{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/de\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nFr\u00fchere Teile der Reihe \u201eEinf\u00fchrung in SSD\u201c haben dem Leser die Geschichte der SSD-Laufwerke, die Schnittstellen zur Interaktion mit ihnen und die g\u00e4ngigen Formfaktoren n\u00e4hergebracht. Der vierte Teil behandelt die Datenspeicherung innerhalb der Laufwerke.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>In den vorherigen Artikeln der Reihe:<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Die Geschichte der HDD und SSD<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">Das Aufkommen von Speicherinterfaces<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Besonderheiten der Formfaktoren<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nDie Datenspeicherung in Flash-Speicher kann in zwei logische Teile unterteilt werden: die Speicherung von Informationen in einer Zelle und die Organisation der Speicherung von Zellen.<\/p>\n<p>Jede Zelle eines Flash-Speichers speichert <b>ein oder mehrere Bit Informationen<\/b>. Zur Speicherung von Informationen werden verschiedene <b>physikalische Prozesse<\/b>. Bei der Entwicklung von Flash-Speichern wurden folgende physikalischen Gr\u00f6\u00dfen zur Kodierung von Informationen betrachtet:<\/p>\n<ul>\n<li><b>elektrische Ladungen<\/b> (einschlie\u00dflich Flash-Speicher);<\/li>\n<li><b>magnetische Momente<\/b> (magnetoresistiver Speicher);<\/li>\n<li><b>phasenabh\u00e4ngige Zust\u00e4nde<\/b> (Speicher mit Phasenwechsel).<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>Speicher, der auf elektrischen Ladungen basiert,<\/h2>\n<p>\nDie Kodierung von Informationen durch negative Ladungen liegt mehreren L\u00f6sungen zugrunde:<\/p>\n<ul>\n<li>UV-l\u00f6schbare ROMs (EPROM);<\/li>\n<li>elektrisch l\u00f6schbare ROMs (EEPROM);<\/li>\n<li>Flash-Speicher.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nJede Speichereinheit ist ein <b>MOSFET mit Floating Gate<\/b>, in dem eine negative Ladung gespeichert wird. Der Unterschied zu einem normalen MOSFET liegt in der Existenz eines Floating Gates \u2014 einem Leiter in der Dielektrikschicht.<\/p>\n<p>Bei der Erzeugung eines Potenzialunterschieds zwischen Drain und Source und wenn ein positives Potenzial am Gate vorhanden ist, flie\u00dft Strom von Source zu Drain. Bei ausreichend gro\u00dfem Potenzialunterschied \u201ebrechen\u201c jedoch einige Elektronen die Dielektrikschicht und gelangen ins Floating Gate. Dieses Ph\u00e4nomen wird als <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">Tunneleffekt<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nDer negativ geladene Floating Gate erzeugt ein elektrisches Feld, das den Stromfluss vom Source zum Drain behindert. Dar\u00fcber hinaus erh\u00f6ht das Vorhandensein von Elektronen im Floating Gate die Schwellenspannung, bei der der Transistor aktiviert wird. Bei jeder \u201eSchreibung\u201c ins Floating Gate des Transistors wird die Dielektrikschicht leicht besch\u00e4digt, was die Anzahl der m\u00f6glichen Schreibzyklen jeder Zelle begrenzt.<\/p>\n<blockquote><p>Die Floating-Gate-MOS-Transistoren wurden 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze von den Bell Labs entwickelt. Bei sp\u00e4teren Untersuchungen von Defekten in integrierten Schaltkreisen wurde festgestellt, dass sich die Schwellenspannung, die den Transistor \u00f6ffnet, aufgrund der Ladung im Floating Gate ver\u00e4ndert hat. Diese Entdeckung veranlasste Dov Frohman, mit der Arbeit an einem auf diesem Ph\u00e4nomen basierenden Speicher zu beginnen.<\/p><\/blockquote>\n<p>Die \u00c4nderung der Schwellenspannung erm\u00f6glicht es, Transistoren zu \"programmieren\". Transistoren mit einer Ladung im Floating Gate \u00f6ffnen sich nicht, wenn eine Spannung angelegt wird, die h\u00f6her ist als die Schwellenspannung f\u00fcr den Transistor ohne Elektronen, aber niedriger als die Schwellenspannung f\u00fcr den Transistor mit Elektronen. Nennen wir diesen Wert <b>Lesespannung<\/b>.<\/p>\n<h3>l\u00f6schen programmierbare nur lesbare Speicher<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nIm Jahr 1971 entwickelte Dov Frohman, ein Mitarbeiter von Intel, einen wiederbeschreibbaren Speicher auf Basis von Transistoren, der <b>l\u00f6schen programmierbare nur lesbare Speicher (EPROM)<\/b>. Das Schreiben in den Speicher erfolgte \u00fcber ein spezielles Ger\u00e4t \u2013 einen Programmierer. Der Programmierer legt auf den Chip eine h\u00f6here Spannung an als in digitalen Schaltungen verwendet wird, wodurch Elektronen in die Floating Gates der Transistoren<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\ngeschrieben werden, wo dies erforderlich ist. Bei der EPROM-Speicherstruktur war nicht vorgesehen, die Floating Gates der Transistoren elektrisch zu l\u00f6schen. Stattdessen wurde vorgeschlagen, die Transistoren mit intensivem UV-Licht zu bestrahlen, dessen Photonen den Elektronen die Energie verleihen, die sie ben\u00f6tigen, um das Floating Gate zu verlassen. Um den Zugang des UV-Lichts in das Innere des Chips zu erm\u00f6glichen, wurde ein Quarzglasgeh\u00e4use hinzugef\u00fcgt.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Frohman stellte seinen EPROM-Prototyp erstmals im Februar 1971 auf einer Konferenz zu Festk\u00f6rper-Mikrochips in Philadelphia vor. Gordon Moore erinnerte sich an die Demonstration: \u201eDov zeigte ein Bitmuster in den EPROM-Speicherzellen. Als die Zellen mit UV-Licht bestrahlt wurden, verschwanden die Bits nacheinander, bis das vertraute Intel-Logo ganz ausgel\u00f6scht war. ... Die Bits verschwanden, und als das letzte verschwand, brach das gesamte Publikum in Beifall aus. Dovs Artikel wurde als der beste der Konferenz anerkannt.\"<i> - \u00dcbersetzung des Artikels <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>EPROM-Speicher ist teurer als die zuvor verwendeten \"einmaligen\" Festspeicherger\u00e4te (ROM), jedoch erm\u00f6glicht die Wiederbeschreibbarkeit eine schnellere Debugging der Schaltungen und verk\u00fcrzt die Entwicklungszeit neuer Hardware.<\/p>\n<p>Die Wiederbeschreibbarkeit von ROM mit ultraviolettem Licht war ein bedeutender Durchbruch, jedoch schwebte die Idee der elektrischen Wiederbeschreibbarkeit bereits in der Luft.<\/p>\n<h3>Elektrisch L\u00f6schbare Programmierbare Nur-Lese-Speicher (EEPROM)<\/h3>\n<p>\nIm Jahr 1972 pr\u00e4sentierten drei Japaner: Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi und Kiyoko Nagai den ersten elektrisch l\u00f6schbaren permanenten Speicher (Elektrisch L\u00f6schbare Programmierbare Nur-Lese-Speicher, EEPROM oder E2PROM). Sp\u00e4ter werden ihre wissenschaftlichen Arbeiten Teil der Patente f\u00fcr die kommerziellen Realisierungen von EEPROM-Speichern.<\/p>\n<p>Jede Zelle des EEPROM-Speichers besteht aus mehreren Transistoren:<\/p>\n<ul>\n<li>ein Transistor mit schwimmendem Gate zur Speicherung eines Bits;<\/li>\n<li>ein Transistor zur Steuerung des Lese-\/Schreibmodus.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nDiese Konstruktion kompliziert die Verdrahtung der elektrischen Schaltung erheblich, weshalb EEPROM-Speicher in F\u00e4llen verwendet wurde, in denen ein kleiner Speicher nicht kritisch war. F\u00fcr die Speicherung gro\u00dfer Datenmengen wurde nach wie vor EPROM verwendet.<\/p>\n<h3>Flash-Speicher<\/h3>\n<p>\nDer Flash-Speicher, der die besten Eigenschaften von EPROM und EEPROM vereint, wurde 1980 von dem japanischen Professor Fujio Masuoka, einem Ingenieur der Firma Toshiba, entwickelt. Die erste Entwicklung wurde als NOR-Flash-Speicher bezeichnet und basiert, wie ihre Vorg\u00e4nger, auf MOSFETs mit schwimmendem Gate.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nDer NOR-Flash-Speicher ist ein zweidimensionales Array von Transistoren. Die Gates der Transistoren sind mit der Wortlinie verbunden, w\u00e4hrend die Drain-Anschl\u00fcsse mit der Bitlinie verbunden sind. Beim Anlegen einer Spannung an die Wortlinie \u00f6ffnen sich die Transistoren, die Elektronen enthalten, also die \"1\" speichern, nicht und der Strom flie\u00dft nicht. Aufgrund des Vorhandenseins oder Fehlens von Strom auf der Bitlinie wird der Bitwert bestimmt.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nNach sieben Jahren entwickelte Fujio Masuoka den NAND-Flash-Speicher. Diese Speicherart unterscheidet sich durch die Anzahl der Transistoren pro Bitlinie. Bei NOR-Speicher ist jeder Transistor direkt mit der Bitlinie verbunden, w\u00e4hrend bei NAND-Speicher die Transistoren in Reihe geschaltet sind.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nDas Lesen aus dem Speicher einer solchen Konfiguration gestaltet sich schwieriger: An die notwendige Wortlinie wird die Spannung angelegt, die zum Lesen erforderlich ist, w\u00e4hrend an alle anderen Wortlinien eine Spannung angelegt wird, die den Transistor unabh\u00e4ngig vom Ladezustand \u00f6ffnet. Da alle anderen Transistoren garantiert ge\u00f6ffnet sind, h\u00e4ngt das Vorhandensein einer Spannung an der Bitlinie nur von einem Transistor ab, an den die Lesespannung angelegt wird.<\/p>\n<p>Die Erfindung des NAND-Flashspeichers erm\u00f6glicht eine signifikante Verdichtung der Schaltung, wodurch ein gr\u00f6\u00dferer Speicher bei gleichbleibenden Abmessungen untergebracht werden kann. Bis 2007 wurde das Speichervolumen durch die Verringerung des Produktionsprozesses des Chips erh\u00f6ht.<\/p>\n<p>Im Jahr 2007 stellte Toshiba eine neue Version des NAND-Speichers vor: <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, auch bekannt als <b>3D NAND<\/b>. Bei dieser Technologie wird der Schwerpunkt auf die Anordnung der Transistoren in mehreren Schichten gelegt, was erneut eine Verdichtung der Schaltung erm\u00f6glicht und das Speichervolumen erh\u00f6ht. Dennoch kann die Verdichtung der Schaltung nicht unbegrenzt wiederholt werden, weshalb andere Methoden zur Steigerung des gespeicherten Speichervolumens untersucht wurden.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nUrspr\u00fcnglich speicherte jeder Transistor zwei Ladeebenen: logische Null und logische Eins. Dieser Ansatz wird als <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>bezeichnet. Speicher mit dieser Technologie zeichnen sich durch hohe Zuverl\u00e4ssigkeit und maximale Anzahl an Schreibzyklen aus.<\/p>\n<p>Im Laufe der Zeit wurde beschlossen, das Volumen der Speicher zu erh\u00f6hen, allerdings auf Kosten der Verschlei\u00dffestigkeit. So wurde die Anzahl der Ladeebenen in einer Zelle auf vier erh\u00f6ht, und die Technologie wurde als <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>bezeichnet. Darauf folgten <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> und <b>Quad-Level Cell (QLC)<\/b>. In Zukunft wird eine neue Ebene hinzukommen \u2014 <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> , mit f\u00fcnf Bits in einer Zelle. Je mehr Bits in einer Zelle untergebracht werden, desto gr\u00f6\u00dfer ist das Volumen des Speichers bei gleichbleibenden Kosten, jedoch ist die Verschlei\u00dffestigkeit geringer.<\/p>\n<p>Die Verdichtung der Schaltung durch Verringerung des Technologieprozesses und Erh\u00f6hung der Anzahl der Bits in einem Transistor hat negative Auswirkungen auf die gespeicherten Daten. Obwohl in EPROM und EEPROM die gleichen Transistoren verwendet werden, k\u00f6nnen EPROM und EEPROM Daten ohne Stromversorgung zehn Jahre lang speichern, w\u00e4hrend moderner Flash-Speicher alles bereits nach einem Jahr \"vergessen\" kann.<\/p>\n<blockquote><p>Die Verwendung von Flash-Speicher in der Raumfahrtindustrie ist problematisch, da Strahlung einen sch\u00e4dlichen Einfluss auf die Elektronen in den floating Gates aus\u00fcbt.<\/p><\/blockquote>\n<p>Die genannten Probleme hindern Flash-Speicher daran, unumschr\u00e4nkt f\u00fchrend im Bereich der Informationsspeicherung zu werden. Obwohl Flash-basierte Speicher weit verbreitet sind, wird an anderen Speichervarianten geforscht, die diese Nachteile nicht haben, darunter die Speicherung von Informationen in magnetischen Momenten und Phasen\u00e4nderungen.<\/p>\n<h2>Magnetoresistiver Speicher<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Einf\u00fchrung in SSD. Teil 4. Physikalisch\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nDie Codierung von Informationen mit magnetischen Momenten entstand 1955 in Form von Speicher auf Magnetkernen. Bis zur Mitte der 1970er Jahre war Ferritspeicher die Hauptspeicherart. Das Lesen eines Bits aus einem solchen Speicher f\u00fchrte zu einer Entmagnetisierung des Rings und einem Verlust von Informationen. Daher musste das Bit nach dem Lesen zur\u00fcckgeschrieben werden.<\/p>\n<p>In modernen Entwicklungen des magnetoresistiven Speichers werden anstelle von Ringen zwei Schichten von Ferromagneten verwendet, die durch ein Dielektrikum getrennt sind. Eine Schicht ist ein permanenter Magnet, w\u00e4hrend die andere die Magnetisierungsrichtung wechselt. Das Lesen eines Bits aus einer solchen Zelle reduziert sich auf das Messen des Widerstands bei Durchleitung von Strom: Wenn die Schichten in entgegengesetzte Richtungen magnetisiert sind, ist der Widerstand h\u00f6her, was dem Wert \u201e1\u201c entspricht.<\/p>\n<p>Ferritspeicher ben\u00f6tigt keine dauerhafte Stromquelle, um die gespeicherte Information aufrechtzuerhalten, jedoch kann das Magnetfeld einer Zelle auf den \u201eNachbarn\u201c einwirken, was die Verdichtung der Schaltung einschr\u00e4nkt.<\/p>\n<blockquote><p>Laut <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> Flash-basierte SSDs m\u00fcssen ohne Strom Informationen mindestens drei Monate bei einer Umgebungstemperatur von 40 \u00b0C speichern. Der von Intel entwickelte <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">Chip auf Magnetoresistiver Speicherbasis<\/a><\/noindex> verspricht, Daten zehn Jahre lang bei 200 \u00b0C zu erhalten.<\/p><\/blockquote>\n<p>Trotz der Komplexit\u00e4t der Entwicklung degradiert magnetoresistiver Speicher w\u00e4hrend des Gebrauchs nicht und bietet die beste Leistung unter den verschiedenen Arten von Speicher, was es erm\u00f6glicht, diese Speicherart nicht abzuschreiben.<\/p>\n<h2>Speicher mit Phasenumschaltung<\/h2>\n<p>\nEine weitere vielversprechende Speicherart ist der Phasen\u00fcbergangsspeicher. Dieser Speichertyp nutzt die Eigenschaften von Chalkogeniden, um zwischen kristallinen und amorphen Zust\u00e4nden bei Erhitzung umzuschalten.<\/p>\n<blockquote><p><b>Chalkogenide<\/b> \u2014 Bin\u00e4rverbindungen von Metallen mit der 16. Gruppe (6. Gruppe der Hauptgruppe) des Periodensystems von Mendelejew. Zum Beispiel werden in CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM und Blu-ray-Discs Telluride von Germanium (GeTe) und Tellurid von Antimon (III) (Sb2Te3) verwendet.<\/p><\/blockquote>\n<p>Forschungen zur Anwendung von Phasen\u00fcberg\u00e4ngen zur Informationsspeicherung wurden in <b>den 1960er Jahren<\/b> von Stanford Ovshinsky durchgef\u00fchrt, aber es kam damals nicht zur kommerziellen Umsetzung. In den 2000er Jahren kam das Interesse an der Technologie erneut auf, Samsung patentierte eine Technologie, die ein Umschalten von Bits in 5 ns erm\u00f6glicht, w\u00e4hrend Intel und STMicroelectronics die Anzahl der Zust\u00e4nde auf vier erh\u00f6hten, wodurch das m\u00f6gliche Volumen verdoppelt wurde.<\/p>\n<p>Bei Temperaturen \u00fcber dem Schmelzpunkt verliert der Chalcogenid seine kristalline Struktur und verwandelt sich beim Abk\u00fchlen in eine amorphe Form, die durch einen hohen elektrischen Widerstand gekennzeichnet ist. Umgekehrt kehrt der Chalcogenid bei Temperaturerh\u00f6hung \u00fcber dem Kristallisationstemperatur, aber unter dem Schmelzpunkt in den kristallinen Zustand mit niedrigem Widerstand zur\u00fcck.<\/p>\n<p>Der Phasen\u00fcbergangs-Speicher ben\u00f6tigt im Gegensatz zu elektrisch geladenem Speicher keine \"Nachladung\" \u00fcber die Zeit und ist auch nicht empfindlich gegen\u00fcber Strahlung. Dieser Speichertyp kann Informationen 300 Jahre lang bei 85\u00b0C speichern.<\/p>\n<p>Es wird angenommen, dass die Entwicklung von Intel, die Technologie <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> verwendet genau Phasen\u00fcberg\u00e4nge zur Informationsspeicherung. 3D XPoint wird in den Intel\u00ae Optane\u2122 Memory-Laufwerken eingesetzt, die eine hohe Verschlei\u00dffestigkeit versprechen.<\/p>\n<h2>Fazit<\/h2>\n<p>\nDas physische Ger\u00e4t von Solid-State-Laufwerken hat im Laufe von mehr als einem halben Jahrhundert viele Ver\u00e4nderungen durchgemacht, jedoch hat jede L\u00f6sung ihre eigenen Nachteile. Trotz der unbestreitbaren Beliebtheit von Flash-Speicher arbeiten mehrere Unternehmen, darunter Samsung und Intel, an der M\u00f6glichkeit der Schaffung von Speicher auf Basis magnetischer Momente.<\/p>\n<p>Die Reduktion der Abnutzung von Zellen, deren Verdichtung und die Erh\u00f6hung der gesamten Kapazit\u00e4t des Speichers sind die Bereiche, die derzeit vielversprechend f\u00fcr die weitere Entwicklung von Solid-State-Laufwerken sind.<\/p>\n<blockquote><p>Die aktuell besten NAND- und 3D XPoint-Laufwerke k\u00f6nnen Sie jetzt in unserem <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>Was denken Sie, wird die Informationstechnologie auf elektrischen Ladungen durch andere Technologien wie beispielsweise Quarzplatten oder optischem Speicher auf Nanokristallen aus Salz verdr\u00e4ngt werden?<br \/>\n<br \/>Quelle: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c \u0440\u0430\u0441\u0441\u043a\u0430\u0436\u0435\u0442 \u043e \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0438 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432\u043d\u0443\u0442\u0440\u0438 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439. \u0412 \u043f\u0440\u0435\u0434\u044b\u0434\u0443\u0449\u0438\u0445 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u044f\u0445 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0441\u043e\u0437\u0434\u0430\u043d\u0438\u044f HDD \u0438 SSD \u0412\u043e\u0437\u043d\u0438\u043a\u043d\u043e\u0432\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u043e\u0432 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439 \u041e\u0441\u043e\u0431\u0435\u043d\u043d\u043e\u0441\u0442\u0438 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u043e\u0432 \u0425\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432 \u0442\u0432\u0435\u0440\u0434\u043e\u0442\u0435\u043b\u044c\u043d\u044b\u0445 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u044f\u0445 \u043c\u043e\u0436\u043d\u043e \u0440\u0430\u0437\u0434\u0435\u043b\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430 \u0434\u0432\u0435 \u043b\u043e\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0438\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438: \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0444\u043e\u0440\u043c\u0430\u0446\u0438\u0438 \u0432 [&hellip;]<\/p>\n","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"author":1,"featured_media":73398,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[688],"tags":[],"class_list":["post-73397","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-administrirovanie"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t<!-- All in One SEO 5.0.1.1 - 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