náklady, neboť se provádí s použitím nižších proudů při zápisu a čtení.
Původně paměť MRAM vyráběla na objednávku Everspin společnost NXP ve svém závodě v USA. V roce 2014 uzavřela Everspin dohodu o spolupráci se společností GlobalFoundries. Společně začali vyvíjet technologické procesy výroby diskrétní a zabudované MRAM (STT-MRAM) s využitím pokročilejších výrobních procesů.
Postupem času byla na závodech GlobalFoundries zahájena výroba 40nm a 28nm čipů STT-MRAM (dokončující novinkou – 1Gb diskrétní čip STT-MRAM), a byl připraven technologický proces 22FDX pro integraci polí STT-MRAM do řadičů s využitím 22nm procesu na wafery FD-SOI. Nová dohoda mezi Everspin a GlobalFoundries povede k přenosu výroby čipů STT-MRAM na 12nm technologii.
Paměť MRAM svou rychlostí přiblížila SRAM a potenciálně ji může nahradit v řadičích pro Internet věcí. Je přitom energeticky nezávislá a mnohem odolnější proti opotřebení než běžná NAND paměť. Přechod na normy 12 nm umožní zvýšení hustoty zápisu MRAM, což je její hlavní nevýhoda.
Zdroj: 3dnews.ru
