Die Franzosen präsentierten den Seven-Level-GAA-Transistor von morgen
Es ist seit langem kein Geheimnis mehr, dass sich Transistoren mit der 3-nm-Prozesstechnologie von vertikalen „Fin“-FinFET-Kanälen zu horizontalen Nanopage-Kanälen entwickeln werden, die vollständig von Gates oder GAA (Gate-All-Around) umgeben sind. Das französische Institut CEA-Leti zeigte heute, wie FinFET-Transistor-Herstellungsverfahren zur Herstellung von Multi-Level-GAA-Transistoren genutzt werden können. Und die Aufrechterhaltung der Kontinuität technischer Prozesse ist eine verlässliche Grundlage für eine schnelle Transformation. Für das VLSI Technology & Circuits Symposium […]