Ende des Jahres wird der chinesische Hersteller ChangXin Memory mit der Produktion von 8-Gbit LPDDR4-Chips beginnen.

Laut Branchenquellen in Taiwan, auf die verwiesen wird, bereitet das Internetportal DigiTimes vor, dass der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) intensiv die Produktionslinien für die Massenproduktion von LPDDR4-Speicher vorbereitet. ChangXin, auch bekannt als Innotron Memory, hat angeblich einen eigenen DRAM-Herstellungsprozess mit 19-nm-Technologie entwickelt.

Ende des Jahres wird der chinesische Hersteller ChangXin Memory mit der Produktion von 8-Gbit LPDDR4-Chips beginnen.

Für die kommerzielle Produktion von Speicher in ihrem ersten 300-mm-Werk sollte ChangXin begonnen haben in der ersten Hälfte des Jahres 2019. Leider ist dies bisher nicht geschehen. Der Produktionsstart der 8-Gbit DDR4 LPDDR4-Chips wird jedoch von einer Erweiterung der Kapazitäten auf 20.000 300-mm-Siliziumsubstrate pro Monat begleitet. Die maximale Kapazität der Produktionslinien im Werk von ChangXin erreicht 125.000 300-mm-Wafer pro Monat. Aber das ist auch nicht das Limit. Das Unternehmen gab bekannt, dass im nächsten Jahr ein zweites Werk für die Verarbeitung von 300-mm-Substraten mit Speicher gebaut wird.

Gleichzeitig könnte dieser chinesische Hersteller vor anderen Problemen stehen. Erinnern wir uns daran, dass das erste chinesische Unternehmen, das eine Massenproduktion von DRAM-Speicher starten wollte — Fujian Jinhua — auf die Sanktionsliste der USA gelangte, mit einem Verbot, Produktionsausrüstung von amerikanischen Partnern zu erwerben. In Taiwan wird vermutet, dass ChangXin mit denselben Problemen konfrontiert wird wie Fujian. Darüber hinaus hat sie qualifizierte Ingenieure vom ehemaligen taiwanesischen Tochterunternehmen des japanischen Herstellers Elpida eingestellt, dessen Geschäft von der amerikanischen Micron übernommen wurde. Analysten erwarten Klagen gegen ChangXin seitens Micron und Sanktionen, falls es keine Reaktion von chinesischer Seite gibt.

Ende des Jahres wird der chinesische Hersteller ChangXin Memory mit der Produktion von 8-Gbit LPDDR4-Chips beginnen.

Parallel dazu arbeitet ChangXin an der Entwicklung eines Herstellungsverfahrens für Speicher mit 17-nm-Normen. Der Abschluss der Entwicklung wird für 2021 erwartet. Wahrscheinlich wird das zweite Werk von ChangXin mit der Produktion von DRAM-Die mit diesen Normen beginnen. Es sei denn, dass Sanktionen der USA und die Intrigen von Micron ein unüberwindbares Hindernis darstellen.



Quelle: 3dnews.ru
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