Den eneste virksomhed i verden, der udvikler diskrete chips til magnetoresistiv hukommelse MRAM, Everspin Technologies, fortsætter med at forbedre produktionsmetoder. I dag har Everspin og GlobalFoundries at udvikle teknologien til produktion af STT-MRAM chips med 12 nm standarder og FinFET-transistorer sammen.
Everspin har over 650 patenter og ansøgninger relateret til MRAM-hukommelse. Det er en hukommelse, hvor informationen skrives til en celle, ligesom på en hård disks magnetisk plade. I chippen har hver celle sin egen (betingede) magnetiske læsehoved. Den nyeste STT-MRAM hukommelse, der bygger på spintrækningsfænomenet, fungerer med endnu lavere energiforbrug ved hjælp af mindre strømme i læse- og skriveoperationer.
Oprindeligt producerede NXP MRAM-hukommelse på bestilling fra Everspin på deres fabrik i USA. I 2014 indgik Everspin en samarbejdsaftale med GlobalFoundries. Sammen begyndte de at udvikle produktionsprocesser for diskrete og integrerede MRAM (STT-MRAM) ved hjælp af mere avancerede teknologier.
Med tiden blev produktionen af 40 nm og 28 nm STT-MRAM chips etableret hos GlobalFoundries (herunder den nye - 1 Gbit diskrete STT-MRAM chip), og 22FDX teknologiprocessen blev forberedt for integration af STT-MRAM arrays i controllere ved hjælp af 22 nm teknologiprocesser på FD-SOI wafere. Den nye aftale mellem Everspin og GlobalFoundries vil føre til flytning af STT-MRAM chip produktionen til 12 nm teknologiprocessen.
MRAM-hukommelsen nærmer sig SRAM-hukommelsens hastighed og kan potentielt erstatte den i controllere til Internet of Things. Den er samtidig energiuafhængig og meget mere slidstærk end almindelig NAND-hukommelse. Overgangen til 12-nm standarder vil øge dens tæthed af MRAM, hvilket er dens største ulempe.
Kilde: 3dnews.ru
