Ifølge oplysninger fra industrielle kilder i Taiwan, som af internetsiden DigiTimes, er den kinesiske hukommelsesproducent ChangXin Memory Technologies (CXMT) i fuld gang med at forberede sine produktionslinjer til masseproduktion af LPDDR4-hukommelse. ChangXin, som også er kendt som Innotron Memory, skulle efter sigende have udviklet sin egen produktionsproces til DRAM ved hjælp af 19-nm teknologiske normer.
Til kommerciel udgivelse af hukommelse på sit første 300 mm anlæg skulle ChangXin i første halvdel af 2019. Desværre er dette endnu ikke sket. Men starten af produktionen af 8-Gb DDR4 LPDDR4-chips vil blive ledsaget af en udvidelse af kapaciteten til 20.000 300 mm siliciumsubstrater per måned. Den maksimale kapacitet på ChangXins anlæg når 125.000 300 mm wafers per måned. Men det er heller ikke grænsen. Selskabet har meddelt, at de næste år vil begynde at bygge en anden fabrik til behandling af 300 mm substrater med hukommelse.
Samtidig kan denne kinesiske producent støde på problemer af en anden art. Det skal bemærkes, at den første kinesiske virksomhed, der skulle begynde masseproduktionen af DRAM-hukommelse - Fujian Jinhua - i USA med forbud mod at købe produktionsudstyr fra amerikanske partnere. I Taiwan mener man, at ChangXin vil stå overfor de samme problemer som Fujian. Desuden har de ansat kvalificerede ingeniører fra den tidligere taiwanske datterselskab af den japanske Elpida, hvis forretning er blevet opkøbt af den amerikanske Micron. Analytikere forventer retssager mod ChangXin fra Micron og sanktioner i tilfælde af, at den kinesiske side ikke reagerer.
Samtidig arbejder ChangXin på at udvikle en produktionsproces til hukommelse med 17 nm standarder. Afslutningen af udviklingen forventes i 2021. Det er sandsynligt, at den anden fabrik fra ChangXin vil begynde driften med produktion af DRAM-krystaller ifølge disse standarder. Hvis, selvfølgelig, der ikke opstår uovervindelige hindringer i form af amerikanske sanktioner og Microns forhindringer.
Kilde: 3dnews.ru
