Seagate und Everspin tauschen Patente für MRAM-Speicher und Magnetköpfe aus

Laut offizieller Aussage von IBM hat das Unternehmen 1996 den magnetoresistiven MRAM-Speicher erfunden. Die Entwicklung erfolgte nach der Untersuchung von Dünnschichtstrukturen für Magnetplatten und Magnetköpfe von Festplatten. Der von den Ingenieuren des Unternehmens entdeckte Effekt magnetischer Tunnelübergänge führte zu der Idee, das Phänomen zur Organisation von Halbleiterspeicherzellen zu nutzen. Zunächst entwickelte IBM gemeinsam mit Motorola MRAM-Speicher. Anschließend wurden die Lizenzen an Micron, Toshiba, TDK, Infineon und viele andere Unternehmen verkauft. Warum dieser Ausflug in die Geschichte? Es stellte sich heraus, dass Seagate, einer der beiden verbliebenen Festplattenhersteller weltweit, über umfangreiche Patente auf MRAM-Produktionstechnologien verfügt.

Seagate und Everspin tauschen Patente für MRAM-Speicher und Magnetköpfe aus

Gestern Seagate berichtet, dass es eine umfassende gegenseitige Lizenzvereinbarung für die gemeinsame Nutzung und Lizenzierung von Patenten zwischen ihm und Everspin Technologies hat. Es wird behauptet, dass Seagate und Everspin jeweils Jahre in Forschung und Entwicklung investiert haben, die für beide Kontrahenten äußerst vorteilhaft sein werden. Damit übertrug Seagate Everspin die Rechte zur Nutzung seiner eigenen Entwicklungen im Bereich MRAM, und Everspin erlaubte Seagate, seine Technologien bei der Herstellung von Magnetköpfen auf Basis des Tunneling Magneto Resistance (TMR)-Effekts einzusetzen.

Im Wesentlichen haben Seagate und Everspin eine Patentbasis zusammengestellt, die ihnen dabei helfen kann, in ihren jeweiligen Bereichen voranzukommen. Die Lizenzen von Everspin werden Seagate dabei helfen, Magnetköpfe für Festplatten zu verbessern, und die Lizenzen von Seagate werden die Entwicklung und Produktion von MRAM durch Everspin nicht beeinträchtigen. Im August gerade Everspin starten Die Massenproduktion von 1-Gbit-STT-MRAM-Chips und mögliche Lizenzstreitigkeiten mit Seagate würden diesem noch wenig entwickelten Bereich der Halbleiterspeicherproduktion nur schaden.



Source: 3dnews.ru

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