{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/de\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Neue Angriffs-Technik RowHammer auf DRAM-Speicher.","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
Google hat die Technik \"Half-Double\" vorgestellt, eine neue Angriffsmethode der RowHammer-Klasse, die es erm\u00f6glicht, den Inhalt einzelner Bits des dynamischen Arbeitsspeichers (DRAM) zu ver\u00e4ndern. Der Angriff kann auf einigen modernen DRAM-Chips durchgef\u00fchrt werden, deren Hersteller die Geometrie der Zellen verringert haben. <\/p>\n
Erinnern wir uns daran, dass Angriffe der RowHammer-Klasse es erm\u00f6glichen, den Inhalt einzelner Bits im Speicher zu verzerren, indem Daten wiederholt aus benachbarten Speicherzellen ausgelesen werden. Da DRAM-Speicher als zweidimensionales Array aus Zellen besteht, wobei jede Zelle aus einem Kondensator und einem Transistor besteht, f\u00fchrt das kontinuierliche Auslesen eines bestimmten Speicherbereichs zu Spannungsschwankungen und Anomalien, die zu einem kleinen Verlust von Ladung in benachbarten Zellen f\u00fchren k\u00f6nnen. Ist die Ausleseintensit\u00e4t hoch genug, kann die benachbarte Zelle so viel Ladung verlieren, dass ein weiterer Regenerationszyklus nicht rechtzeitig ihr urspr\u00fcngliches Zustand wiederherstellen kann, was zu einer \u00c4nderung der in der Zelle gespeicherten Daten f\u00fchrt. <\/p>\n
Um sich gegen RowHammer zu sch\u00fctzen, haben die Chip-Hersteller den Mechanismus TRR (Target Row Refresh) implementiert, der Verzerrungen in benachbarten Zeilen verhindert. Die Half-Double-Methode erm\u00f6glicht es, diesen Schutz zu umgehen, indem sie manipuliert, dass Verzerrungen nicht auf benachbarte Zeilen beschr\u00e4nkt sind, sondern sich auch auf andere Zeilen des Speichers ausbreiten, wenn auch in geringerem Ma\u00dfe. Die Ingenieure von Google haben gezeigt, dass f\u00fcr aufeinanderfolgende Speicherzeilen \"A\", \"B\" und \"C\" die Zeile \"C\" angegriffen werden kann, wenn auf die Zeile \"A\" sehr intensiv zugegriffen wird und nur geringe Aktivit\u00e4ten auf die Zeile \"B\" stattfinden. Der Zugriff auf die Zeile \"B\" w\u00e4hrend des Angriffs aktiviert eine nichtlineare Ladungsleckage und erm\u00f6glicht es, die Zeile \"B\" als Transportmittel zu verwenden, um die Auswirkungen von Rowhammer von der Zeile \"A\" auf \"C\" zu \u00fcbertragen.
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Im Gegensatz zu dem TRRespass-Angriff, der Sicherheitsl\u00fccken in verschiedenen Implementierungen des Mechanismus zur Verhinderung von Zellverzerrungen ausnutzt, basiert der Half-Double-Angriff auf den physikalischen Eigenschaften des Siliziumsubstrats. Half-Double zeigt, dass die wahrscheinlich durch Rowhammer verursachten Effekte eine Funktion der Distanz und nicht der direkten N\u00e4he der Zellen sind. Bei der Verkleinerung der Zellgeometrien in modernen Chips nimmt auch der Einflussbereich der Verzerrungen zu. Es ist nicht ausgeschlossen, dass der Effekt auch \u00fcber mehr als zwei Zeilen hinweg beobachtet werden kann. <\/p>\n
Es wird berichtet, dass zusammen mit der JEDEC-Vereinigung mehrere Vorschl\u00e4ge zur Analyse m\u00f6glicher Wege zur Eind\u00e4mmung solcher Angriffe erarbeitet wurden. Die Informationen \u00fcber die Methode wurden \u00f6ffentlich gemacht, da Google der Meinung ist, dass die durchgef\u00fchrte Forschung das Verst\u00e4ndnis des Rowhammer-Ph\u00e4nomens erheblich erweitert und die Bedeutung der Zusammenarbeit von Forschern, Chip-Herstellern und anderen Interessierten bei der Entwicklung einer umfassenden und langfristigen Schutzl\u00f6sung unterstreicht. \n Quelle: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
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