Heute Morgen veranstaltete Intel in Seoul, Südkorea, die Veranstaltung „Memory and Storage Day 2019“, die sich den Zukunftsplänen im Speicher- und Solid-State-Drive-Markt widmete. Dort sprachen Unternehmensvertreter über zukünftige Optane-Modelle, Fortschritte bei der Entwicklung von Fünf-Bit-PLC-NAND (Penta Level Cell) und andere vielversprechende Technologien, die das Unternehmen in den kommenden Jahren vorantreiben will. Intel sprach außerdem über seinen Wunsch, langfristig nichtflüchtigen RAM in Desktop-Computern einzuführen, und über neue Modelle bekannter SSDs für dieses Segment.
Der unerwartetste Teil von Intels Präsentation über die laufenden Entwicklungen war die Geschichte über PLC NAND – eine noch dichtere Art von Flash-Speicher. Das Unternehmen betont, dass sich die Gesamtmenge der weltweit produzierten Daten in den letzten zwei Jahren verdoppelt habe, sodass Laufwerke auf Basis von Vier-Bit-QLC-NAND keine gute Lösung mehr für dieses Problem zu sein scheinen – die Branche brauche einige Optionen mit höherer Leistung Speicherdichte. Die Ausgabe sollte ein Penta-Level Cell (PLC)-Flash-Speicher sein, wobei jede Zelle fünf Datenbits gleichzeitig speichert. Somit wird die Hierarchie der Flash-Speichertypen bald wie folgt aussehen: SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Der neue PLC-NAND wird im Vergleich zum SLC fünfmal mehr Daten speichern können, allerdings natürlich mit geringerer Leistung und Zuverlässigkeit, da der Controller zwischen 32 verschiedenen Ladezuständen der Zelle unterscheiden muss, um fünf Bits zu schreiben und zu lesen .
Es ist erwähnenswert, dass Intel mit seinem Bestreben, noch dichteren Flash-Speicher herzustellen, nicht allein ist. Toshiba sprach während des Flash Memory Summit im August auch über Pläne zur Entwicklung von PLC NAND. Die Technologie von Intel unterscheidet sich jedoch erheblich: Das Unternehmen verwendet Floating-Gate-Speicherzellen, während die Designs von Toshiba auf Zellen basierend auf Ladungsfallen basieren. Mit zunehmender Informationsspeicherdichte scheint ein Floating Gate die beste Lösung zu sein, da es die gegenseitige Beeinflussung und den Ladungsfluss in den Zellen minimiert und ein fehlerfreieres Lesen von Daten ermöglicht. Mit anderen Worten: Das Design von Intel eignet sich besser zur Erhöhung der Dichte, was durch Testergebnisse kommerziell erhältlicher QLC-NANDs bestätigt wird, die mit verschiedenen Technologien hergestellt wurden. Solche Tests zeigen, dass die Datenverschlechterung in QLC-Speicherzellen, die auf einem Floating-Gate basieren, zwei- bis dreimal langsamer erfolgt als in QLC-NAND-Zellen mit Ladungsfalle.
Vor diesem Hintergrund erscheint die Information recht interessant, dass sich Micron unter anderem aufgrund des Wunsches, auf den Einsatz von Charge-Trap-Zellen umzusteigen, entschieden hat, seine Flash-Speicher-Entwicklung mit Intel zu teilen. Intel bleibt der ursprünglichen Technologie treu und setzt diese konsequent in allen neuen Lösungen um.
Neben PLC NAND, das sich noch in der Entwicklung befindet, will Intel die Speicherdichte von Informationen im Flash-Speicher durch den Einsatz anderer, günstigerer Technologien erhöhen. Insbesondere bestätigte das Unternehmen den bevorstehenden Übergang zur Massenproduktion von 96-schichtigem QLC 3D NAND: Es wird in einem neuen Verbraucherlaufwerk eingesetzt .
Anschließend folgt die Beherrschung der Produktion von 144-Layer-QLC-3D-NAND – der Produktionsstart erfolgt im nächsten Jahr. Es ist merkwürdig, dass Intel bisher jegliche Absicht dementiert hat, dreifaches Löten monolithischer Kristalle zu verwenden. Während das 96-Schichten-Design also die vertikale Anordnung von zwei 48-Schichten-Kristallen beinhaltet, wird die 144-Schichten-Technologie offenbar auf 72 Schichten basieren "halbfertige Produkte".
Zusammen mit der Erhöhung der Anzahl der Schichten in QLC-3D-NAND-Kristallen beabsichtigen Intel-Entwickler noch nicht, die Kapazität der Kristalle selbst zu erhöhen. Basierend auf 96- und 144-Schicht-Technologien werden die gleichen Terabit-Kristalle hergestellt wie der 64-Schicht-QLC 3D NAND der ersten Generation. Dies liegt an dem Wunsch, darauf basierende SSDs mit akzeptabler Leistung bereitzustellen. Die ersten SSDs, die 144-Layer-Speicher verwenden, werden Arbordale+-Serverlaufwerke sein.
Source: 3dnews.ru