{"id":74591,"date":"2020-03-18T20:42:50","date_gmt":"2020-03-18T17:42:50","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5"},"modified":"2020-03-18T20:42:50","modified_gmt":"2020-03-18T17:42:50","slug":"pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/de\/blog\/administrirovanie\/pamyat-na-magnitnyh-serdechnikah-v-rakete-saturn-5","title":{"rendered":"Speicher mit magnetischen Kernen in der Saturn V Rakete","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

\"Speicher
\nDer Computer, der im Tr\u00e4gersystem (Launch Vehicle Digital Computer, LVDC) arbeitete, spielte eine entscheidende Rolle im Apollo-Programm und steuerte die Saturn V Rakete. Wie viele Computer seiner Zeit speicherte er Daten in winzigen magnetischen Kernen. In diesem Artikel erz\u00e4hlt Cloud4Y von dem LVDC-Speichermodul aus der exquisiten Sammlung <\/a><\/noindex>von Steve Jurvetson. <\/i><\/a><\/noindex><\/p>\n

Dieses Speichermodul wurde in den 1960er Jahren weiterentwickelt. Bei seiner Herstellung kamen Oberfl\u00e4chenmontage-Komponenten, hybride Module und flexible Verbindungen zum Einsatz, was es erheblich kleiner und leichter machte als herk\u00f6mmlicher Arbeitsspeicher jener Zeit. Dennoch konnte das Speichermodul nur 4096 W\u00f6rter mit je 26 Bit speichern.<\/p>\n

\"Speicher
\nModul mit magnetischen Kernen. Dieses Modul speichert 4K W\u00f6rter mit 26 Bit Daten und 2 Bit Parit\u00e4t. Mit vier Speichermodulen, die zusammen eine Kapazit\u00e4t von 16.384 W\u00f6rtern bieten, wiegt es 2,3 kg und hat die Abmessungen 14 cm \u00d7 14 cm \u00d7 16 cm.<\/i><\/p>\n

Der Flug zum Mond begann am 25. Mai 1961, als Pr\u00e4sident Kennedy erkl\u00e4rte, dass Amerika einen Menschen bis Ende des Jahrzehnts auf den Mond bringen w\u00fcrde. Hierf\u00fcr kam die dreistufige Saturn-V-Rakete zum Einsatz, die m\u00e4chtigste Rakete, die jemals gebaut wurde. Die Saturn V wurde von einem Computer gesteuert und kontrolliert (siehe hier f\u00fcr mehr Details<\/a><\/noindex> ) die dritte Stufe der Tr\u00e4gerrakete, beginnend mit dem Start in die Erdumlaufbahn und anschlie\u00dfend auf dem Weg zum Mond. (Das Raumschiff \u201eApollo\u201c trennte sich in diesem Moment von der Saturn-V-Rakete, und die Aufgabe des LVDC war erf\u00fcllt).<\/p>\n

\"Speicher
\nDer LVDC ist in einem Traggestell montiert. Runde Anschl\u00fcsse sind auf der Vorderseite des Computers sichtbar. Es wurden 8 elektrische Anschl\u00fcsse und zwei Anschl\u00fcsse f\u00fcr die Fl\u00fcssigkeitsk\u00fchlung verwendet.<\/i><\/p>\n

Der LVDC war nur einer von mehreren Computern an Bord von \u201eApollo\u201c. Der LVDC war mit dem Flugkontrollsystem verbunden, einem 45 Kilogramm schweren analogen Computer. Der Bordnavigationcomputer des Apollo (Apollo Guidance Computer, AGC) steuerte das Raumfahrzeug zur Mondoberfl\u00e4che. Das Kommandomodul hatte einen AGC, w\u00e4hrend das Mondlandemodul einen zweiten AGC zusammen mit dem Abort-Navigationssystem, einem Backup-Notfallcomputer, enthielt.<\/p>\n

\"Speicher
\nAn Bord der Apollo gab es mehrere Computer.<\/i> <\/p>\n

Unit Logic Ger\u00e4te (ULD)<\/h2>\n

\nLVDC wurde mit einer interessanten Hybridtechnologie namens ULD, dem Unit Load Device, entwickelt. Diese sahen zwar aus wie integrierte Schaltungen, aber die ULD-Module enthalten mehrere Komponenten. Sie verwendeten einfache Siliziumkristalle, von denen jeder nur einen Transistor oder zwei Dioden hatte. Diese Matrizen wurden zusammen mit bedruckten Dickschichtwiderst\u00e4nden auf einer keramischen Platte zur Umsetzung von Schaltungen wie logischen Toren montiert. Diese Module waren eine Variante der SLT-Module (Solid Logic Technology<\/a><\/noindex>), die f\u00fcr IBM-Computer der beliebten S\/360-Serie entwickelt wurden. IBM begann 1961 mit der Entwicklung von SLT-Modulen, bevor integrierte Schaltungen wirtschaftlich sinnvoll wurden, und bis 1966 stellte IBM j\u00e4hrlich \u00fcber 100 Millionen SLT-Module her.<\/p>\n

Die ULD-Module waren deutlich kleiner als die SLT-Module, wie im unteren Bild zu sehen ist, was sie besser f\u00fcr den kompakten Raumcomputer geeignet macht. Die ULD-Module verwendeten keramische Abdeckplatten anstelle der metallischen Stifte bei SLT und hatten metallische Kontakte auf der Oberseite anstelle von Pins. Die Klammern auf der Platine hielten das ULD-Modul an seinem Platz und verbanden sich mit diesen Kontakten. <\/p>\n

Warum verwendete IBM SLT-Module anstelle von integrierten Schaltungen? Der Hauptgrund war, dass integrierte Schaltungen damals noch in den Anf\u00e4ngen steckten, denn sie wurden 1959 erfunden. 1963 wiesen SLT-Module im Vergleich zu integrierten Schaltungen Vorteile in Bezug auf Kosten und Leistung auf. Dennoch wurden SLT-Module oft als r\u00fcckst\u00e4ndig im Vergleich zu integrierten Schaltungen angesehen. Ein Vorteil der SLT-Module gegen\u00fcber integrierten Schaltungen war, dass die Widerst\u00e4nde in den SLT-Modulen viel pr\u00e4ziser waren als in den integrierten Schaltungen. Bei der Herstellung wurden dickfilmige Widerst\u00e4nde in den SLT-Modulen sorgf\u00e4ltig sandgestrahlt, um die resistive Schicht zu entfernen, bis der gew\u00fcnschte Widerstand erreicht wurde. Au\u00dferdem waren SLT-Module in den 1960er Jahren g\u00fcnstiger als vergleichbare integrierte Schaltungen.<\/p>\n

LVDC und das zugeh\u00f6rige Equipment verwendeten mehr als 50 verschiedene Typen von ULD.<\/p>\n

\"Speicher
\nSLT-Module (links) sind erheblich gr\u00f6\u00dfer als ULD-Module (rechts). Die Gr\u00f6\u00dfe eines ULD betr\u00e4gt 7,6 mm \u00d7 8 mm.<\/i> <\/p>\n

Auf dem Foto unten sind die inneren Komponenten des ULD-Moduls zu sehen. Links auf der Keramikplatte sind die Leiter sichtbar, die mit vier winzigen quadratischen Siliziumkristallen verbunden sind. Es sieht aus wie eine Leiterplatte, ist jedoch wesentlich kleiner als ein Fingernagel. Die schwarzen rechteckigen Objekte rechts sind dicke Widerst\u00e4nde, die auf der Unterseite der Platte gedruckt sind.<\/p>\n

\"Speicher
\nULD, von oben und unten. Die Siliziumkristalle und Widerst\u00e4nde sind sichtbar. W\u00e4hrend die SLT-Module Widerst\u00e4nde auf der Oberseite hatten, befanden sich die Widerst\u00e4nde bei den ULD-Modulen auf der Unterseite, was die Dichte sowie die Kosten erh\u00f6hte.<\/i> <\/p>\n

Auf dem Foto unten ist ein Siliziumkristall aus dem ULD-Modul zu sehen, der zwei Dioden realisiert hat. Die Ma\u00dfe sind au\u00dfergew\u00f6hnlich klein; zur Veranschaulichung sind daneben Zuckerkristalle platziert. Der Kristall hatte drei \u00e4u\u00dfere Verbindungen durch mit L\u00f6tkugeln verbundene drei Ringe. Die beiden unteren Ringe (Anoden der beiden Dioden) waren legiert (dunklere Bereiche), w\u00e4hrend der obere rechte Ring die Kathode war, die mit der Basis verbunden war.<\/p>\n

\"Speicher
\nFoto eines Dioden-Siliziumkristalls neben Zuckerkristallen.<\/i> <\/p>\n

Wie funktioniert der Speicher mit Ferritkernen?<\/h2>\n

\nDie magnetische Kernspeichertechnik war von den 1950er Jahren bis in die 1970er Jahre die Hauptform der Datenspeicherung in Computern, bevor sie durch Halbleiterspeicher ersetzt wurde. Der Speicher bestand aus winzigen Ferritringen, die als Kerne bezeichnet werden. Diese Ferritringe wurden in einer rechteckigen Matrix angeordnet, und durch jeden Ring f\u00fchrten zwei bis vier Dr\u00e4hte zum Lesen und Schreiben von Informationen. Die Ringe erm\u00f6glichten die Speicherung eines Bits an Informationen. Ein Kern wurde durch einen Impuls des Stroms, der durch die Dr\u00e4hte lief, magnetisiert. Die Magnetisierungsrichtung eines Kerns konnte ge\u00e4ndert werden, indem ein Impuls in die entgegengesetzte Richtung gesendet wurde.<\/p>\n

Um den Wert des Ferritkerns zu lesen, wurde der Stromimpuls in den Zustand 0 versetzt. Befand sich der Kern zuvor im Zustand 1, erzeugte das sich \u00e4ndernde Magnetfeld eine Spannung in einem der Dr\u00e4hte, die durch die Kerne verliefen. War der Kern jedoch bereits im Zustand 0, h\u00e4tte sich das Magnetfeld nicht ge\u00e4ndert und die Spannung im Lesedraht w\u00e4re nicht angestiegen. Somit wurde der Wert des Bits im Kern gelesen, indem er auf Null zur\u00fcckgesetzt und die Spannung im Lesedraht \u00fcberpr\u00fcft wurde. Ein wichtiges Merkmal des Speichers auf Ferritkernen war, dass der Lesevorgang den Wert des Ferritrings zerst\u00f6rte, weshalb der Kern \"neu beschrieben\" werden musste.<\/p>\n

Die Verwendung eines separaten Drahtes zur Ver\u00e4nderung der Magnetisierung jedes Ferritkerns war unpraktisch, aber in den 1950er Jahren wurde ein Ferritspeicher entwickelt, der auf dem Prinzip des Stromsynchronismus basierte. Das Schema mit vier Dr\u00e4hten \u2013 X, Y, Lesen, Verbot \u2013 wurde allgemein anerkannt. Die Technologie nutzte eine besondere Eigenschaft der Kerne, die als Hysteresefenster bekannt ist: Ein geringer Strom hat keinen Einfluss auf den Ferritspeicher, aber ein Strom \u00fcber einem Schwellenwert w\u00fcrde den Kern magnetisieren. Bei der Einspeisung mit der halben erforderlichen Stromst\u00e4rke auf eine X- und eine Y-Leitung erhielt nur der Kern, an dem sich beide Leitungen kreuzen, gen\u00fcgend Strom zur Remagnetisierung, w\u00e4hrend die anderen Kerne unber\u00fchrt blieben. <\/p>\n

\"Speicher
\nSo sah der Speicher IBM 360 Model 50 aus. LVDC und Model 50 verwendeten Ferritkerne eines Typs, der als 19-32 bekannt ist, da ihr Innendurchmesser 19 Thousandths (0,4826 mm) und ihr Au\u00dfendurchmesser 32 Thousandths (0,8 mm) betrug. Auf diesem Foto ist zu sehen, dass durch jeden Kern drei Dr\u00e4hte f\u00fchren, wobei LVDC vier Dr\u00e4hte verwendete.<\/i> <\/p>\n

Das Bild unten zeigt eine rechteckige LVDC-Speichermatrix. Diese Matrix hat 128 X-Leiter, die vertikal verlaufen, und 64 Y-Leiter, die horizontal verlaufen, mit einem Kern an jedem Kreuzungspunkt. Der einzige Datenleitung verl\u00e4uft parallel zu den Y-Leitern durch alle Str\u00e4nge. Die Schreibleitung und die Sperrleitung verlaufen parallel zu den X-Leitern durch alle Str\u00e4nge. Die Dr\u00e4hte kreuzen sich in der Mitte der Matrix; dies reduziert das induzierte Rauschen, da das Rauschen auf der einen H\u00e4lfte das Rauschen der anderen H\u00e4lfte neutralisiert.<\/p>\n

\"Speicher
\nEine LVDC-Ferritspeichermatrix mit 8192 Bits. Die Verbindung zu anderen Matrizen erfolgt \u00fcber Pins an der Au\u00dfenseite.<\/i> <\/p>\n

Die oben genannte Matrix hatte 8192 Zellen, von denen jede ein Bit speicherte. Um ein Speicherwort zu speichern, wurden mehrere Basis-Matrizen zusammengeschichtet, eine f\u00fcr jedes Bit im Wort. Die X- und Y-Leiter schl\u00e4ngelten sich durch alle Hauptmatrizen. Jede Matrix hatte eine separate Leseleitung und eine separate Sperrleitung f\u00fcr Schreibaktionen. Der LVDC-Speicher verwendete einen Stapel aus 14 Basismatrizen (siehe unten), die ein 13-Bit 'Silbe' zusammen mit einem Parit\u00e4tsbit speicherten. <\/p>\n

\"Speicher
\nDer LVDC-Stapel besteht aus 14 Hauptmatrizen.<\/i> <\/p>\n

Die Speicherung im Magnetkern erforderte zus\u00e4tzliche Dr\u00e4hte, sogenannte Sperr-Linien. Jede Matrize hatte eine Sperr-Linie, die alle Kerne darin durchdrang. W\u00e4hrend des Schreibens flie\u00dft der Strom durch die Linien X und Y und magnetisiert die ausgew\u00e4hlten Ringe (jeweils einen pro Ebene) in den Zustand 1, wobei alle 1 im Wort gespeichert werden. Um eine 0 an der Bit-Position zu speichern, wurde die Linie mit halbem Strom, entgegengesetzt zur Linie X, versorgt. Dadurch blieben die Kerne im Wert 0. Somit verhinderte die Sperr-Linie, dass der Kern auf 1 umschaltete. Jedes gew\u00fcnschte Wort konnte im Speicher gespeichert werden, indem die entsprechenden Sperr-Linien aktiviert wurden.<\/p>\n

LVDC-Speichermodul<\/h2>\n

\nWie ist das LVDC-Speichermodul physisch konstruiert? Im Zentrum des Speichermoduls befindet sich ein Stapel aus 14 Matrizen ferromagnetischen Speichers, die zuvor gezeigt wurden. Er wird von mehreren Platinen umgeben, die f\u00fcr die Steuerung der Dr\u00e4hte X und Y sowie der Sperr-Linien, der Bit-Leseleitungen, der Fehlererkennung und der Generierung der erforderlichen Taktsignale konzipiert sind. <\/p>\n

Im Allgemeinen befindet sich der Gro\u00dfteil der Schaltungen, die mit Speicher zu tun haben, in der LVDC-Computeralgorithmik und nicht im Speichermodul selbst. Insbesondere enth\u00e4lt die Computerlogik Register zum Speichern von Adressen und Datenw\u00f6rtern sowie zur Umwandlung zwischen seriellen und parallelen Daten. Sie umfasst zudem eine Schaltung zum Auslesen der Bit-Leseleitungen, zur Fehlerpr\u00fcfung und zur Taktung.<\/p>\n

\"Speicher
\nSpeichermodul mit den wichtigsten Komponenten. MIB (Multilayer Interconnection Board) ist eine 12-lagige Leiterplatte.<\/i> <\/p>\n

Speichersteuerungskarte Y<\/h2>\n

\nDas Wort im Speicher auf magnetischen Kernen wird durch das Durchlaufen der entsprechenden X- und Y-Leitungen durch das Hauptstapel der Platinen ausgew\u00e4hlt. Beginnen wir mit der Beschreibung der Y-Treiber-Schaltung und wie sie ein Signal \u00fcber eine der 64 Y-Leitungen generiert. Anstatt 64 separate Treiberschaltungen zu verwenden, reduziert das Modul die Anzahl der Schaltungen, indem es 8 \u201ehohe\u201c Treiber und 8 \u201eniedrige\u201c Treiber nutzt. Diese sind in einer \u201eMatrixkonfiguration\u201c angeschlossen, so dass jede Kombination von hohen und niedrigen Treibern unterschiedliche Zeilen ausw\u00e4hlt. So w\u00e4hlen 8 \u201ehohe\u201c und 8 \u201eniedrige\u201c Treiber eine der 64 (8 \u00d7 8) Y-Leitungen aus. <\/p>\n

\"Speicher
\nDer Treiber Y (Vorderseite) steuert die Auswahlleitungen Y in der Platine.<\/i> <\/p>\n

Das Foto unten zeigt einige der ULD-Module (wei\u00df) und Paare von Transistoren (goldfarben), die die Auswahlleitungen Y steuern. Das Modul \"EI\" ist das Herz des Treibers: Es sendet einen Puls stabiler Spannung (E) oder leitet einen Gleichstrompuls (I) \u00fcber die Auswahlleitung. Die Auswahlleitung wird gesteuert, indem das EI-Modul am einen Ende der Leitung im Spannungmodus und am anderen Ende im Strommodus aktiviert wird. Das Ergebnis ist ein Puls mit der richtigen Spannung und Stromst\u00e4rke, die ausreicht, um den Kern zu magnetisieren. Ein gro\u00dfer Puls ist erforderlich, um ihn umzuschalten; der Spannungspuls ist auf 17 Volt fixiert, w\u00e4hrend der Strom je nach Temperatur zwischen 180 mA und 260 mA schwankt. <\/p>\n

\"Speicher
\nMakrofoto des Treiber Y, das sechs ULD-Module und sechs Paare von Transistoren zeigt. Jedes ULD-Modul ist mit einer IBM-Teilenummer, dem Typ des Moduls (z. B. \"EI\") und einem nicht n\u00e4her spezifizierten Code gekennzeichnet.<\/i> <\/p>\n

Die Platine ist zudem mit Fehler\u00fcberwachungsmodulen (ED) ausgestattet, die erkennen, wenn mehr als eine Y-Auswahlleitung gleichzeitig aktiviert wird. Das ED-Modul verwendet eine einfache, halbanaloge L\u00f6sung: Es summiert die Eingangsspannungen mit einem Netzwerk von Widerst\u00e4nden. Wenn die resultierende Spannung \u00fcber dem Schwellenwert liegt, wird der Schalter aktiviert. <\/p>\n

Unter der Treiberplatine befindet sich eine Diodenmatrix, die 256 Dioden und 64 Widerst\u00e4nde enth\u00e4lt. Diese Matrix wandelt 8 obere und 8 untere Signalpaare von der Treiberplatine in Verbindungen zu 64 Y-Leitungen um, die durch den Hauptstapel von Platinen verlaufen. Flexible Kabel oben und unten auf der Platine verbinden diese mit der Diodenmatrix. Zwei flexible Kabel links (auf dem Foto nicht sichtbar) und zwei Bussen rechts (eine sichtbar) verbinden die Diodenmatrix mit dem Kern-Array. Das links sichtbare flexible Kabel verbindet die Y-Platine mit dem restlichen Computer \u00fcber die Eingangs-\/Ausgangsplatte, w\u00e4hrend ein kleines flexibles Kabel in der unteren rechten Ecke mit der Taktschaltung verbunden ist.<\/p>\n

Treiberplatine f\u00fcr den Speicher X<\/h2>\n

\nDas Schaltbild zur Steuerung der X-Leitungen \u00e4hnelt dem von Y, mit dem Unterschied, dass es 128 X-Leitungen und 64 Y-Leitungen gibt. Da es doppelt so viele X-Leitungen gibt, verf\u00fcgt das Modul \u00fcber eine zweite X-Treiberplatine, die darunter angeordnet ist. Obwohl die X- und Y-Platinen identische Komponenten haben, ist die Verdrahtung unterschiedlich.<\/p>\n

\"Speicher
\nDiese Platine und die entsprechende darunter steuern die ausgew\u00e4hlten X-Zeilen in einem Stapel von Platinen mit Kernen.<\/i> <\/p>\n

Auf dem Bild unten ist zu sehen, dass einige Komponenten auf der Platine besch\u00e4digt wurden. Einer der Transistoren ist versetzt, das ULD-Modul ist in zwei H\u00e4lften gebrochen, und ein anderer ist abgebrochen. Die Verdrahtung ist am besch\u00e4digten Modul sichtbar, dort ist auch einer der winzigen Siliziumkristalle (rechts) zu erkennen. Auf diesem Foto sind auch die Spuren von vertikalen und horizontalen Leiterbahnen auf der 12-lagigen Leiterplatte zu sehen.<\/p>\n

\"Speicher
\nNahaufnahme des besch\u00e4digten Bereichs der Platine<\/i> <\/p>\n

Unter den Treiberplatinen X befindet sich ein X-Diodenmatrix mit 288 Dioden und 128 Widerst\u00e4nden. Die X-Diodenmatrix verwendet eine Topologie, die sich von der Y-Diodenplatte unterscheidet, um eine Verdopplung der Komponenten zu vermeiden. \u00c4hnlich wie die Y-Diodenplatte enth\u00e4lt diese Platte Komponenten, die vertikal zwischen zwei Leiterplatten montiert sind. Diese Methode wird als \"Cordwood\" bezeichnet und erm\u00f6glicht eine kompakte Anordnung der Komponenten.<\/p>\n

\"Speicher
\nDas Makrofoto der X-Diodenmatrix zeigt die vertikal montierten Dioden gem\u00e4\u00df der Cordwood-Technik zwischen 2 Leiterplatten. Zwei Treiberplatinen X befinden sich \u00fcber der Diodenplatte, die durch Polyurethanschaum von ihnen getrennt ist. Beachten Sie, dass die Leiterplatten sehr nah beieinander liegen.<\/i> <\/p>\n

Speicherverst\u00e4rker<\/h2>\n

\nAuf dem Foto unten ist die Leseverst\u00e4rkerschaltung zu sehen. Sie verf\u00fcgt \u00fcber 7 Kan\u00e4le, um 7 Bits aus dem Speicherstapel zu lesen; die identische Platine darunter verarbeitet zus\u00e4tzlich 7 Bits, insgesamt also 14 Bits. Die Aufgabe des Leseverst\u00e4rkers besteht darin, ein schwaches Signal (20 Millivolt), das von einem ummagnetisierbaren Kern erzeugt wird, zu erkennen und in ein 1-Bit-Ausgangssignal umzuwandeln. Jeder Kanal besteht aus einem Differenzverst\u00e4rker und einem Puffer, gefolgt von einem Differenztransformator und einem Ausgangsmechanismus. Links wird ein 28-poliges Flachkabel an den Speicherstapel angeschlossen, wobei die beiden Enden jedes Lesekabels mit der Schaltung des Verst\u00e4rkers verbunden werden, beginnend mit dem Modul MSA-1 (Leseverst\u00e4rker f\u00fcr den Speicher). Zu den einzelnen Komponenten geh\u00f6ren Widerst\u00e4nde (braune Zylinder), Kondensatoren (rote), Transformatoren (schwarze) und Transistoren (goldene). Die Datenbits verlassen die Platinen des Leseverst\u00e4rkers \u00fcber das Flachkabel auf der rechten Seite.<\/p>\n

\"Speicher
\nDie Leseverst\u00e4rkerschaltung befindet sich oben im Speichermodul. Diese Platine verst\u00e4rkt die Signale von den Sensorspiralen, um Ausgangs-Bits zu erzeugen.<\/i> <\/p>\n

Schreibschutz-Leitungsantrieb<\/h2>\n

\nDie Sperrtreiber werden verwendet, um in den Speicher zu schreiben und befinden sich an der Unterseite des Hauptmoduls. Es gibt 14 Sperrleitungen, eine f\u00fcr jedes Matrizen im Stapel. Um ein 0-Bit zu schreiben, wird der entsprechende Sperrtreiber aktiviert, und der Strom durch die Sperrleitung verhindert das Schalten des Kerns auf 1. Jede Leitung wird durch das Modul ID-1 und ID-2 (Sperrleitungs-Treiber) sowie ein Paar Transistoren gesteuert. Hochpr\u00e4zise Widerst\u00e4nde von 20,8 Ohm oben und unten auf der Platine regulieren den Sperrstrom. Ein 14-adriges Flachkabel rechts verbindet die Treiber mit den 14 Sperrdr\u00e4hten im Stapel der Platinen mit Kernen.<\/p>\n

\"Speicher
\nDie Sperrplatine befindet sich an der Unterseite des Speichermoduls. Diese Platine erzeugt 14 Sperrsignale, die w\u00e4hrend des Schreibens verwendet werden.<\/i> <\/p>\n

Speicher f\u00fcr die Taktgeber<\/h2>\n

\nDer Taktgeber ist ein Paar Platinen, die Synchronisierungssignale f\u00fcr das Speichermodul erzeugen. Wenn der Computer mit dem Speicher arbeitet, generiert der Taktgeber des Moduls verschiedene Synchronisierungssignale asynchron. Die Taktgeber-Platinen befinden sich an der Unterseite des Moduls, zwischen dem Stack und der Blocking-Platine, sodass sie schwer zu sehen sind.<\/p>\n

\"Speicher
\nDie Taktgeber-Platinen befinden sich unter dem Hauptspeicher-Stack, aber \u00fcber der Blocking-Platine.<\/i> <\/p>\n

Die blauen Komponenten der Platine im oberen Bild sind mehrdrehende Potentiometer, vermutlich zur Regelung der Zeit oder der Spannung. Widerst\u00e4nde und Kondensatoren sind ebenfalls auf den Platinen zu sehen. Das Diagramm zeigt mehrere MCD-Module (Memory Clock Driver), aber keine Module auf den Platinen. Es ist schwer zu sagen, ob dies mit der eingeschr\u00e4nkten Sichtbarkeit, einer \u00c4nderung des Diagramms oder dem Vorhandensein einer anderen Platine mit diesen Modulen zusammenh\u00e4ngt.<\/p>\n

Speicher-Eingabe-\/Ausgabepanel<\/h2>\n

\nDie letzte Schnittstelle des Speichermoduls ist die I\/O-Platine, die die Signale zwischen den Speichermodulen und dem restlichen LVDC-Computer verteilt. Der gr\u00fcne 98-polige Stecker an der Unterseite verbindet sich mit dem LVDC-Speichersystem und sorgt f\u00fcr die Signal- und Stromversorgung vom Computer. Viele der Kunststoffstecker sind besch\u00e4digt, sodass die Kontakte sichtbar sind. Die Verteilungskarte ist mit diesem Stecker durch zwei 49-polige Flachkabel an der Unterseite verbunden (nur das vordere Kabel ist sichtbar). Weitere Flachkabel verteilen die Signale an die X-Treiberkarte (links), die Y-Treiberkarte (rechts), die Leseverst\u00e4rkerkarte (oben) und die Ausschlusskarte (unten). 20 Kondensatoren auf der Platine filtern die zur Speichermodulversorgung gelieferten Spannungen.<\/p>\n

\"Speicher
\nDie I\/O-Platine verbindet das Speichermodul mit dem restlichen Computer. Der gr\u00fcne Stecker an der Unterseite ist mit dem Computer verbunden, und diese Signale werden \u00fcber Flachkabel an andere Teile des Speichermoduls weitergeleitet.<\/i> <\/p>\n

Fazit<\/h2>\n

\nDas Hauptspeichermodul LVDC bot eine kompakte, zuverl\u00e4ssige Speicherl\u00f6sung. In der unteren H\u00e4lfte des Computers konnten bis zu 8 Speichermodule untergebracht werden. Dadurch konnte der Computer 32 Kilowattstunden <\/a><\/noindex>26-Bit-W\u00f6rter oder 16 Kilow\u00f6rter im redundanten Hochverf\u00fcgbarkeitsmodus \u201eDuplex\u201c.<\/p>\n

Eine interessante Eigenschaft von LVDC war, dass die Speichermodule zur Erh\u00f6hung der Zuverl\u00e4ssigkeit gespiegelt werden konnten. Im \u201eDuplex\u201c-Modus wurde jedes Wort in zwei Speichermodulen gespeichert. Wenn in einem Modul ein Fehler auftrat, konnte das richtige Wort aus dem anderen Modul abgerufen werden. Obwohl dies die Zuverl\u00e4ssigkeit erh\u00f6hte, reduzierte es den verf\u00fcgbaren Speicherplatz um die H\u00e4lfte. Alternativ k\u00f6nnen die Speichermodule im \u201eSimplex\u201c-Modus verwendet werden, wobei jedes Wort nur einmal gespeichert wird.<\/p>\n

\"Speicher
\nLVDC konnte bis zu acht Speichermodule f\u00fcr den Prozessor aufnehmen.<\/i> <\/p>\n

Ein Speicher-Modul mit Ferritkernen bietet eine anschauliche Darstellung der Zeit, als 8 KB noch ein 5-Pfund (2,3 kg) Modul ben\u00f6tigten. Dennoch war dieser Speicher f\u00fcr seine Zeit \u00e4u\u00dferst fortschrittlich. Solche Ger\u00e4te wurden in den 1970er Jahren mit dem Aufkommen von Halbleiter-DRAM nicht mehr verwendet.<\/p>\n

Der Inhalt des RAM bleibt bei Stromausfall gespeichert, weshalb es gut m\u00f6glich ist, dass das Modul noch Software vom letzten Gebrauch des Computers hat. Tats\u00e4chlich k\u00f6nnte man dort sogar Jahrzehnte sp\u00e4ter etwas Interessantes finden. Es w\u00e4re spannend, zu versuchen, diese Daten wiederherzustellen, aber die besch\u00e4digte Schaltung stellt ein Problem dar, sodass der Inhalt wahrscheinlich noch Jahrzehnte nicht aus dem Speichermodul extrahiert werden kann.<\/p>\n

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Quelle: habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"

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