Podle průmyslových zdrojů na Tchaj-wanu, který Internetový zdroj DigiTimes, čínský výrobce pamětí ChangXin Memory Technologies (CXMT) v plném proudu připravuje linky na hromadnou výrobu pamětí LPDDR4. ChangXin, také známý jako Innotron Memory, prý vyvinul vlastní proces výroby DRAM pomocí 19nm technologie.
Pro komerční výrobu pamětí ve svém prvním 300mm podniku musel ChangXin v první polovině roku 2019. Bohužel, to se ještě nestalo. Zahájení výroby 8-Gbit DDR4 LPDDR4 čipů ale bude provázet rozšíření kapacity na 20 tisíc 300nm křemíkových waferů měsíčně. Maximální kapacita linek v podniku ChangXin dosahuje 125 tisíc 300 mm waferů za měsíc. Ale ani to není limit. Společnost uvedla, že příští rok zahájí výstavbu druhého závodu na zpracování 300mm paměťových waferů.
Tento čínský výrobce se přitom může potýkat s problémy jiného druhu. Připomeňme, že první čínskou společností, která se chystala zahájit hromadnou výrobu pamětí DRAM, byla Fujian Jinhua. USA se zákazem nákupu výrobního zařízení od amerických partnerů. Na Tchaj-wanu věří, že ChangXin bude čelit stejným problémům jako Fujian. Kromě toho rekrutovala kvalifikované inženýry z bývalé tchajwanské pobočky japonské Elpidy, jejíž byznys pohltil americký Micron. Analytici očekávají nároky Micronu proti ChangXin a sankce, pokud čínská strana neodpoví.
Souběžně s tím ChangXin vyvíjí technický proces pro výrobu paměti se standardy 17 nm. Dokončení vývoje se očekává v roce 2021. Pravděpodobně druhý závod ChangXin začne pracovat na výrobě krystalů DRAM s těmito standardy. Pokud se ovšem americké sankce a Micronovy machinace nestanou nepřekonatelnou překážkou na její cestě.
Zdroj: 3dnews.ru