Paměťové moduly postavené na čipech Samsung B-die jsou možná jednou z nejoblíbenějších možností mezi nadšenci. Jihokorejský výrobce je však považuje za zastaralé a v současné době zastavuje jejich výrobu a nabízí náhrady za jiné paměťové čipy DDR4, při jejichž výrobě se využívají novější technické postupy. To znamená, že paměťové moduly Samsung DDR4 bez vyrovnávací paměti založené na čipech B-die nyní dosáhly konce svého životního cyklu a brzy budou vyprodané. Podobné moduly přestanou dodávat i další výrobci, kteří ve svých produktech používají čipy Samsung B-die.
Čipy Samsung B-die a paměťové moduly na nich založené si získaly široké uznání díky své všestrannosti a potenciálu přetaktování. Dokonale frekvenčně škálují, dobře reagují na zvyšující se napájecí napětí a umožňují provoz s extrémně agresivním časováním. Samostatnou důležitou výhodou modulů založených na čipech Samsung B-die je jejich nenáročnost a široká kompatibilita s různými paměťovými řadiči, pro kterou je milují především majitelé systémů založených na procesorech Ryzen.
Pro výrobu B-die čipů se však používá poměrně starý technologický proces s 20 nm standardy, takže touha Samsungu opustit výrobu takových polovodičových zařízení ve prospěch modernějších alternativ je zcela pochopitelná. Není to tak dávno, co společnost oznámila zahájení výroby čipů DDR4 SDRAM technologií 1z-nm (třetí generace) a čipy vyráběné technologií 1y-nm (druhá generace) se vyrábí již více než rok a půl. Právě na ty výrobce doporučuje přejít. Čipy B-die oficiálně získaly status EOL (End of Life) – konec životního cyklu.
Místo legendárních čipů Samsung B-die nyní budou distribuovány další nabídky. M-die čipy, které jsou vytvářeny 1y nm procesní technologií, se dostaly do fáze sériové výroby. Čipy A-die vyrobené pomocí ještě pokročilejší technologie se standardy 1z nm také dosáhly kvalifikační fáze výroby. To znamená, že paměť na čipech M-die se začne prodávat ve velmi blízké budoucnosti a moduly postavené na čipech A-die budou uživatelům dostupné do šesti měsíců.
Hlavní výhodou nových paměťových čipů s aktualizovanými jádry je kromě moderních technických procesů a potenciálně vyššího frekvenčního potenciálu také jejich zvýšená kapacita. Umožňují výrobu jednostranných paměťových modulů DDR4 s kapacitou 16 GB a oboustranných modulů s kapacitou 32 GB, což bylo dříve nemožné.
Je vhodné připomenout, že letos v létě můžeme očekávat výrazné změny v nabídce paměťových modulů DDR4 SDRAM dostupných na trhu. Kromě nových čipů Samsung by měly být v paměťových páscích použity také čipy E-die od Micronu a C-die od SK Hynix. Je pravděpodobné, že všechny tyto změny způsobí nárůst nejen průměrné hlasitosti, ale i frekvenčního potenciálu průměrných modulů DDR4 SDRAM.
Zdroj: 3dnews.ru