Lastatempe, en la sepa Ĉina Elektronika Informo-Ekspozicio (CITE2019) en Shenzhen, la unua solidsubstanca SSD P8260, kunmetita ekskluzive el ĉinaj komponantoj, estis pruvita ĉe la stando de Tsinghua Unigroup. Ĉi tio estas servil-grada SSD, en kiu la regilo, DRAM-bufro kaj 3D NAND-aro estas dezajnitaj kaj fabrikitaj en Ĉinio. Nu, Ĉinio faris alian paŝon kaj atendas sekvi tiun ĉi vojon por kompleta sendependiĝo de la memoro de eksterlanda produktado.
Ĉiu, kiu sekvas la novaĵojn pri la disvolviĝo kaj produktado de 3D NAND-memoro en Ĉinio, scias, ke la produktado de fulmmemoraj blatoj estas farata de komuna entrepreno kun Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). La P8260-diskoj uzas la unuajn 32-tavolajn 3 Gb 64D NAND-produktojn de YMTC. Al la fino de la jaro, la fabrikanto komencos produkti 128 Gbit 64-tavolajn 3D NAND-blatojn, kiuj permesos al YMTC fariĝi komerce havebla - dum produktado estas perdo.
DRAM-memoro por la SSD-bufro estas produktita de Tsinghua-filio Guoxin Micro. La bufrograndeco ne estas raportita. La regilo estis evoluigita de la ĉina kompanio Beijing Ziguang Storage Technology, kiu ankaŭ estas asociita kun Tsinghua Unigroup.
La regilo kaj stirado P8260 subtenas protokolon NVMe 1.2.1 kaj interfacon PCI Express 3.0 x4. Subteno por 16 memorkanaloj estas anoncita, kiu promesas altan bendolarĝon, sed precizaj datumoj pri la agado de la P8260 ankaŭ ne estas raportitaj. Por labori kun la DRAM-bufro, la procesoro havas enkonstruitan dukanalan memorregilon kun 40-bita buso kaj ECC-subteno. Du versioj de la SSD P8260 estas prezentitaj: kun kapablo de 1 kaj 2 TB en la formo de karto PCIe kaj U.2-disko.
Krom la P8260-diskoj, la fabrikanto ankaŭ montris konsumantajn SSD-ojn de la familioj P100 kaj S100. Tamen, la firmao aĉetas 3D NAND-memoron por ĉi tiuj modeloj de partneroj. Unu tia partnero, ekzemple, estas Intel.
fonto: 3dnews.ru