Speicher mit magnetischen Kernen in der Saturn V Rakete

Der Computer, der im Trägersystem (Launch Vehicle Digital Computer, LVDC) arbeitete, spielte eine entscheidende Rolle im Apollo-Programm und steuerte die Saturn V Rakete. Wie viele Computer seiner Zeit speicherte er Daten in winzigen magnetischen Kernen. In diesem Artikel erzählt Cloud4Y von dem LVDC-Speichermodul aus der exquisiten Sammlung von Steve Jurvetson.

Dieses Speichermodul wurde in den 1960er Jahren weiterentwickelt. Bei seiner Herstellung kamen Oberflächenmontage-Komponenten, hybride Module und flexible Verbindungen zum Einsatz, was es erheblich kleiner und leichter machte als herkömmlicher Arbeitsspeicher jener Zeit. Dennoch konnte das Speichermodul nur 4096 Wörter mit je 26 Bit speichern.

Modul mit magnetischen Kernen. Dieses Modul speichert 4K Wörter mit 26 Bit Daten und 2 Bit Parität. Mit vier Speichermodulen, die zusammen eine Kapazität von 16.384 Wörtern bieten, wiegt es 2,3 kg und hat die Abmessungen 14 cm × 14 cm × 16 cm.

Der Flug zum Mond begann am 25. Mai 1961, als Präsident Kennedy erklärte, dass Amerika einen Menschen bis Ende des Jahrzehnts auf den Mond bringen würde. Hierfür kam die dreistufige Saturn-V-Rakete zum Einsatz, die mächtigste Rakete, die jemals gebaut wurde. Die Saturn V wurde von einem Computer gesteuert und kontrolliert (siehe hier für mehr Details ) die dritte Stufe der Trägerrakete, beginnend mit dem Start in die Erdumlaufbahn und anschließend auf dem Weg zum Mond. (Das Raumschiff „Apollo“ trennte sich in diesem Moment von der Saturn-V-Rakete, und die Aufgabe des LVDC war erfüllt).

Der LVDC ist in einem Traggestell montiert. Runde Anschlüsse sind auf der Vorderseite des Computers sichtbar. Es wurden 8 elektrische Anschlüsse und zwei Anschlüsse für die Flüssigkeitskühlung verwendet.

Der LVDC war nur einer von mehreren Computern an Bord von „Apollo“. Der LVDC war mit dem Flugkontrollsystem verbunden, einem 45 Kilogramm schweren analogen Computer. Der Bordnavigationcomputer des Apollo (Apollo Guidance Computer, AGC) steuerte das Raumfahrzeug zur Mondoberfläche. Das Kommandomodul hatte einen AGC, während das Mondlandemodul einen zweiten AGC zusammen mit dem Abort-Navigationssystem, einem Backup-Notfallcomputer, enthielt.

An Bord der Apollo gab es mehrere Computer.

Unit Logic Geräte (ULD)

LVDC wurde mit einer interessanten Hybridtechnologie namens ULD, dem Unit Load Device, entwickelt. Diese sahen zwar aus wie integrierte Schaltungen, aber die ULD-Module enthalten mehrere Komponenten. Sie verwendeten einfache Siliziumkristalle, von denen jeder nur einen Transistor oder zwei Dioden hatte. Diese Matrizen wurden zusammen mit bedruckten Dickschichtwiderständen auf einer keramischen Platte zur Umsetzung von Schaltungen wie logischen Toren montiert. Diese Module waren eine Variante der SLT-Module (Solid Logic Technology), die für IBM-Computer der beliebten S/360-Serie entwickelt wurden. IBM begann 1961 mit der Entwicklung von SLT-Modulen, bevor integrierte Schaltungen wirtschaftlich sinnvoll wurden, und bis 1966 stellte IBM jährlich über 100 Millionen SLT-Module her.

Die ULD-Module waren deutlich kleiner als die SLT-Module, wie im unteren Bild zu sehen ist, was sie besser für den kompakten Raumcomputer geeignet macht. Die ULD-Module verwendeten keramische Abdeckplatten anstelle der metallischen Stifte bei SLT und hatten metallische Kontakte auf der Oberseite anstelle von Pins. Die Klammern auf der Platine hielten das ULD-Modul an seinem Platz und verbanden sich mit diesen Kontakten.

Warum verwendete IBM SLT-Module anstelle von integrierten Schaltungen? Der Hauptgrund war, dass integrierte Schaltungen damals noch in den Anfängen steckten, denn sie wurden 1959 erfunden. 1963 wiesen SLT-Module im Vergleich zu integrierten Schaltungen Vorteile in Bezug auf Kosten und Leistung auf. Dennoch wurden SLT-Module oft als rückständig im Vergleich zu integrierten Schaltungen angesehen. Ein Vorteil der SLT-Module gegenüber integrierten Schaltungen war, dass die Widerstände in den SLT-Modulen viel präziser waren als in den integrierten Schaltungen. Bei der Herstellung wurden dickfilmige Widerstände in den SLT-Modulen sorgfältig sandgestrahlt, um die resistive Schicht zu entfernen, bis der gewünschte Widerstand erreicht wurde. Außerdem waren SLT-Module in den 1960er Jahren günstiger als vergleichbare integrierte Schaltungen.

LVDC und das zugehörige Equipment verwendeten mehr als 50 verschiedene Typen von ULD.

SLT-Module (links) sind erheblich größer als ULD-Module (rechts). Die Größe eines ULD beträgt 7,6 mm × 8 mm.

Auf dem Foto unten sind die inneren Komponenten des ULD-Moduls zu sehen. Links auf der Keramikplatte sind die Leiter sichtbar, die mit vier winzigen quadratischen Siliziumkristallen verbunden sind. Es sieht aus wie eine Leiterplatte, ist jedoch wesentlich kleiner als ein Fingernagel. Die schwarzen rechteckigen Objekte rechts sind dicke Widerstände, die auf der Unterseite der Platte gedruckt sind.

ULD, von oben und unten. Die Siliziumkristalle und Widerstände sind sichtbar. Während die SLT-Module Widerstände auf der Oberseite hatten, befanden sich die Widerstände bei den ULD-Modulen auf der Unterseite, was die Dichte sowie die Kosten erhöhte.

Auf dem Foto unten ist ein Siliziumkristall aus dem ULD-Modul zu sehen, der zwei Dioden realisiert hat. Die Maße sind außergewöhnlich klein; zur Veranschaulichung sind daneben Zuckerkristalle platziert. Der Kristall hatte drei äußere Verbindungen durch mit Lötkugeln verbundene drei Ringe. Die beiden unteren Ringe (Anoden der beiden Dioden) waren legiert (dunklere Bereiche), während der obere rechte Ring die Kathode war, die mit der Basis verbunden war.

Foto eines Dioden-Siliziumkristalls neben Zuckerkristallen.

Wie funktioniert der Speicher mit Ferritkernen?

Die magnetische Kernspeichertechnik war von den 1950er Jahren bis in die 1970er Jahre die Hauptform der Datenspeicherung in Computern, bevor sie durch Halbleiterspeicher ersetzt wurde. Der Speicher bestand aus winzigen Ferritringen, die als Kerne bezeichnet werden. Diese Ferritringe wurden in einer rechteckigen Matrix angeordnet, und durch jeden Ring führten zwei bis vier Drähte zum Lesen und Schreiben von Informationen. Die Ringe ermöglichten die Speicherung eines Bits an Informationen. Ein Kern wurde durch einen Impuls des Stroms, der durch die Drähte lief, magnetisiert. Die Magnetisierungsrichtung eines Kerns konnte geändert werden, indem ein Impuls in die entgegengesetzte Richtung gesendet wurde.

Um den Wert des Ferritkerns zu lesen, wurde der Stromimpuls in den Zustand 0 versetzt. Befand sich der Kern zuvor im Zustand 1, erzeugte das sich ändernde Magnetfeld eine Spannung in einem der Drähte, die durch die Kerne verliefen. War der Kern jedoch bereits im Zustand 0, hätte sich das Magnetfeld nicht geändert und die Spannung im Lesedraht wäre nicht angestiegen. Somit wurde der Wert des Bits im Kern gelesen, indem er auf Null zurückgesetzt und die Spannung im Lesedraht überprüft wurde. Ein wichtiges Merkmal des Speichers auf Ferritkernen war, dass der Lesevorgang den Wert des Ferritrings zerstörte, weshalb der Kern "neu beschrieben" werden musste.

Die Verwendung eines separaten Drahtes zur Veränderung der Magnetisierung jedes Ferritkerns war unpraktisch, aber in den 1950er Jahren wurde ein Ferritspeicher entwickelt, der auf dem Prinzip des Stromsynchronismus basierte. Das Schema mit vier Drähten – X, Y, Lesen, Verbot – wurde allgemein anerkannt. Die Technologie nutzte eine besondere Eigenschaft der Kerne, die als Hysteresefenster bekannt ist: Ein geringer Strom hat keinen Einfluss auf den Ferritspeicher, aber ein Strom über einem Schwellenwert würde den Kern magnetisieren. Bei der Einspeisung mit der halben erforderlichen Stromstärke auf eine X- und eine Y-Leitung erhielt nur der Kern, an dem sich beide Leitungen kreuzen, genügend Strom zur Remagnetisierung, während die anderen Kerne unberührt blieben.

So sah der Speicher IBM 360 Model 50 aus. LVDC und Model 50 verwendeten Ferritkerne eines Typs, der als 19-32 bekannt ist, da ihr Innendurchmesser 19 Thousandths (0,4826 mm) und ihr Außendurchmesser 32 Thousandths (0,8 mm) betrug. Auf diesem Foto ist zu sehen, dass durch jeden Kern drei Drähte führen, wobei LVDC vier Drähte verwendete.

Das Bild unten zeigt eine rechteckige LVDC-Speichermatrix. Diese Matrix hat 128 X-Leiter, die vertikal verlaufen, und 64 Y-Leiter, die horizontal verlaufen, mit einem Kern an jedem Kreuzungspunkt. Der einzige Datenleitung verläuft parallel zu den Y-Leitern durch alle Stränge. Die Schreibleitung und die Sperrleitung verlaufen parallel zu den X-Leitern durch alle Stränge. Die Drähte kreuzen sich in der Mitte der Matrix; dies reduziert das induzierte Rauschen, da das Rauschen auf der einen Hälfte das Rauschen der anderen Hälfte neutralisiert.

Eine LVDC-Ferritspeichermatrix mit 8192 Bits. Die Verbindung zu anderen Matrizen erfolgt über Pins an der Außenseite.

Die oben genannte Matrix hatte 8192 Zellen, von denen jede ein Bit speicherte. Um ein Speicherwort zu speichern, wurden mehrere Basis-Matrizen zusammengeschichtet, eine für jedes Bit im Wort. Die X- und Y-Leiter schlängelten sich durch alle Hauptmatrizen. Jede Matrix hatte eine separate Leseleitung und eine separate Sperrleitung für Schreibaktionen. Der LVDC-Speicher verwendete einen Stapel aus 14 Basismatrizen (siehe unten), die ein 13-Bit 'Silbe' zusammen mit einem Paritätsbit speicherten.

Der LVDC-Stapel besteht aus 14 Hauptmatrizen.

Die Speicherung im Magnetkern erforderte zusätzliche Drähte, sogenannte Sperr-Linien. Jede Matrize hatte eine Sperr-Linie, die alle Kerne darin durchdrang. Während des Schreibens fließt der Strom durch die Linien X und Y und magnetisiert die ausgewählten Ringe (jeweils einen pro Ebene) in den Zustand 1, wobei alle 1 im Wort gespeichert werden. Um eine 0 an der Bit-Position zu speichern, wurde die Linie mit halbem Strom, entgegengesetzt zur Linie X, versorgt. Dadurch blieben die Kerne im Wert 0. Somit verhinderte die Sperr-Linie, dass der Kern auf 1 umschaltete. Jedes gewünschte Wort konnte im Speicher gespeichert werden, indem die entsprechenden Sperr-Linien aktiviert wurden.

LVDC-Speichermodul

Wie ist das LVDC-Speichermodul physisch konstruiert? Im Zentrum des Speichermoduls befindet sich ein Stapel aus 14 Matrizen ferromagnetischen Speichers, die zuvor gezeigt wurden. Er wird von mehreren Platinen umgeben, die für die Steuerung der Drähte X und Y sowie der Sperr-Linien, der Bit-Leseleitungen, der Fehlererkennung und der Generierung der erforderlichen Taktsignale konzipiert sind.

Im Allgemeinen befindet sich der Großteil der Schaltungen, die mit Speicher zu tun haben, in der LVDC-Computeralgorithmik und nicht im Speichermodul selbst. Insbesondere enthält die Computerlogik Register zum Speichern von Adressen und Datenwörtern sowie zur Umwandlung zwischen seriellen und parallelen Daten. Sie umfasst zudem eine Schaltung zum Auslesen der Bit-Leseleitungen, zur Fehlerprüfung und zur Taktung.

Speichermodul mit den wichtigsten Komponenten. MIB (Multilayer Interconnection Board) ist eine 12-lagige Leiterplatte.

Speichersteuerungskarte Y

Das Wort im Speicher auf magnetischen Kernen wird durch das Durchlaufen der entsprechenden X- und Y-Leitungen durch das Hauptstapel der Platinen ausgewählt. Beginnen wir mit der Beschreibung der Y-Treiber-Schaltung und wie sie ein Signal über eine der 64 Y-Leitungen generiert. Anstatt 64 separate Treiberschaltungen zu verwenden, reduziert das Modul die Anzahl der Schaltungen, indem es 8 „hohe“ Treiber und 8 „niedrige“ Treiber nutzt. Diese sind in einer „Matrixkonfiguration“ angeschlossen, so dass jede Kombination von hohen und niedrigen Treibern unterschiedliche Zeilen auswählt. So wählen 8 „hohe“ und 8 „niedrige“ Treiber eine der 64 (8 × 8) Y-Leitungen aus.

Der Treiber Y (Vorderseite) steuert die Auswahlleitungen Y in der Platine.

Das Foto unten zeigt einige der ULD-Module (weiß) und Paare von Transistoren (goldfarben), die die Auswahlleitungen Y steuern. Das Modul "EI" ist das Herz des Treibers: Es sendet einen Puls stabiler Spannung (E) oder leitet einen Gleichstrompuls (I) über die Auswahlleitung. Die Auswahlleitung wird gesteuert, indem das EI-Modul am einen Ende der Leitung im Spannungmodus und am anderen Ende im Strommodus aktiviert wird. Das Ergebnis ist ein Puls mit der richtigen Spannung und Stromstärke, die ausreicht, um den Kern zu magnetisieren. Ein großer Puls ist erforderlich, um ihn umzuschalten; der Spannungspuls ist auf 17 Volt fixiert, während der Strom je nach Temperatur zwischen 180 mA und 260 mA schwankt.

Makrofoto des Treiber Y, das sechs ULD-Module und sechs Paare von Transistoren zeigt. Jedes ULD-Modul ist mit einer IBM-Teilenummer, dem Typ des Moduls (z. B. "EI") und einem nicht näher spezifizierten Code gekennzeichnet.

Die Platine ist zudem mit Fehlerüberwachungsmodulen (ED) ausgestattet, die erkennen, wenn mehr als eine Y-Auswahlleitung gleichzeitig aktiviert wird. Das ED-Modul verwendet eine einfache, halbanaloge Lösung: Es summiert die Eingangsspannungen mit einem Netzwerk von Widerständen. Wenn die resultierende Spannung über dem Schwellenwert liegt, wird der Schalter aktiviert.

Unter der Treiberplatine befindet sich eine Diodenmatrix, die 256 Dioden und 64 Widerstände enthält. Diese Matrix wandelt 8 obere und 8 untere Signalpaare von der Treiberplatine in Verbindungen zu 64 Y-Leitungen um, die durch den Hauptstapel von Platinen verlaufen. Flexible Kabel oben und unten auf der Platine verbinden diese mit der Diodenmatrix. Zwei flexible Kabel links (auf dem Foto nicht sichtbar) und zwei Bussen rechts (eine sichtbar) verbinden die Diodenmatrix mit dem Kern-Array. Das links sichtbare flexible Kabel verbindet die Y-Platine mit dem restlichen Computer über die Eingangs-/Ausgangsplatte, während ein kleines flexibles Kabel in der unteren rechten Ecke mit der Taktschaltung verbunden ist.

Treiberplatine für den Speicher X

Das Schaltbild zur Steuerung der X-Leitungen ähnelt dem von Y, mit dem Unterschied, dass es 128 X-Leitungen und 64 Y-Leitungen gibt. Da es doppelt so viele X-Leitungen gibt, verfügt das Modul über eine zweite X-Treiberplatine, die darunter angeordnet ist. Obwohl die X- und Y-Platinen identische Komponenten haben, ist die Verdrahtung unterschiedlich.

Diese Platine und die entsprechende darunter steuern die ausgewählten X-Zeilen in einem Stapel von Platinen mit Kernen.

Auf dem Bild unten ist zu sehen, dass einige Komponenten auf der Platine beschädigt wurden. Einer der Transistoren ist versetzt, das ULD-Modul ist in zwei Hälften gebrochen, und ein anderer ist abgebrochen. Die Verdrahtung ist am beschädigten Modul sichtbar, dort ist auch einer der winzigen Siliziumkristalle (rechts) zu erkennen. Auf diesem Foto sind auch die Spuren von vertikalen und horizontalen Leiterbahnen auf der 12-lagigen Leiterplatte zu sehen.

Nahaufnahme des beschädigten Bereichs der Platine

Unter den Treiberplatinen X befindet sich ein X-Diodenmatrix mit 288 Dioden und 128 Widerständen. Die X-Diodenmatrix verwendet eine Topologie, die sich von der Y-Diodenplatte unterscheidet, um eine Verdopplung der Komponenten zu vermeiden. Ähnlich wie die Y-Diodenplatte enthält diese Platte Komponenten, die vertikal zwischen zwei Leiterplatten montiert sind. Diese Methode wird als "Cordwood" bezeichnet und ermöglicht eine kompakte Anordnung der Komponenten.

Das Makrofoto der X-Diodenmatrix zeigt die vertikal montierten Dioden gemäß der Cordwood-Technik zwischen 2 Leiterplatten. Zwei Treiberplatinen X befinden sich über der Diodenplatte, die durch Polyurethanschaum von ihnen getrennt ist. Beachten Sie, dass die Leiterplatten sehr nah beieinander liegen.

Speicherverstärker

Auf dem Foto unten ist die Leseverstärkerschaltung zu sehen. Sie verfügt über 7 Kanäle, um 7 Bits aus dem Speicherstapel zu lesen; die identische Platine darunter verarbeitet zusätzlich 7 Bits, insgesamt also 14 Bits. Die Aufgabe des Leseverstärkers besteht darin, ein schwaches Signal (20 Millivolt), das von einem ummagnetisierbaren Kern erzeugt wird, zu erkennen und in ein 1-Bit-Ausgangssignal umzuwandeln. Jeder Kanal besteht aus einem Differenzverstärker und einem Puffer, gefolgt von einem Differenztransformator und einem Ausgangsmechanismus. Links wird ein 28-poliges Flachkabel an den Speicherstapel angeschlossen, wobei die beiden Enden jedes Lesekabels mit der Schaltung des Verstärkers verbunden werden, beginnend mit dem Modul MSA-1 (Leseverstärker für den Speicher). Zu den einzelnen Komponenten gehören Widerstände (braune Zylinder), Kondensatoren (rote), Transformatoren (schwarze) und Transistoren (goldene). Die Datenbits verlassen die Platinen des Leseverstärkers über das Flachkabel auf der rechten Seite.

Die Leseverstärkerschaltung befindet sich oben im Speichermodul. Diese Platine verstärkt die Signale von den Sensorspiralen, um Ausgangs-Bits zu erzeugen.

Schreibschutz-Leitungsantrieb

Die Sperrtreiber werden verwendet, um in den Speicher zu schreiben und befinden sich an der Unterseite des Hauptmoduls. Es gibt 14 Sperrleitungen, eine für jedes Matrizen im Stapel. Um ein 0-Bit zu schreiben, wird der entsprechende Sperrtreiber aktiviert, und der Strom durch die Sperrleitung verhindert das Schalten des Kerns auf 1. Jede Leitung wird durch das Modul ID-1 und ID-2 (Sperrleitungs-Treiber) sowie ein Paar Transistoren gesteuert. Hochpräzise Widerstände von 20,8 Ohm oben und unten auf der Platine regulieren den Sperrstrom. Ein 14-adriges Flachkabel rechts verbindet die Treiber mit den 14 Sperrdrähten im Stapel der Platinen mit Kernen.

Die Sperrplatine befindet sich an der Unterseite des Speichermoduls. Diese Platine erzeugt 14 Sperrsignale, die während des Schreibens verwendet werden.

Speicher für die Taktgeber

Der Taktgeber ist ein Paar Platinen, die Synchronisierungssignale für das Speichermodul erzeugen. Wenn der Computer mit dem Speicher arbeitet, generiert der Taktgeber des Moduls verschiedene Synchronisierungssignale asynchron. Die Taktgeber-Platinen befinden sich an der Unterseite des Moduls, zwischen dem Stack und der Blocking-Platine, sodass sie schwer zu sehen sind.

Die Taktgeber-Platinen befinden sich unter dem Hauptspeicher-Stack, aber über der Blocking-Platine.

Die blauen Komponenten der Platine im oberen Bild sind mehrdrehende Potentiometer, vermutlich zur Regelung der Zeit oder der Spannung. Widerstände und Kondensatoren sind ebenfalls auf den Platinen zu sehen. Das Diagramm zeigt mehrere MCD-Module (Memory Clock Driver), aber keine Module auf den Platinen. Es ist schwer zu sagen, ob dies mit der eingeschränkten Sichtbarkeit, einer Änderung des Diagramms oder dem Vorhandensein einer anderen Platine mit diesen Modulen zusammenhängt.

Speicher-Eingabe-/Ausgabepanel

Die letzte Schnittstelle des Speichermoduls ist die I/O-Platine, die die Signale zwischen den Speichermodulen und dem restlichen LVDC-Computer verteilt. Der grüne 98-polige Stecker an der Unterseite verbindet sich mit dem LVDC-Speichersystem und sorgt für die Signal- und Stromversorgung vom Computer. Viele der Kunststoffstecker sind beschädigt, sodass die Kontakte sichtbar sind. Die Verteilungskarte ist mit diesem Stecker durch zwei 49-polige Flachkabel an der Unterseite verbunden (nur das vordere Kabel ist sichtbar). Weitere Flachkabel verteilen die Signale an die X-Treiberkarte (links), die Y-Treiberkarte (rechts), die Leseverstärkerkarte (oben) und die Ausschlusskarte (unten). 20 Kondensatoren auf der Platine filtern die zur Speichermodulversorgung gelieferten Spannungen.

Die I/O-Platine verbindet das Speichermodul mit dem restlichen Computer. Der grüne Stecker an der Unterseite ist mit dem Computer verbunden, und diese Signale werden über Flachkabel an andere Teile des Speichermoduls weitergeleitet.

Fazit

Das Hauptspeichermodul LVDC bot eine kompakte, zuverlässige Speicherlösung. In der unteren Hälfte des Computers konnten bis zu 8 Speichermodule untergebracht werden. Dadurch konnte der Computer 32 Kilowattstunden 26-Bit-Wörter oder 16 Kilowörter im redundanten Hochverfügbarkeitsmodus „Duplex“.

Eine interessante Eigenschaft von LVDC war, dass die Speichermodule zur Erhöhung der Zuverlässigkeit gespiegelt werden konnten. Im „Duplex“-Modus wurde jedes Wort in zwei Speichermodulen gespeichert. Wenn in einem Modul ein Fehler auftrat, konnte das richtige Wort aus dem anderen Modul abgerufen werden. Obwohl dies die Zuverlässigkeit erhöhte, reduzierte es den verfügbaren Speicherplatz um die Hälfte. Alternativ können die Speichermodule im „Simplex“-Modus verwendet werden, wobei jedes Wort nur einmal gespeichert wird.

LVDC konnte bis zu acht Speichermodule für den Prozessor aufnehmen.

Ein Speicher-Modul mit Ferritkernen bietet eine anschauliche Darstellung der Zeit, als 8 KB noch ein 5-Pfund (2,3 kg) Modul benötigten. Dennoch war dieser Speicher für seine Zeit äußerst fortschrittlich. Solche Geräte wurden in den 1970er Jahren mit dem Aufkommen von Halbleiter-DRAM nicht mehr verwendet.

Der Inhalt des RAM bleibt bei Stromausfall gespeichert, weshalb es gut möglich ist, dass das Modul noch Software vom letzten Gebrauch des Computers hat. Tatsächlich könnte man dort sogar Jahrzehnte später etwas Interessantes finden. Es wäre spannend, zu versuchen, diese Daten wiederherzustellen, aber die beschädigte Schaltung stellt ein Problem dar, sodass der Inhalt wahrscheinlich noch Jahrzehnte nicht aus dem Speichermodul extrahiert werden kann.

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Quelle: habr.com