Ende des Jahres wird der chinesische Hersteller ChangXin Memory mit der Produktion von 8-Gbit-LPDDR4-Chips beginnen

Laut Branchenquellen in Taiwan, die bezieht sich Internetressource DigiTimes, der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) bereitet die Linien für die Massenproduktion von LPDDR4-Speicher auf Hochtouren vor. ChangXin, auch bekannt als Innotron Memory, soll einen eigenen DRAM-Produktionsprozess mit 19-nm-Technologie entwickelt haben.

Für die kommerzielle Produktion von Speicher in seinem ersten 300-mm-Unternehmen musste ChangXin dies tun anfangen im ersten Halbjahr 2019. Leider ist dies noch nicht geschehen. Mit dem Produktionsstart von 8-Gbit-DDR4-LPDDR4-Chips geht jedoch eine Kapazitätserweiterung auf 20 300-nm-Siliziumwafer pro Monat einher. Die maximale Kapazität der Linien im ChangXin-Unternehmen erreicht 125 300-mm-Wafer pro Monat. Aber auch das ist nicht die Grenze. Das Unternehmen kündigte an, im nächsten Jahr mit dem Bau einer zweiten Anlage zur Verarbeitung von 300-mm-Speicherwafern zu beginnen.

Gleichzeitig könnte dieser chinesische Hersteller mit Problemen anderer Art konfrontiert sein. Erinnern wir uns daran, dass Fujian Jinhua das erste chinesische Unternehmen war, das mit der Massenproduktion von DRAM-Speichern beginnen wollte. wurde in die Sanktionsliste aufgenommen USA mit einem Verbot, Produktionsausrüstung von amerikanischen Partnern zu kaufen. In Taiwan glaubt man, dass ChangXin mit den gleichen Problemen konfrontiert sein wird wie Fujian. Darüber hinaus rekrutierte das Unternehmen qualifizierte Ingenieure aus der ehemaligen taiwanesischen Tochtergesellschaft der japanischen Elpida, deren Geschäft von der amerikanischen Micron übernommen wurde. Analysten erwarten von Micron Klagen gegen ChangXin und Sanktionen, wenn die chinesische Seite nicht reagiert.

Parallel dazu entwickelt ChangXin ein technisches Verfahren zur Herstellung von Speicher mit 17-nm-Standards. Der Abschluss der Entwicklung wird für 2021 erwartet. Wahrscheinlich wird das zweite ChangXin-Werk mit der Produktion von DRAM-Kristallen mit diesen Standards beginnen. Es sei denn natürlich, dass die US-Sanktionen und Microns Machenschaften zu einem unüberwindlichen Hindernis auf ihrem Weg werden.

Source: 3dnews.ru