Ifølge industrikilder i Taiwan, som Internetressource DigiTimes, den kinesiske hukommelsesproducent ChangXin Memory Technologies (CXMT) er i fuld gang med at forberede linjer til masseproduktion af LPDDR4-hukommelse. ChangXin, også kendt som Innotron Memory, siges at have udviklet sin egen DRAM-produktionsproces ved hjælp af 19nm-teknologi.
For kommerciel produktion af hukommelse på sin første 300 mm-virksomhed var ChangXin nødt til det i første halvdel af 2019. Ak, dette er ikke sket endnu. Men starten på produktionen af 8-Gbit DDR4 LPDDR4-chips vil blive ledsaget af en udvidelse af kapaciteten til 20 tusinde 300-nm siliciumwafers om måneden. Den maksimale kapacitet af linjerne i ChangXin-virksomheden når 125 tusind 300 mm wafers om måneden. Men dette er heller ikke grænsen. Virksomheden sagde, at det vil begynde at bygge en anden fabrik næste år til at behandle 300 mm memory wafers.
Samtidig kan denne kinesiske producent stå over for problemer af en anden art. Lad os huske på, at det første kinesiske firma, der skulle påbegynde masseproduktion af DRAM-hukommelse, var Fujian Jinhua. USA med forbud mod at købe produktionsudstyr fra amerikanske partnere. I Taiwan mener de, at ChangXin vil stå over for de samme problemer som Fujian. Derudover rekrutterede det kvalificerede ingeniører fra det tidligere taiwanske datterselskab af det japanske Elpida, hvis forretning blev absorberet af det amerikanske Micron. Analytikere forventer krav mod ChangXin fra Micron og sanktioner, hvis den kinesiske side ikke reagerer.
Sideløbende udvikler ChangXin en teknisk proces til fremstilling af hukommelse med 17 nm standarder. Udviklingen forventes afsluttet i 2021. Sandsynligvis vil den anden ChangXin-fabrik begynde arbejdet med produktionen af DRAM-krystaller med disse standarder. Med mindre, selvfølgelig, amerikanske sanktioner og Microns indspil bliver en uoverstigelig hindring på hendes vej.
Kilde: 3dnews.ru