{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/de\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nIn den vorherigen Teilen der Reihe 'Einf\u00fchrung in SSDs' haben wir die Geschichte der SSD-Speicher, die Schnittstellen zu ihnen und g\u00e4ngige Formfaktoren behandelt. Der vierte Teil wird sich mit der Datenspeicherung in diesen Speichern besch\u00e4ftigen.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>In den vorherigen Artikeln der Reihe:<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Die Geschichte von HDD und SSD<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">Entwicklung von Speicherschnittstellen<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Besonderheiten der Formfaktoren<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nDie Datenspeicherung in Solid-State-Laufwerken kann in zwei logische Teile unterteilt werden: die Speicherung von Informationen in einer Zelle und die Organisation der Speicherung von Zellen.<\/p>\n<p>Jede Zelle eines Solid-State-Laufwerks speichert <b>ein oder mehrere Bit Informationen<\/b>. F\u00fcr die Speicherung der Informationen werden verschiedene <b>physikalische Prozesse<\/b>. Bei der Entwicklung von Solid-State-Laufwerken wurden folgende physikalische Gr\u00f6\u00dfen zum Kodieren von Informationen untersucht:<\/p>\n<ul>\n<li><b>elektrische Ladungen<\/b> (einschlie\u00dflich Flash-Speicher);<\/li>\n<li><b>magnetische Momente<\/b> (magnetoresistiver Speicher);<\/li>\n<li><b>Phasen\u00e4nderungen<\/b> (Speicher mit Phasenwechsel).<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>Speicher auf Basis elektrischer Ladungen<\/h2>\n<p>\nDie Informationskodierung durch negative Ladung bildet die Grundlage f\u00fcr mehrere L\u00f6sungen:<\/p>\n<ul>\n<li>l\u00f6schenbarer ultravioletter EEPROM (EPROM);<\/li>\n<li>elektrisch l\u00f6schbarer Speicher (EEPROM);<\/li>\n<li>Flash-Speicher.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nJede Speichereinheit ist ein <b>Feldeffekttransistor mit einem schwebenden Gate<\/b>, in dem eine negative Ladung gespeichert wird. Der Unterschied zu einem normalen Feldeffekttransistor liegt in der Existenz des schwebenden Gates \u2014 eines Leiters in der Dielektrikerschicht.<\/p>\n<p>Wenn ein Spannungsunterschied zwischen Drain und Source erzeugt wird und am Gate eine positive Spannung anliegt, flie\u00dft Strom vom Source zum Drain. Bei einem ausreichend hohen Spannungsunterschied \u201edurchbrechen\u201c jedoch einige Elektronen die Dielektrikerschicht und gelangen ins schwebende Gate. Dieses Ph\u00e4nomen wird als <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">Tunnel-Effekt<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nBezeichnet. Das negativ geladene schwebende Gate erzeugt ein elektrisches Feld, das den Stromfluss vom Source zum Drain behindert. Dar\u00fcber hinaus erh\u00f6ht die Anwesenheit von Elektronen im schwebenden Gate die Schwellenspannung, bei der der Transistor \u00f6ffnet. Bei jedem \u201eSchreiben\u201c ins schwebende Gate des Transistors wird die Dielektrikerschicht minimal besch\u00e4digt, was die Anzahl der Schreibzyklen jeder Zelle begrenzt.<\/p>\n<blockquote><p>Feld-MOP-Transistoren mit schwimmendem Gate wurden 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze von Bell Labs entwickelt. Sp\u00e4ter, w\u00e4hrend der Untersuchung von Defekten in integrierten Schaltungen, wurde festgestellt, dass sich die Schwellen-Spannung, die den Transistor \u00f6ffnet, aufgrund der Ladung im schwimmenden Gate \u00e4nderte. Diese Entdeckung veranlasste Dov Frohman, mit der Entwicklung eines auf diesem Ph\u00e4nomen basierenden Speichers zu beginnen.<\/p><\/blockquote>\n<p>Die \u00c4nderung der Schwellen-Spannung erm\u00f6glicht es, Transistoren zu \"programmieren\". Transistoren mit einer Ladung im schwimmenden Gate \u00f6ffnen sich nicht, wenn am Gate eine Spannung angelegt wird, die h\u00f6her ist als die Schwellen-Spannung f\u00fcr Transistoren ohne Elektronen, aber niedriger als die Schwellen-Spannung f\u00fcr Transistoren mit Elektronen. Nennen wir diesen Wert <b>Lese-Spannung<\/b>.<\/p>\n<h3>l\u00f6schenprogrammierbarer Nur-Lese-Speicher<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\n1971 entwickelte der Intel-Mitarbeiter Dov Frohman einen wiederbeschreibbaren Speicher auf Transistorbasis, der als <b>l\u00f6schenprogrammierbarer Nur-Lese-Speicher (EPROM) bezeichnet wurde.<\/b>. Der Speicher wurde mit Hilfe eines speziellen Ger\u00e4ts \u2014 eines Programmierger\u00e4ts \u2014 beschrieben. Der Programmierer liefert eine h\u00f6here Spannung an den Chip als sie in digitalen Schaltungen verwendet wird, und \u201eschreibt\u201c damit Elektronen in die Floating Gates der Transistoren, wo es n\u00f6tig ist.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nIn der EPROM-Speichertechnologie war keine elektrische L\u00f6schung der Floating Gates der Transistoren vorgesehen. Stattdessen sollte auf die Transistoren mit starkem ultraviolettem Licht eingewirkt werden, dessen Photonen den Elektronen die notwendige Energie verleihen, um das Floating Gate zu verlassen. Um das UV-Licht tief im Chip zug\u00e4nglich zu machen, wurde Quarzglas in das Geh\u00e4use eingef\u00fcgt.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Im Februar 1971 stellte Froman erstmals seinen EPROM-Prototyp auf einer Konferenz f\u00fcr Festk\u00f6rperbauelemente in Philadelphia vor. Gordon Moore erinnerte sich an die Demonstration: \u201eDov zeigte ein Bitmuster in den EPROM-Speicherzellen. Als die Zellen mit ultraviolettem Licht bestrahlt wurden, verschwanden die Bits nacheinander, bis das unbekannte Intel-Logo vollst\u00e4ndig gel\u00f6scht war. \u2026 Die Bits gingen verloren, und als das letzte verschwunden war, brach das gesamte Publikum in Applaus aus. Dovs Artikel wurde als der beste auf der Konferenz anerkannt.\u201c<i> \u2014 Artikel\u00fcbersetzung <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>Die EPROM-Technologie war teurer als die zuvor verwendeten 'einmal' programmierbaren Speicher (PROM), jedoch erm\u00f6glicht die Wiederbeschreibbarkeit eine schnellere Fehlersuche und verk\u00fcrzt die Entwicklungszeit neuer Hardware.<\/p>\n<p>Das Programmieren von PROMs mit ultraviolettem Licht war ein bedeutender Durchbruch, jedoch schwebte die Idee einer elektrischen Neuprogrammierung bereits in der Luft.<\/p>\n<h3>elektrisch l\u00f6schbare programmierbare Nur-Lese-Speicher<\/h3>\n<p>\nIm Jahr 1972 pr\u00e4sentierten drei Japaner: Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi und Kiyoko Nagai das erste elektrisch l\u00f6schbare, programmierbare Speicherger\u00e4t (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM oder E2PROM). Sp\u00e4ter werden ihre wissenschaftlichen Forschungen Teil von Patenten f\u00fcr kommerzielle Implementierungen von EEPROM-Speicher.<\/p>\n<p>Jede Zelle des EEPROM-Speichers besteht aus mehreren Transistoren:<\/p>\n<ul>\n<li>ein Transistor mit schwimmendem Gate zur Speicherung eines Bits;<\/li>\n<li>ein Transistor zur Steuerung des Lese- und Schreibmodus.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nDiese Konstruktion erschwert die Verdrahtung des elektrischen Schaltkreises erheblich, weshalb EEPROM-Speicher in F\u00e4llen verwendet wurde, in denen ein geringer Speicherplatz nicht kritisch war. F\u00fcr die Speicherung gro\u00dfer Datenmengen wurde nach wie vor EPROM verwendet.<\/p>\n<h3>Flash-Speicher<\/h3>\n<p>\nDer Flash-Speicher, der die besten Eigenschaften von EPROM und EEPROM vereint, wurde 1980 von dem japanischen Professor Fujio Masuoka, einem Ingenieur bei Toshiba, entwickelt. Die erste Entwicklung erhielt den Namen NOR-Flash-Speicher und basiert, wie ihre Vorg\u00e4nger, auf Feldeffekttransistoren mit schwimmendem Gate.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nNOR-Flash-Speicher ist ein zweidimensionales Array von Transistoren. Die Transistor-Gates sind mit der Wortleitung verbunden, w\u00e4hrend die Drain-Anschl\u00fcsse mit der Bitleitung verbunden sind. Wenn Spannung an die Wortleitung angelegt wird, bleiben die Transistoren, die Elektronen enthalten, also die '1' speichern, geschlossen und der Strom flie\u00dft nicht. Anhand des Vorhandenseins oder Fehlens von Strom auf der Bitleitung wird der Wert des Bits bestimmt.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nSieben Jahre sp\u00e4ter entwickelte Fujio Masuoka den NAND-Flash-Speicher. Diese Art von Speicher unterscheidet sich in der Anzahl der Transistoren auf der Bitleitung. Bei NOR-Speicher ist jeder Transistor direkt mit der Bitleitung verbunden, w\u00e4hrend bei NAND-Speicher die Transistoren in Reihe geschaltet sind.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nDas Lesen aus einem Speicher dieser Konfiguration ist komplizierter: An die ben\u00f6tigte Wortleitung wird die zum Lesen erforderliche Spannung angelegt, w\u00e4hrend an alle anderen Wortleitungen eine Spannung angelegt wird, die den Transistor unabh\u00e4ngig vom Ladezustand \u00f6ffnet. Da alle anderen Transistoren garantiert ge\u00f6ffnet sind, h\u00e4ngt das Vorhandensein von Spannung auf der Bitleitung nur von einem Transistor ab, an den die Lesespannung angelegt wurde.<\/p>\n<p>Die Erfindung von NAND-Flash-Speicher erm\u00f6glicht eine erhebliche Verdichtung der Schaltung, indem mehr Speicher bei den gleichen Abmessungen untergebracht wird. Bis 2007 wurde das Speichervolumen durch Verkleinerung des Herstellungsprozesses des Chips erh\u00f6ht.<\/p>\n<p>Im Jahr 2007 stellte Toshiba eine neue Version des NAND-Speichers vor: <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, auch bekannt als <b>3D NAND<\/b>. Bei dieser Technologie liegt der Schwerpunkt auf der Anordnung von Transistoren in mehreren Lagen, was erneut eine Verdichtung der Schaltung und eine Erh\u00f6hung des Speichervolumens erm\u00f6glicht. Allerdings kann die Verdichtung der Schaltung nicht unendlich wiederholt werden, daher wurden andere Methoden zur Erh\u00f6hung des gespeicherten Volumens erforscht.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nAnfangs speicherte jeder Transistor zwei Ladeebenen: Null und Eins. Dieser Ansatz wird als <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>bezeichnet. Speicher mit dieser Technologie zeichnen sich durch hohe Zuverl\u00e4ssigkeit und maximale Anzahl an Schreibzyklen aus.<\/p>\n<p>Im Laufe der Zeit wurde beschlossen, das Speichervolumen auf Kosten der Verschlei\u00dffestigkeit zu erh\u00f6hen. So stieg die Anzahl der Ladeebenen in einer Zelle auf vier, und die Technologie wurde als <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>bezeichnet. Daraufhin erschienen <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> und <b>und<\/b>Quad-Level Cell (QLC) <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> mit f\u00fcnf Bits in einer Zelle. Je mehr Bits in einer Zelle untergebracht werden, desto gr\u00f6\u00dfer ist die Speicherkapazit\u00e4t zum gleichen Preis, jedoch leidet die Verschlei\u00dffestigkeit.<\/p>\n<p>Die Verdichtung von Schaltungen durch Verkleinerung der Fertigungsprozesse und Erh\u00f6hung der Bitanzahl in einem Transistor wirkt sich negativ auf die gespeicherten Daten aus. Obwohl in EPROM und EEPROM dieselben Transistoren verwendet werden, k\u00f6nnen EPROM und EEPROM Daten ohne Stromversorgung bis zu zehn Jahre lang speichern, w\u00e4hrend moderne Flash-Speicher bereits nach einem Jahr alles 'vergessen' k\u00f6nnen.<\/p>\n<blockquote><p>Die Verwendung von Flash-Speicher in der Raumfahrtindustrie ist problematisch, da Strahlung sch\u00e4dliche Auswirkungen auf die Elektronen in den schwebenden Toren hat.<\/p><\/blockquote>\n<p>Diese Probleme hindern Flash-Speicher daran, der unumstrittene Marktf\u00fchrer im Bereich der Datenspeicherung zu werden. Trotz der weitverbreiteten Verwendung von Flash-Speicherlaufwerken werden Forschungen zu anderen Speichermedien durchgef\u00fchrt, die diese M\u00e4ngel nicht aufweisen, darunter die Speicherung von Informationen durch magnetische Momente und Phasen\u00e4nderungen.<\/p>\n<h2>Magnetoresistiver Speicher<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nDie Codierung von Informationen mit magnetischen Momenten wurde 1955 in Form von Magnetkernspeicher eingef\u00fchrt. Bis Mitte der 1970er Jahre war Ferritspeicher der vorherrschende Speichertyp. Das Auslesen eines Bits aus diesem Speichertyp f\u00fchrte zur Entmagnetisierung des Rings und zum Informationsverlust. Nach dem Auslesen musste das Bit daher wieder gespeichert werden.<\/p>\n<p>In modernen Entwicklungen der magnetoresistiven Speichertechnologie werden anstelle von Ringen zwei Schichten aus Ferromagneten verwendet, die durch ein Dielektrikum getrennt sind. Eine Schicht fungiert als Permanentmagnet, w\u00e4hrend die andere die Magnetisierungsrichtung \u00e4ndert. Das Auslesen eines Bits aus einer solchen Zelle reduziert sich auf die Messung des Widerstands bei Durchfluss von Strom: Wenn die Schichten in entgegengesetzte Richtungen magnetisiert sind, ist der Widerstand gr\u00f6\u00dfer, was dem Wert \"1\" entspricht.<\/p>\n<p>Ferritspeicher ben\u00f6tigt keine st\u00e4ndige Stromversorgung zur Aufrechterhaltung der gespeicherten Informationen. Allerdings kann das Magnetfeld der Zelle auf den \"Nachbarn\" Einfluss nehmen, was eine Einschr\u00e4nkung der Verdichtung der Schaltung zur Folge hat.<\/p>\n<blockquote><p>Laut <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> SSD-Laufwerke auf Flash-Basis sollten mindestens drei Monate bei einer Umgebungstemperatur von 40 \u00b0C Informationen speichern. Entwickelt von Intel, <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">ein Chip auf Basis von magnetoresistiver Speicher,<\/a><\/noindex> verspricht Daten zehn Jahre lang bei einer Temperatur von 200 \u00b0C zu sichern.<\/p><\/blockquote>\n<p>Trotz der Komplexit\u00e4t der Entwicklung degradiert magnetoresistiver Speicher w\u00e4hrend der Nutzung nicht und bietet die beste Leistung unter den verschiedenen Speichermedien, was diesen Speichertyp nicht abschreibt.<\/p>\n<h2>Phasen\u00e4nderungsspeicher<\/h2>\n<p>\nDie dritte vielversprechende Art von Speicher ist der Phasenwechsel-Speicher. Diese Art von Speicher nutzt die Eigenschaften von Chalcogeniden, um beim Erhitzen zwischen kristallinen und amorphen Zust\u00e4nden umzuschalten.<\/p>\n<blockquote><p><b>Chalcogenide<\/b> sind bin\u00e4re Verbindungen von Metallen mit der 16. Gruppe (6. Hauptgruppe) im Periodensystem. Zum Beispiel kommen Tellurid von Germanium (GeTe) und Tellurid von Antimon (III) (Sb2Te3) in CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM und Blu-ray-Discs zum Einsatz.<\/p><\/blockquote>\n<p>Forschungen zur Anwendung von Phasenwechseln zur Datenspeicherung wurden in den <b>1960er Jahren<\/b> Die Technologie wurde von Stanford Ovshinsky ins Leben gerufen, jedoch kam es damals nicht zur kommerziellen Umsetzung. In den 2000er Jahren erwachte das Interesse an der Technologie erneut, wobei Samsung eine Technik patentierte, die das Umschalten eines Bits in 5 ns erm\u00f6glichte, w\u00e4hrend Intel und STMicroelectronics die Anzahl der Zust\u00e4nde auf vier erh\u00f6hten, wodurch sich das m\u00f6gliche Volumen verdoppelte.<\/p>\n<p>Bei Temperaturen \u00fcber dem Schmelzpunkt verliert der Chalcogenid seine kristalline Struktur und wandelt sich beim Abk\u00fchlen in eine amorphe Form um, die durch einen hohen elektrischen Widerstand gekennzeichnet ist. Wenn es hingegen auf Temperaturen \u00fcber dem Kristallisationspunkt, aber unter dem Schmelzpunkt erhitzt wird, kehrt der Chalcogenid in einen kristallinen Zustand mit niedrigem Widerstand zur\u00fcck.<\/p>\n<p>Phase-Change-Speicher ben\u00f6tigt \u00fcber die Zeit keine 'Aufladung' und ist zudem unempfindlich gegen\u00fcber Strahlung, im Gegensatz zu speicherbasierten auf elektrischen Ladungen. Diese Art von Speicher kann Informationen bei 85 \u00b0C bis zu 300 Jahre lang speichern.<\/p>\n<p>Es wird angenommen, dass die Entwicklung von Intel, die Technologie <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> nutzt tats\u00e4chlich Phasen\u00fcberg\u00e4nge zur Speicherung von Informationen. 3D XPoint wird in den Intel&reg; Optane&trade; Speichern verwendet, die eine hohe Verschlei\u00dffestigkeit aufweisen.<\/p>\n<h2>Fazit<\/h2>\n<p>\nDas physische Design von Solid-State-Laufwerken hat im Laufe von \u00fcber einem halben Jahrhundert viele Ver\u00e4nderungen durchgemacht, wobei jede L\u00f6sung ihre eigenen Nachteile hat. Trotz der unbestreitbaren Popularit\u00e4t von Flash-Speicher arbeiten mehrere Unternehmen, darunter Samsung und Intel, an der Entwicklung von Speicherl\u00f6sungen, die auf magnetischen Momenten basieren.<\/p>\n<p>Die Reduzierung des Zellverschlei\u00dfes, deren Verdichtung und die Erh\u00f6hung der Gesamtkapazit\u00e4t des Speichers sind derzeit vielversprechende Richtungen f\u00fcr die Weiterentwicklung von Solid-State-Laufwerken.<\/p>\n<blockquote><p>Testen Sie jetzt die neuesten NAND- und 3D XPoint-Laufwerke in unserem <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>Wie sch\u00e4tzen Sie ein, werden Technologien zur Datenspeicherung auf elektrischen Ladungen durch andere ersetzt, etwa durch Quarzplatten oder optischen Speicher auf Nanokristallen aus Salz?<br \/>\n<br \/>Quelle: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c 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