Die US-Armee hat ihr erstes mobiles Radar mit Halbleitern aus Gallium-Nitrid erhalten
Der Wechsel von Silizium zu breiten Bandlücken-Halbleitern (Gallium-Nitrid, Siliziumkarbid und andere) ermöglicht es, die Betriebsfrequenzen erheblich zu erhöhen und die Effizienz von Lösungen zu steigern. Daher ist eine der vielversprechenden Anwendungsbereiche für breite Bandlücken-Chips und Transistoren die Kommunikation und Radartechnologie. Elektronik auf GaN-Basis bietet einen Leistungsschub und eine Erweiterung der Radarreichweite, von der sofort Gebrauch gemacht wurde […]
