Leistungshalbleiter gehen noch einen Schritt weiter. Anstelle von Silizium wird Galliumnitrid (GaN) verwendet. GaN-Wechselrichter und Netzteile arbeiten mit einem Wirkungsgrad von bis zu 99 % und liefern den höchsten Wirkungsgrad für Energiesysteme, von Kraftwerken bis hin zu Stromspeicher- und -nutzungssystemen. Spitzenreiter des neuen Marktes sind Unternehmen aus den USA, Europa und Japan. Nun zu diesem Bereich das erste Unternehmen aus China.
Kürzlich hat der chinesische Gerätehersteller ROCK das erste Ladegerät herausgebracht, das Schnellladen auf einem „chinesischen Chip“ unterstützt. Die allgemein konventionelle Lösung basiert auf der GaN-Leistungsbaugruppe der InnoGaN-Serie von Inno Science. Der Chip ist im Standard-DFN-8x8-Formfaktor für kompakte Netzteile gefertigt.
Das 2-W-Ladegerät ROCK 1C65AGaN ist kompakter und funktionaler als das 61-W-PD-Ladegerät von Apple (Vergleich im Foto oben). Über zwei USB-Typ-C- und eine USB-Typ-A-Schnittstelle kann das chinesische Ladegerät drei Geräte gleichzeitig laden. Zukünftig plant ROCK die Veröffentlichung von Versionen von Schnellladegeräten mit einer Leistung von 100 und 120 W auf chinesischen GaN-Baugruppen. Darüber hinaus kooperieren etwa zehn weitere chinesische Hersteller von Ladegeräten und Netzteilen mit dem Hersteller von GaN-Leistungselementen, Inno Science.
Die Forschung chinesischer Unternehmen und insbesondere des Unternehmens Inno Science im Bereich GaN-Leistungskomponenten soll zur Unabhängigkeit Chinas von ausländischen Anbietern ähnlicher Lösungen führen. Inno Science verfügt über ein eigenes Entwicklungszentrum und Labor für einen vollständigen Zyklus von Testlösungen. Aber was noch wichtiger ist: Das Unternehmen verfügt über zwei Produktionslinien zur Herstellung von GaN-Lösungen auf 200-mm-Wafern. Für die Welt und sogar für den chinesischen Markt ist das ein Tropfen auf den heißen Stein. Aber man muss irgendwo anfangen.
Source: 3dnews.ru