{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/de\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Neue Angriffstechnik RowHammer auf DRAM-Speicher","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
Google hat die Technik \u201eHalf-Double\u201c vorgestellt, eine neue Angriffsmethode der RowHammer-Klasse, die es erm\u00f6glicht, den Inhalt einzelner Bits des dynamischen Arbeitsspeichers (DRAM) zu ver\u00e4ndern. Der Angriff kann auf einigen modernen DRAM-Chips reproduziert werden, deren Hersteller eine Verringerung der Geometrie der Speicherzellen erreicht haben. <\/p>\n
Wir erinnern daran, dass RowHammer-Angriffe es erm\u00f6glichen, den Inhalt einzelner Speicherbits durch zyklisches Lesen von Daten aus benachbarten Speicherzellen zu verzerren. Da DRAM-Speicher aus einem zweidimensionalen Array von Zellen besteht, von denen jede aus einem Kondensator und einem Transistor besteht, f\u00fchrt das kontinuierliche Lesen desselben Speicherbereichs zu Spannungsschwankungen und Anomalien, die zu einem geringf\u00fcgigen Verlust der Ladung benachbarter Zellen f\u00fchren. Wenn die Lesest\u00e4rke gro\u00df genug ist, kann die benachbarte Zelle so viel Ladung verlieren, dass der n\u00e4chste Regenerationszyklus nicht ausreicht, um ihren urspr\u00fcnglichen Zustand wiederherzustellen, was zu einer \u00c4nderung der in der Zelle gespeicherten Daten f\u00fchrt. <\/p>\n
Zum Schutz vor RowHammer haben die Chip-Hersteller den Mechanismus TRR (Target Row Refresh) implementiert, der vor Verzerrungen in benachbarten Zeilen sch\u00fctzt. Die Methode Half-Double erm\u00f6glicht es, diesen Schutz zu umgehen, indem sie manipulative Effekte ausnutzt, die \u00fcber benachbarte Zeilen hinausgehen und auch auf andere Speicherzeilen \u00fcbergreifen, wenn auch in geringerem Ma\u00dfe. Ingenieure von Google haben gezeigt, dass bei aufeinanderfolgendem Zugriff auf die Speicherzeilen \u201eA\u201c, \u201eB\u201c und \u201eC\u201c die Zeile \u201eC\u201c angegriffen werden kann, w\u00e4hrend die Zeile \u201eA\u201c intensiv genutzt wird und nur eine geringe Aktivit\u00e4t die Zeile \u201eB\u201c betrifft. Zugriffe auf die Zeile \u201eB\u201c w\u00e4hrend des Angriffs aktivieren eine nichtlineare Entladung von Ladungen und erm\u00f6glichen es, die Zeile \u201eB\u201c als Transportmittel zu verwenden, um den Rowhammer-Effekt von der Zeile \u201eA\u201c auf die Zeile \u201eC\u201c zu \u00fcbertragen.
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Im Gegensatz zum TRRespass-Angriff, der Schw\u00e4chen in verschiedenen Implementierungen des Mechanismus zur Verhinderung von Zellverzerrungen ausnutzt, basiert der Half-Double-Angriff auf den physikalischen Eigenschaften des Siliziumsubstrats. Half-Double zeigt, dass die wahrscheinlich verursachenden Rowhammer-Effekte eine Eigenschaft des Abstandes sind und nicht der direkten Anordnung der Zellen. Mit der Verringerung der Geometrie der Zellen in modernen Chips w\u00e4chst auch der Einflussradius der Verzerrungen. Es ist nicht ausgeschlossen, dass der Effekt \u00fcber zwei Zeilen hinaus beobachtet wird. <\/p>\n
Es wird berichtet, dass zusammen mit der JEDEC-Vereinigung mehrere Vorschl\u00e4ge zur Analyse m\u00f6glicher Wege zur Blockierung solcher Angriffe erarbeitet wurden. Die Informationen \u00fcber die Methode wurden ver\u00f6ffentlicht, da Google der Ansicht ist, dass die durchgef\u00fchrten Forschungen das Verst\u00e4ndnis des Rowhammer-Ph\u00e4nomens erheblich erweitern und die Bedeutung der Zusammenarbeit von Forschern, Chipherstellern und anderen Interessierten bei der Entwicklung einer umfassenden und langfristigen L\u00f6sung zum Schutz hervorheben. \n Quelle: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
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