Téměř steampunk: Američané přišli s nanostack pamětí s mechanickými spínači

američtí výzkumníci navrhl paměťová buňka, která zaznamenává data mechanickým přemístěním kovových vrstev o tloušťce tří atomů. Taková paměťová buňka slibuje nejvyšší hustotu záznamu a ke své realizaci vyžaduje minimum energie.

Téměř steampunk: Američané přišli s nanostack pamětí s mechanickými spínači

O vývoji informovala společná skupina vědců z laboratoře SLAC na Stanford University, University of California v Berkeley a Texas A&M University. Údaje zveřejněné v časopise Fyzika přírody.

Vědci provedli řadu experimentů s hromadami 2D kovu nazývaného ditellurid wolframu. Každá vrstva 2D kovu v zásobníku měla tloušťku tří atomů, což slibovalo velmi hustý záznam ve srovnání s křemíkovými paměťovými buňkami. Experimenty odhalily, že malé množství energie aplikované na souvrství způsobuje prokluzování (posunutí) každé liché vrstvy ve shluku vrstev. Děje se to tak rychle, že by objev mohl vést k vytvoření extrémně výkonné počítačové paměti, která dokáže ukládat informace bez napájení (nezávisle).

Záznam informace (nula nebo jedna) nastává v procesu přemístění vrstvy kovu ve stohu. Přemístění vrstvy způsobuje změny v pohybu elektronů v horní a spodní vrstvě 2D kovů vzhledem k přemístěné vrstvě. Ke čtení těchto informací vědci navrhují použít kvantový efekt tzv Berry zakřivení. Jedná se o magnetický tok generovaný uvnitř materiálu, ke kterému dochází, když se nabité částice pohybují uvnitř krystalové mřížky.

Téměř steampunk: Američané přišli s nanostack pamětí s mechanickými spínači

Soudě podle popisu experimentu je paměť na posuvných vrstvách v hromadách 2D kovů velmi, velmi vzdálená vyhlídka. Vyhlídka je ale velmi lákavá, slibuje 100krát rychlejší záznam dat pro dlouhodobé uložení. Po cestě je třeba provést mnoho experimentů a vybrat nejlepší kombinaci materiálů.

Zdroj:



Zdroj: 3dnews.ru

Přidat komentář