Paměťové moduly, které jsou založeny na čipech Samsung B-die, jsou pravděpodobně jednou z nejoblíbenějších variant mezi nadšenci. Jižní korejský výrobce však považuje tyto čipy za zastaralé a v současnosti zastavuje jejich výrobu, přičemž na jejich místo nabízí jiné DDR4 paměťové čipy, pro které se používají novější výrobní procesy. To znamená, že životní cyklus nebufferovaných DDR4 paměťových modulů Samsung založených na čipech B-die se v současnosti uzavřel a brzy zmizí z prodeje. Dodávky takových modulů přeruší i další výrobci, kteří ve svých produktech používají čipy Samsung B-die.
Čipy Samsung B-die a paměťové moduly na jejich základě si získaly široké uznání díky své univerzálnosti a potenciálu pro přetaktování. Skvěle se škálují na frekvenci, dobře reagují na zvýšení napětí a umožňují práci při extrémně agresivních časováních. Důležitou výhodou modulů na bázi čipů Samsung B-die je také jejich nenáročnost a široká kompatibilita s různými paměťovými kontrolery, což je činí zvlášť oblíbenými mezi vlastníky systémů na bázi procesorů Ryzen.
Vzhledem k tomu, že výroba čipů B-die využívá poměrně starý výrobní proces s normami 20 nm, je přání společnosti Samsung vzdát se výroby těchto polovodičových zařízení ve prospěch modernějších alternativ zcela pochopitelné. Nedávno společnost oznámila zahájení výroby čipů DDR4 SDRAM pomocí technologie 1z-nm (třetí generace), zatímco čipy vyrobené na výrobním procesu s normami 1y-nm (druhá generace) se vyrábějí již více než rok a půl. Právě na ně výrobce vyzývá k přechodu. Čipům B-die byl oficiálně přidělen status EOL (End of Life) – konec životního cyklu.
Místo legendárních čipů Samsung B-die nyní nabízejí roste jiné varianty. Stádia masové výroby dosáhly čipy M-die, pro které se používá výrobní proces s parametry 1y nm. Také do fáze kvalifikační výroby se dostaly čipy A-die, vyráběné podle ještě pokročilejší technologie s parametry 1z nm. To znamená, že paměť na čipech M-die bude brzy k dispozici, zatímco moduly postavené na čipech A-die budou uživatelům k dispozici během asi šesti měsíců.
Hlavní výhodou nových paměťových čipů s aktualizovanými jádry, kromě moderních výrobních procesů a potenciálně vyššího frekvenčního potenciálu, je také jejich zvýšená kapacita. Umožňují vyrábět jednostranné moduly DDR4 paměti s kapacitou 16 GB a oboustranné moduly s kapacitou 32 GB, což dříve nebylo možné.
Stojí za připomenutí, že toto léto se očekávají zásadní změny v sortimentu dostupných modulů DDR4 SDRAM na trhu. Kromě nových čipů Samsung by měly na pamětových modulech také začít být používány čipy E-die společnosti Micron a C-die společnosti SK Hynix. Je velmi pravděpodobné, že všechny tyto změny povedou k růstu nejen průměrné kapacity, ale i frekvenčního potenciálu běžných modulů DDR4 SDRAM.
Zdroj: 3dnews.ru
