TSMC: Přesun ze 7 nm na 5 nm zvyšuje hustotu tranzistoru o 80 %

TSMC tento týden již oznámeno zvládnutí nové etapy litografických technologií s označením N6. V tiskové zprávě bylo uvedeno, že tato etapa litografie bude uvedena do fáze rizikové výroby do prvního čtvrtletí roku 2020, ale teprve přepis čtvrtletní reportovací konference TSMC umožnil dozvědět se nové podrobnosti o načasování vývoje tzv. 6nm technologie.

Je třeba připomenout, že TSMC již masově vyrábí širokou škálu 7nm produktů – v posledním čtvrtletí tvořily 22 % tržeb společnosti. Podle prognóz managementu TSMC budou letos technologické procesy N7 a N7+ tvořit minimálně 25 % tržeb. Druhá generace 7nm procesní technologie (N7+) zahrnuje zvýšené využití ultra-tvrdé ultrafialové (EUV) litografie. Zároveň, jak zdůrazňují zástupci TSMC, právě zkušenosti získané při implementaci technického procesu N7+ umožnily společnosti nabídnout zákazníkům technický proces N6, který zcela navazuje na ekosystém designu N7. To umožňuje vývojářům přejít z N7 nebo N7+ na N6 v co nejkratším čase a s minimálními náklady na materiál. CEO CC Wei dokonce na čtvrtletní konferenci vyjádřil přesvědčení, že všichni zákazníci TSMC využívající 7nm proces přejdou na 6nm technologii. Dříve v podobné souvislosti zmínil připravenost „téměř všech“ uživatelů 7nm procesní technologie TSMC přejít na 5nm procesní technologii.

TSMC: Přesun ze 7 nm na 5 nm zvyšuje hustotu tranzistoru o 80 %

Bylo by vhodné vysvětlit, jaké výhody poskytuje 5nm procesní technologie (N5) od TSMC. Jak Xi Xi Wei připustil, z hlediska životního cyklu bude N5 jedním z „nejdéle trvajících“ v historii společnosti. Zároveň se z pohledu vývojáře bude výrazně lišit od 6nm procesní technologie, takže přechod na 5nm konstrukční standardy bude vyžadovat značné úsilí. Pokud například 6nm procesní technologie poskytuje 7% nárůst hustoty tranzistorů ve srovnání s 18nm, pak rozdíl mezi 7nm a 5nm bude až 80%. Na druhou stranu nárůst rychlosti tranzistoru nepřesáhne 15 %, takže teze o zpomalení působení „Mooreova zákona“ se v tomto případě potvrzuje.

TSMC: Přesun ze 7 nm na 5 nm zvyšuje hustotu tranzistoru o 80 %

To vše nebrání šéfovi TSMC v tvrzení, že procesní technologie N5 bude „nejkonkurenceschopnější v oboru“. S její pomocí společnost očekává nejen zvýšení svého tržního podílu ve stávajících segmentech, ale také přilákání nových zákazníků. V souvislosti se zvládnutím 5nm procesní technologie jsou zvláštní naděje vkládány do segmentu řešení pro high-performance computing (HPC). Nyní tvoří ne více než 29 % příjmů TSMC a 47 % příjmů pochází z komponent pro chytré telefony. Postupem času bude muset podíl segmentu HPC narůstat, ačkoli vývojáři procesorů pro chytré telefony budou ochotni zvládnout nové litografické standardy. Rozvoj sítí generace 5G bude také jedním z důvodů růstu příjmů v příštích letech, věří společnost.


TSMC: Přesun ze 7 nm na 5 nm zvyšuje hustotu tranzistoru o 80 %

Nakonec generální ředitel TSMC potvrdil zahájení sériové výroby procesní technologií N7+ s využitím EUV litografie. Výtěžnost vhodných produktů využívajících tuto procesní technologii je srovnatelná s první generací 7nm technologie. Zavedení EUV podle Xi Xi Wei nemůže zajistit okamžitou ekonomickou návratnost – náklady jsou sice poměrně vysoké, ale jakmile výroba „nabere na síle“, výrobní náklady začnou klesat tempem typickým pro poslední roky.



Zdroj: 3dnews.ru

Přidat komentář