Οι Γάλλοι παρουσίασαν το τρανζίστορ επτά επιπέδων GAA του αύριο
Δεν ήταν από καιρό μυστικό ότι με την τεχνολογία διεργασίας 3 nm, τα τρανζίστορ θα μετακινηθούν από τα κάθετα κανάλια FinFET με «fin» σε οριζόντια κανάλια νανοσελίδων που περιβάλλονται πλήρως από πύλες ή GAA (gate-all-around). Σήμερα, το γαλλικό ινστιτούτο CEA-Leti έδειξε πώς οι διαδικασίες κατασκευής τρανζίστορ FinFET μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την παραγωγή τρανζίστορ GAA πολλαπλών επιπέδων. Και η διατήρηση της συνέχειας των τεχνικών διαδικασιών είναι μια αξιόπιστη βάση για γρήγορο μετασχηματισμό. Για το Συμπόσιο VLSI Technology & Circuits […]