Overgangen fra silicium til halvledere med bred båndgab (galliumnitrid, siliciumcarbid og andre) gør det muligt at hæve arbejdsfrekvenserne betydeligt og forbedre effektiviteten af løsningerne. Derfor er et af de lovende anvendelsesområder for bredbåndschips og transistorer kommunikation og radar. Elektronik baseret på GaN-løsninger giver «fra ingenting» en stigning i kraften og udvidelse af radarernes rækkevidde, noget militæret straks har draget fordel af.
Lockheed Martin , hvilket betyder, at de første mobile radarstationer (RLS) baseret på elektronik med elementer af galliumnitrid er blevet leveret til de amerikanske styrker. Der er ikke blevet opfundet noget nyt i virksomheden. De accepterede modifikationer af kontrobatteriradarerne AN/TPQ-53, der blev indført i 2010, er blevet opgraderet til GaN-baserede systemer. Dette er verdens første og hidtil eneste radar baseret på brede bånd halvledere.
Takket være overgangen til aktive GaN-komponenter har radaren AN/TPQ-53 øget rækkevidden til at opdage skjulte artilleripositioner og fået mulighed for samtidig overvågning af luftmål. Specifikt er AN/TPQ-53 begyndt at blive anvendt mod droner, inklusive små enheder. Identifikation af skjulte artilleripositioner kan ske både i en sektor på 90 grader og med en cirkulær 360-graders overvågning.
Lockheed Martin er den eneste leverandør af radarsystemer med aktiv Phased Array Antenna (PAA) til de amerikanske styrker. Overgangen til en GaN-baseret elementstruktur gør det muligt for dem at forvente mange års videre lederskab inden for forbedring og produktion af radarinstallationer.
Kilde: 3dnews.ru
