Výkonové polovodiče posouvají věci nahoru. Místo křemíku se používá nitrid galia (GaN). Střídače a napájecí zdroje GaN pracují s účinností až 99 % a poskytují nejvyšší účinnost energetickým systémům od elektráren až po systémy skladování a využití elektřiny. Lídry nového trhu jsou společnosti z USA, Evropy a Japonska. Nyní k této oblasti první společnost z Číny.
Čínský výrobce gadgetů ROCK nedávno vydal první nabíječku, která podporuje rychlé nabíjení na „čínském čipu“. Obecně konvenční řešení je založeno na výkonové sestavě GaN řady InnoGaN od Inno Science. Čip je vyroben ve standardním provedení DFN 8x8 pro kompaktní napájecí zdroje.
Nabíječka 2W ROCK 1C65AGaN je kompaktnější a funkčnější než nabíječka Apple 61W PD (srovnání na fotografii výše). Čínská nabíječka dokáže současně nabíjet tři zařízení prostřednictvím dvou rozhraní USB Type-C a jednoho USB Type-A. V budoucnu ROCK plánuje vydat verze rychlonabíječek s výkonem 100 a 120 W na čínských GaN sestavách. Kromě ní spolupracuje s výrobcem výkonových prvků GaN Inno Science asi dalších 10 čínských výrobců nabíječek a zdrojů.
Výzkum čínských firem a zejména společnosti Inno Science v oblasti výkonových komponent GaN má vést k nezávislosti Číny na zahraničních dodavatelích podobných řešení. Inno Science má vlastní vývojové centrum a laboratoř pro celý cyklus testovacích řešení. Ale co je důležitější, má dvě výrobní linky na výrobu řešení GaN na 200mm waferech. Pro svět a dokonce i pro čínský trh je to kapka v moři. Ale někde se začít musí.
Zdroj: 3dnews.ru