Wie Laut chinesischen Nachrichtenagenturen hat das Unternehmen Yangtze Memory Technologies (YMTC) die zweite Version seiner Xtacking-Technologie vorbereitet, um die Produktion von mehrschichtigen 3D NAND-Flashspeichern zu optimieren. Die Xtacking-Technologie wurde letztes Jahr auf dem jährlichen Flash Memory Summit im August vorgestellt und erhielt sogar eine Auszeichnung in der Kategorie „Innovativster Flash-Startup“.
Natürlich ist es eine Untertreibung, ein Unternehmen mit einem Milliardenbudget als Startup zu bezeichnen. Seien wir ehrlich, YMTC produziert derzeit jedoch noch nicht in Massen. Die Massenproduktion von 3D NAND wird gegen Ende dieses Jahres starten, wenn die 128-Gbit 64-Schicht-Speicher in die Produktion gehen, die übrigens von der besagten innovativen Xtacking-Technologie unterstützt wird.
Laut aktuellen Berichten hat der technische Direktor von Yangtze Memory, Tang Jiang, im Forum GSA Memory+ bestätigt, dass im August die Technologie Xtacking 2.0 vorgestellt wird. Leider hat der technische Leiter des Unternehmens keine Details zu dieser neuen Entwicklung preisgegeben, weshalb wir bis August warten müssen. Wie die Vergangenheit zeigt, hütet das Unternehmen seine Geheimnisse bis zum Schluss, und vor dem Beginn des Flash Memory Summit 2019 werden wir kaum interessante Neuigkeiten über Xtacking 2.0 erfahren.
Was die Technologie Xtacking selbst betrifft, so konzentriert sie sich auf drei Aspekte, die auf die Produktion von 3D NAND und darauf basierenden Produkten haben. Dazu gehören die Geschwindigkeit der Flash-Speicherchip-Schnittstellen, die Erhöhung der Schreibdichte sowie die Markteinführungszeit neuer Produkte. Mit Xtacking kann die Datenübertragungsrate in 3D NAND-Speicherchips von 1–1,4 Gbit/s (ONFi 4.1- und ToggleDDR-Schnittstellen) auf 3 Gbit/s gesteigert werden. Mit wachsender Kapazität der Chips werden auch die Anforderungen an die Übertragungsgeschwindigkeit steigen, und in diesem Bereich hoffen die Chinesen, die Ersten zu sein, die einen Durchbruch erzielen.
Für das Wachstum der Aufzeichnungsdichte gibt es ein weiteres Hindernis – auf dem 3D NAND-Chip sind nicht nur die Speichermodule vorhanden, sondern auch periphere Steuer- und Versorgungsschaltungen. Diese Schaltungen beanspruchen zwischen 20 % und 30 % der nutzbaren Fläche der Speichermodule, bei 128-Gbit-Chips sogar bis zu 50 % der Chipoberfläche. Bei der Xtacking-Technologie wird das Speichermodul auf seinem eigenen Chip produziert, während die Steuerungen auf einem anderen Chip gefertigt werden. Der Chip steht vollständig für die Speicherzellen zur Verfügung, und die Steuerungen werden erst in der Endmontage des Chips mit dem Speicherchip verbunden.
Die getrennte Herstellung und anschließende Montage ermöglichen auch eine schnellere Entwicklung maßgeschneiderter Speicherchips und spezieller Produkte, die wie Bausteine in der gewünschten Kombination zusammengesetzt werden. Ein solcher Ansatz verkürzt die Entwicklungszeit für maßgeschneiderte Speicherchips um mindestens 3 Monate innerhalb der insgesamt 12 bis 18 Monate Entwicklungszeit. Größere Flexibilität bedeutet ein höheres Interesse von Kunden, das der junge chinesische Hersteller dringend benötigt.
Quelle: 3dnews.ru
