Ende des Jahres wird der chinesische Hersteller ChangXin Memory mit der Produktion von 8-Gigabit LPDDR4-Chips beginnen.

Laut Quellen aus der Industrie in Taiwan, auf die sich verwiesen, die Online-Plattform DigiTimes bezieht, bereitet der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) mit Hochdruck die Produktionslinien für die Massenfertigung von LPDDR4-Speicher vor. ChangXin, auch bekannt als Innotron Memory, hat angeblich einen eigenen DRAM-Herstellungsprozess unter Verwendung von 19-nm-Technologien entwickelt.

Der kommerzielle Produktionsstart von Speicher in der ersten 300-mm-Fabrik von ChangXin sollte in der ersten Hälfte des Jahres 2019 erfolgen. Leider ist dies bislang nicht geschehen. Der Produktionsstart der 8-Gigabit DDR4 LPDDR4-Chips wird jedoch von einer Erweiterung der Kapazitäten auf 20.000 300-mm-Silizium-Wafer pro Monat begleitet. Die maximale Kapazität der Linien in der ChangXin-Anlage beträgt 125.000 300-mm-Wafer pro Monat. Doch das ist noch nicht das Ende. Das Unternehmen hat mitgeteilt, dass im nächsten Jahr mit dem Bau einer zweiten Fabrik zur Verarbeitung von 300-mm-Wafern mit Speicher begonnen wird.

Gleichzeitig könnte dieser chinesische Hersteller mit anderen Herausforderungen konfrontiert werden. Erinnern wir uns, das erste chinesische Unternehmen, das mit der Massenproduktion von DRAM-Speicher beginnen wollte – Fujian Jinhua – wurde auf die Sanktionsliste gesetzt von den USA, die den Erwerb von Produktionsanlagen bei amerikanischen Partnern untersagen. In Taiwan wird angenommen, dass ChangXin mit ähnlichen Problemen wie Fujian konfrontiert wird. Darüber hinaus hat das Unternehmen qualifizierte Ingenieure von der ehemaligen taiwanesischen Tochtergesellschaft des japanischen Unternehmens Elpida eingestellt, dessen Geschäft von dem amerikanischen Unternehmen Micron übernommen wurde. Analysten erwarten Klagen gegen ChangXin von Micron und Sanktionen, falls die chinesische Seite nicht reagiert.

Parallel dazu arbeitet ChangXin an der Entwicklung eines Herstellungsprozesses für Speicher mit Normen von 17 nm. Der Abschluss der Entwicklung wird für 2021 erwartet. Wahrscheinlich wird das zweite Werk von ChangXin mit der Produktion von DRAM-Granulaten nach diesen Normen beginnen. Es sei denn, die USA und die Machenschaften von Micron stellen unüberwindbare Hindernisse dar.

Quelle: 3dnews.ru