Den amerikanske hær har modtaget sin første mobile radar på halvledere lavet af galliumnitrid.
Overgangen fra silicium til bredbånds halvledere (gallium nitride, siliciumcarbid og andre) muliggør en betydelig stigning i driftsfrekvenser og forbedring af effektiviteten i løsninger. En af de fremtidige anvendelsesområder for bredbånds chips og transistorer er kommunikation og radar. Elektronik baseret på GaN-løsninger giver en stigning i effekten og en udvidelse af radarernes rækkevidde, hvilket straks blev udnyttet […]
