Hukommelsesmoduler bygget på Samsung B-die chips er måske en af de mest populære muligheder blandt entusiaster. Den sydkoreanske producent anser dem dog for forældede og stopper i øjeblikket deres produktion og tilbyder udskiftninger med andre DDR4-hukommelseschips, hvis produktion bruger nyere tekniske processer. Det betyder, at Samsungs ubuffrede DDR4-hukommelsesmoduler baseret på B-die-chips nu har nået slutningen af deres livscyklus og snart er udsolgt. Andre producenter, der bruger Samsung B-die-chips i deres produkter, vil også stoppe med at levere lignende moduler.
Samsung B-die chips og hukommelsesmoduler baseret på dem har vundet bred anerkendelse på grund af deres alsidighed og overclocking potentiale. De skalerer perfekt i frekvens, reagerer godt på stigninger i forsyningsspændingen og tillader drift med ekstremt aggressive timings. En separat vigtig fordel ved moduler baseret på Samsung B-die-chips er deres uhøjtidelighed og brede kompatibilitet med forskellige hukommelsescontrollere, for hvilke de er særligt elsket af ejere af systemer baseret på Ryzen-processorer.
Men til produktion af B-die-chips bruges en ret gammel teknologisk proces med 20 nm-standarder, så Samsungs ønske om at opgive produktionen af sådanne halvlederenheder til fordel for mere moderne alternativer er ganske forståeligt. For kort tid siden annoncerede virksomheden starten på produktionen af DDR4 SDRAM-chips ved hjælp af 1z-nm-teknologi (tredje generation), og chips produceret ved hjælp af 1y-nm-teknologien (anden generation) er blevet produceret i mere end halvandet år. Det er disse, producenten opfordrer dig til at skifte til. B-die-chips har officielt fået EOL-status (End of Life) - end of life cycle.
I stedet for de legendariske Samsung B-die-chips vil andre tilbud nu blive distribueret. M-die-chips, som er skabt ved hjælp af en 1y nm procesteknologi, har nået fase af masseproduktion. A-die-chips, produceret ved hjælp af endnu mere avanceret teknologi med 1z nm-standarder, har også nået kvalifikationsproduktionsstadiet. Det betyder, at hukommelse på M-die-chips vil komme til salg i meget nær fremtid, og moduler bygget på A-die-chips vil blive tilgængelige for brugerne inden for seks måneder.
Den største fordel ved nye hukommelseschips med opdaterede kerner, udover moderne tekniske processer og potentielt højere frekvenspotentiale, er også deres øgede kapacitet. De tillader produktion af enkeltsidede DDR4-hukommelsesmoduler med en kapacitet på 16 GB og dobbeltsidede moduler med en kapacitet på 32 GB, hvilket tidligere var umuligt.
Det er værd at huske på, at denne sommer kan vi forvente betydelige ændringer i rækken af DDR4 SDRAM-hukommelsesmoduler, der er tilgængelige på markedet. Udover de nye Samsung-chips skal der også bruges E-die-chips fra Micron og C-die fra SK Hynix i memory-strips. Det er sandsynligt, at alle disse ændringer vil forårsage en stigning ikke kun i den gennemsnitlige volumen, men også i frekvenspotentialet for gennemsnitlige DDR4 SDRAM-moduler.
Kilde: 3dnews.ru