Eine neue Pressemitteilung von Samsung Electronics dass es mit der Massenproduktion von 3D-NAND mit mehr als 100 Schichten begonnen hat. Die höchstmögliche Konfiguration ermöglicht Chips mit 136 Schichten, was einen neuen Meilenstein auf dem Weg zu dichterem 3D-NAND-Flash-Speicher markiert. Das Fehlen einer klaren Speicherkonfiguration deutet darauf hin, dass der Chip mit mehr als 100 Schichten aus zwei oder höchstwahrscheinlich drei monolithischen 3D-NAND-Chips (z. B. 48 Schichten) zusammengesetzt ist. Beim Löten von Kristallen werden einige Grenzschichten zerstört, wodurch eine genaue Angabe der Anzahl der Schichten im Kristall unmöglich wird, sodass Samsung später keine Ungenauigkeit vorgeworfen wird.
Samsung besteht jedoch auf einer einzigartigen Kanallochätzung, die die Möglichkeit eröffnet, die Dicke einer monolithischen Struktur zu durchdringen und horizontale Flash-Speicher-Arrays zu einem Speicherchip zu verbinden. Die ersten 100-Schicht-Produkte waren 3D-NAND-TLC-Chips mit einer Kapazität von 256 Gbit. Das Unternehmen wird im kommenden Herbst mit der Produktion von 512-Gbit-Chips mit 100 (+) Schichten beginnen.
Die Weigerung, Speicher mit höherer Kapazität freizugeben, ist (wahrscheinlich) darauf zurückzuführen, dass das Ausmaß der Mängel bei der Freigabe neuer Produkte bei Speicher mit geringerer Kapazität leichter zu kontrollieren ist. Durch die „Erhöhung der Anzahl der Stockwerke“ konnte Samsung einen Chip mit kleinerer Fläche produzieren, ohne an Kapazität einzubüßen. Darüber hinaus ist der Chip in mancher Hinsicht einfacher geworden, denn statt 930 Millionen vertikaler Löcher im Monolithen reicht es nun aus, nur noch 670 Millionen Löcher zu ätzen. Laut Samsung hat dies die Produktionszyklen vereinfacht und verkürzt und eine Steigerung der Arbeitsproduktivität um 20 % ermöglicht, was mehr und weniger Kosten bedeutet.
Basierend auf 100-Layer-Speicher begann Samsung mit der Produktion von 256-GB-SSDs mit SATA-Schnittstelle. Die Produkte werden an PC-OEMs geliefert. Es besteht kein Zweifel, dass Samsung bald zuverlässige und relativ preiswerte Solid-State-Laufwerke auf den Markt bringen wird.
Der Übergang zu einer 100-Schichten-Struktur zwang uns nicht zu Abstrichen bei Leistung oder Stromverbrauch. Der neue 256-Gbit-3D-NAND-TLC war insgesamt 10 % schneller als 96-Layer-Speicher. Durch das verbesserte Design der Steuerelektronik des Chips konnte die Datenübertragungsrate im Schreibmodus unter 450 μs und im Lesemodus unter 45 μs gehalten werden. Gleichzeitig wurde der Verbrauch um 15 % gesenkt. Das Interessanteste ist, dass das Unternehmen auf Basis von 100-Schicht-3D-NAND verspricht, als nächstes 300-Schicht-3D-NAND auf den Markt zu bringen, indem einfach drei konventionell monolithische 100-Schicht-Kristalle verbunden werden. Wenn Samsung im nächsten Jahr mit der Massenproduktion von 300-Layer-3D-NAND beginnen kann, wird das ein schmerzhafter Kick für die Konkurrenz sein Flash-Speicher-Industrie.
Source: 3dnews.ru