Der weltweit einzige Entwickler von diskreten Magnetspeicherchips MRAM, die Firma Everspin Technologies, verbessert weiterhin die Produktionstechnologien. Heute haben Everspin und die Firma GlobalFoundries gemeinsam eine Technologie zur Herstellung von STT-MRAM-Chips mit Normen von 12 nm und FinFET-Transistoren zu entwickeln.
Die Firma Everspin hat ĂŒber 650 Patente und Anmeldungen im Zusammenhang mit MRAM-Speicher. Dieser Speicher speichert Informationen Ă€hnlich wie das Aufzeichnen auf einer magnetischen Platte einer Festplatte. Nur dass jede Zelle des Chips ihren eigenen (bedingten) Lesekopf hat. Der neue STT-MRAM-Speicher, der auf dem Spin-Transfer-Effekt beruht, funktioniert mit noch geringeren energischen Aufwendungen, da er mit kleineren Strömen in den Lese- und Schreibmodi arbeitet.
UrsprĂŒnglich stellte die Firma NXP im Auftrag von Everspin MRAM-Speicher in ihrem Werk in den USA her. Im Jahr 2014 schloss Everspin eine Vereinbarung ĂŒber die Zusammenarbeit mit GlobalFoundries. Zusammen begannen sie, die Technologien zur Herstellung von diskreten und eingebetteten MRAM (STT-MRAM) mit fortschrittlicheren Prozessschritte zu entwickeln.
Im Laufe der Zeit wurde bei GlobalFoundries die Herstellung von 40-nm- und 28-nm-STT-MRAM-Chips (einschlieĂlich der Neuheit â 1-Gbit-STT-MRAM-Chip) etabliert, und der Prozess 22FDX fĂŒr die Integration von STT-MRAM-Arrays in Controller unter Verwendung des 22-nm-Prozesses auf FD-SOI-Wafern wurde vorbereitet. Der neue Vertrag zwischen Everspin und GlobalFoundries wird die Produktion von STT-MRAM-Chips auf den 12-nm-Prozess verlagern.
MRAM erreicht in der Geschwindigkeit fast die Leistung von SRAM und kann sie potenziell in Controllern fĂŒr das Internet der Dinge ersetzen. AuĂerdem ist sie energieunabhĂ€ngig und wesentlich widerstandsfĂ€higer gegen Abnutzung als herkömmlicher NAND-Speicher. Der Ăbergang zu 12-nm-Normen wird die Schreibdichte von MRAM erhöhen, was ihr Hauptnachteil darstellt.
Quelle: 3dnews.ru
