Yn Γ΄l datganiad swyddogol IBM, dyfeisiodd y cwmni gof MRAM magnetoresistive ym 1996. Ymddangosodd y datblygiad ar Γ΄l astudio strwythurau ffilm denau ar gyfer platiau magnetig a phennau magnetig gyriannau caled. Ysgogodd effaith cyffyrdd twnnel magnetig a ddarganfuwyd gan beirianwyr y cwmni y syniad o ddefnyddio'r ffenomen i drefnu celloedd cof lled-ddargludyddion. I ddechrau, datblygodd IBM gof MRAM ynghyd Γ’ Motorola. Yna gwerthwyd y trwyddedau i Micron, Toshiba, TDK, Infineon a llu o gwmnΓ―au eraill. Pam y daith hon i hanes? Daeth i'r amlwg bod gan Seagate, un o'r ddau wneuthurwr gyriant caled sy'n weddill yn y byd, batentau helaeth ar dechnolegau cynhyrchu MRAM.
Ddoe Seagate , bod ganddo gytundeb traws-drwyddedu helaeth ar gyfer rhannu patent a thrwyddedu rhyngddo ac Everspin Technologies. Honnir bod Seagate ac Everspin ill dau wedi treulio blynyddoedd ar ymchwil a datblygu a fydd yn hynod fuddiol i bob un o'r pleidiau gwrthwynebol. Felly, trosglwyddodd Seagate i Everspin yr hawliau i ddefnyddio ei ddatblygiadau ei hun ym maes MRAM, a chaniataodd Everspin Seagate i ddefnyddio ei dechnolegau wrth gynhyrchu pennau magnetig yn seiliedig ar effaith Gwrthiant Magneto Twnelu (TMR).
Yn y bΓ΄n, mae Seagate ac Everspin wedi alinio sylfaen patent a all helpu pob un ohonynt i symud ymlaen yn eu priod feysydd. Bydd trwyddedau Everspin yn helpu Seagate i wella pennau magnetig ar gyfer gyriannau caled, ac ni fydd trwyddedau Seagate yn ymyrryd Γ’ datblygiad a chynhyrchiad MRAM Everspin. Ym mis Awst, Everspin yn unig Byddai cynhyrchu mΓ s o sglodion STT-MRAM 1-Gbit ac anghydfodau trwyddedu posibl Γ’ Seagate ond yn niweidio'r maes hwn o gynhyrchu cof lled-ddargludyddion sydd heb ei ddatblygu'n dda.
Ffynhonnell: 3dnewyddion.ru