RAM-moduler baseret på Samsung B-die-chips betragtes som en af de mest populære muligheder blandt entusiaster. Den sydkoreanske producent anser dog dem for forældede og stopper i øjeblikket deres produktion, mens de tilbyder andre DDR4-hukommelseschips, som produceres ved hjælp af nyere teknologiske processer. Det betyder, at livscyklussen for de ikke-buffrede DDR4-hukommelsesmoduler fra Samsung, baseret på B-die-chips, nu er afsluttet, og de vil snart ikke være tilgængelige. Andre producenter, der bruger Samsung B-die-chips i deres produkter, stopper også med at levere sådanne moduler.
Samsung B-die-chips og hukommelsesmoduler baseret på dem har opnået stor anerkendelse på grund af deres alsidighed og overclocking-potentiale. De skalerer fremragende i frekvens, reagerer godt på stigning i forsyningsspænding og tillader drift ved ekstremt aggressive timings. En vigtig fordel ved modulerne baseret på Samsung B-die-chips er deres beskedne krav og brede kompatibilitet med forskellige hukommelseskontrollere, hvilket gør dem særligt populære blandt ejere af systemer baseret på Ryzen-processorer.
Produktion af B-die-chips sker dog ved hjælp af en relativt gammeldags teknologisk proces med 20 nm normer, så det er forståeligt, at Samsung ønsker at stoppe med at producere sådanne halvlederenheder til fordel for mere moderne alternativer. For nylig annoncerede virksomheden, at de var begyndt at producere DDR4 SDRAM-chips ved hjælp af 1z-nm teknologi (tredje generation), mens chips fremstillet ved 1y-nm proces (anden generation) allerede har været i produktion i mere end halvandet år. Producenten opfordrer til at skifte til disse chips. B-die-chips har officielt fået status som EOL (End of Life) — afslutning af livscyklussen.
I stedet for de legendariske Samsung B-die-chips vil andre tilbud nu få større udbredelse. Massen af produktion har nået M-die-chips, som er lavet med en teknologiproces med normer på 1y nm. A-die-chips, der produceres efter en endnu mere avanceret teknologi med normer på 1z nm, er også nået frem til kvalifikationsproduktionsstadiet. Det betyder, at M-die-chips snart vil være tilgængelige på markedet, mens moduler baseret på A-die-kredsløb vil være tilgængelige for brugerne inden for et halvt år.
Det vigtigste fortrin ved de nye hukommelseschips med opdaterede kerner, udover moderne teknologiprocesser og potentielt højere frekvensmuligheder, er også deres øgede kapacitet. De muliggør produktionen af ensidede DDR4-hukommelsesmoduler med en kapacitet på 16 GB og tosidede moduler med en kapacitet på 32 GB, hvilket tidligere var umuligt.
Det er værd at bemærke, at der i sommer kan forventes betydelige ændringer i udbuddet af hukommelsesmoduler af DDR4 SDRAM på markedet. Udover de nye Samsung-chips bør hukommelsesmodulerne også begynde at anvende E-die-chips fra Micron og C-die-chips fra SK Hynix. Det er meget muligt, at alle disse ændringer vil føre til en stigning i både den gennemsnitlige kapacitet og frekvenspotentialet for de gennemsnitlige DDR4 SDRAM-moduler.
Kilde: 3dnews.ru
