Yn Γ΄l ffynonellau diwydiant yn Taiwan, sydd Adnodd rhyngrwyd Mae DigiTimes, gwneuthurwr cof Tsieineaidd ChangXin Memory Technologies (CXMT) ar ei anterth yn paratoi llinellau ar gyfer cynhyrchu mΓ s o gof LPDDR4. Dywedir bod ChangXin, a elwir hefyd yn Innotron Memory, wedi datblygu ei broses gynhyrchu DRAM ei hun gan ddefnyddio technoleg 19nm.
Ar gyfer cynhyrchu masnachol o gof yn ei fenter 300 mm gyntaf, roedd yn rhaid i ChangXin yn hanner cyntaf 2019. Ysywaeth, nid yw hyn wedi digwydd eto. Ond bydd dechrau cynhyrchu sglodion 8-Gbit DDR4 LPDDR4 yn cyd-fynd ag ehangu gallu i 20 mil o wafferi silicon 300-nm y mis. Mae cynhwysedd uchaf y llinellau yn y fenter ChangXin yn cyrraedd 125 mil o wafferi 300 mm y mis. Ond nid dyma'r terfyn chwaith. Dywedodd y cwmni y bydd yn dechrau adeiladu ail ffatri y flwyddyn nesaf i brosesu wafferi cof 300mm.
Ar yr un pryd, efallai y bydd y gwneuthurwr Tsieineaidd hwn yn wynebu problemau o fath gwahanol. Gadewch inni gofio mai'r cwmni Tsieineaidd cyntaf a oedd yn mynd i ddechrau cynhyrchu mΓ s o gof DRAM oedd Fujian Jinhua. UDA gyda gwaharddiad ar brynu offer cynhyrchu gan bartneriaid Americanaidd. Yn Taiwan, maen nhw'n credu y bydd ChangXin yn wynebu'r un problemau Γ’ Fujian. Yn ogystal, recriwtiodd beirianwyr cymwysedig o gyn is-gwmni Taiwan o'r Elpida Japaneaidd, y cafodd ei fusnes ei amsugno gan y Micron Americanaidd. Mae dadansoddwyr yn disgwyl hawliadau yn erbyn ChangXin gan Micron a sancsiynau os nad yw ochr Tsieineaidd yn ymateb.
Ar yr un pryd, mae ChangXin yn datblygu proses dechnegol ar gyfer cynhyrchu cof gyda safonau 17 nm. Disgwylir i'r datblygiad gael ei gwblhau yn 2021. Yn Γ΄l pob tebyg, bydd yr ail blanhigyn ChangXin yn dechrau gweithio gyda chynhyrchu crisialau DRAM gyda'r safonau hyn. Oni bai, wrth gwrs, mae sancsiynau'r UD a pheiriannau Micron yn dod yn rhwystr anorchfygol ar ei ffordd.
Ffynhonnell: 3dnewyddion.ru