Google har præsenteret "Half-Double", en ny teknik til RowHammer-klasse angreb, der muliggør ændring af indholdet af enkelte bits i dynamisk hukommelse (DRAM). Angrebet kan udføres på nogle moderne DRAM-chips, hvis producenter har formået at reducere cellegeometrien.
Husk at RowHammer-klasse angreb gør det muligt at fordreje indholdet af enkelte bits i hukommelsen ved cyklisk læsning af data fra nærliggende hukommelseceller. Da DRAM-hukommelse udgør et to-dimensionelt array af celler, hvor hver celle består af en kondensator og en transistor, fører kontinuerlig læsning af det samme hukommelsesområde til spændingsfluktuationer og anomalier, der forårsager et lille tab af ladning i nærliggende celler. Hvis læseintensiteten er tilstrækkelig høj, kan den nærliggende celle miste en forholdsvis stor mængde ladning, og den efterfølgende regenereringscyklus er ikke i stand til at gendanne dens oprindelige tilstand, hvilket vil resultere i en ændring af værdien gemt i cellens data.
For at beskytte mod RowHammer har chipproducenter implementeret mekanismen TRR (Target Row Refresh), som beskytter mod forvrængning af celler i nærliggende rækker. Half-Double-metoden muliggør omgåelse af denne beskyttelse ved at manipulere med det faktum, at forvrængninger ikke er begrænset til nærliggende rækker og spreder sig til andre rækker i hukommelsen, omend i mindre grad. Ingeniører fra Google har vist, at for de sammenhængende rækker af hukommelse "A", "B" og "C", kan rækken "C" angribes ved meget intensiv adgang til rækken "A" og en mindre aktivitet, der involverer rækken "B". Adgang til rækken "B" under angrebet aktiverer en ikke-lineær ladningslækage og muliggør, at rækken "B" fungerer som transportmiddel til at overføre Rowhammer-effekten fra rækken "A" til "C".
I modsætning til TRRespass-angrebet, der manipulerer med mangler i forskellige implementeringer af mekanismen til at forhindre celleforvrængning, er Half-Double-angrebet baseret på de fysiske egenskaber af siliciumsubstratet. Half-Double viser, at de effekter, der sandsynligvis fører til Rowhammer, er et resultat af afstand snarere end direkte kontakt mellem celler. Ved reduktion af cellegeometrien i moderne chips øges radius af forvrængningseffekter. Det er ikke udelukket, at effekten vil kunne observeres på afstande større end to rækker.
Det er blevet bemærket, at der i samarbejde med JEDEC-foreningen er udarbejdet flere forslag til analyse af mulige metoder til at blokere sådanne angreb. Oplysninger om metoden er offentliggjort, da Google mener, at den udførte forskning betydeligt udvider forståelsen af Rowhammer-fænomenet og fremhæver vigtigheden af samarbejde mellem forskere, chipproducenter og andre interessenter i udviklingen af en omfattende og langsigtet løsning til beskyttelse.
Kilde: opennet.ru
