Google pr\u00e6senterede 'Half-Double', en ny teknik til angreb af RowHammer-klassen, som g\u00f8r det muligt at \u00e6ndre indholdet af enkelte bits i dynamisk RAM (DRAM). Angrebet kan udf\u00f8res p\u00e5 nogle moderne DRAM-chips, hvis producenter har opn\u00e5et en reduktion i cellegeometrien. <\/p>\n
Husk at RowHammer-klasse angreb g\u00f8r det muligt at fordreje indholdet af enkelte bits i hukommelsen ved cyklisk l\u00e6sning af data fra n\u00e6rliggende hukommelseceller. Da DRAM-hukommelse udg\u00f8r et to-dimensionelt array af celler, hvor hver celle best\u00e5r af en kondensator og en transistor, f\u00f8rer kontinuerlig l\u00e6sning af det samme hukommelsesomr\u00e5de til sp\u00e6ndingsfluktuationer og anomalier, der for\u00e5rsager et lille tab af ladning i n\u00e6rliggende celler. Hvis l\u00e6seintensiteten er tilstr\u00e6kkelig h\u00f8j, kan den n\u00e6rliggende celle miste en forholdsvis stor m\u00e6ngde ladning, og den efterf\u00f8lgende regenereringscyklus er ikke i stand til at gendanne dens oprindelige tilstand, hvilket vil resultere i en \u00e6ndring af v\u00e6rdien gemt i cellens data. <\/p>\n
For at beskytte mod RowHammer har chipproducenter implementeret mekanismen TRR (Target Row Refresh), som beskytter mod forvanskning af celler i nabor\u00e6kker. Half-Double-metoden muligg\u00f8r omg\u00e5else af denne beskyttelse ved at manipulere med, at forvanskningen ikke er begr\u00e6nset til nabor\u00e6kker og kan sprede sig til andre r\u00e6kker i hukommelsen, omend i mindre grad. Ingeni\u00f8rer fra Google har vist, at for sekventielle r\u00e6kker i hukommelsen 'A', 'B' og 'C' er det muligt at angribe r\u00e6kke 'C' ved meget intensiv adgang til r\u00e6kke 'A' og en lille aktivitet, der involverer r\u00e6kke 'B'. Adgang til r\u00e6kke 'B' under angrebet aktiverer en ikke-line\u00e6r l\u00e6kage af ladninger og muligg\u00f8r brugen af r\u00e6kke 'B' som transport\u00f8r til at overf\u00f8re Rowhammer-effekten fra r\u00e6kke 'A' til 'C'.
<\/center> <\/p>\n
I mods\u00e6tning til TRRespass-angrebet, der manipulerer med mangler i forskellige implementeringer af mekanismen til at forhindre celleforvr\u00e6ngning, er Half-Double-angrebet baseret p\u00e5 de fysiske egenskaber af siliciumsubstratet. Half-Double viser, at de effekter, der sandsynligvis f\u00f8rer til Rowhammer, er et resultat af afstand snarere end direkte kontakt mellem celler. Ved reduktion af cellegeometrien i moderne chips \u00f8ges radius af forvr\u00e6ngningseffekter. Det er ikke udelukket, at effekten vil kunne observeres p\u00e5 afstande st\u00f8rre end to r\u00e6kker. <\/p>\n
Det er blevet bem\u00e6rket, at der i samarbejde med JEDEC-foreningen er udarbejdet flere forslag til analyse af mulige metoder til at blokere s\u00e5danne angreb. Oplysninger om metoden er offentliggjort, da Google mener, at den udf\u00f8rte forskning betydeligt udvider forst\u00e5elsen af Rowhammer-f\u00e6nomenet og fremh\u00e6ver vigtigheden af samarbejde mellem forskere, chipproducenter og andre interessenter i udviklingen af en omfattende og langsigtet l\u00f8sning til beskyttelse. \n Kilde: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
![\"Ny](\"\/wp-content\/uploads\/2021\/05\/3b26e2f816dd022ccaaf8928c4660360.png\")
<\/center> <\/p>\n