Memormoduloj konstruitaj sur Samsung B-die blatoj estas eble unu el la plej popularaj elektoj inter entuziasmuloj. Tamen, la sudkorea fabrikanto konsideras ilin malnoviĝintaj kaj nuntempe ĉesas ilian produktadon, proponante anstataŭaĵojn kun aliaj DDR4-memorblatoj, kies produktado uzas pli novajn teknikajn procezojn. Ĉi tio signifas, ke la senbufferaj DDR4-memormoduloj de Samsung bazitaj sur blatoj B-die nun atingis la finon de sia vivociklo kaj baldaŭ elĉerpiĝos. Aliaj fabrikistoj, kiuj uzas Samsung B-die-fritojn en siaj produktoj, ankaŭ ĉesos liveri similajn modulojn.
Samsung B-die-blatoj kaj memormoduloj bazitaj sur ili gajnis larĝan rekonon pro sia ĉiuflankeco kaj overclocking potencialo. Ili skalas perfekte en frekvenco, respondas bone al pliiĝoj en provizotensio kaj permesas operacion kun ekstreme agresemaj tempoj. Aparta grava avantaĝo de moduloj bazitaj sur Samsung B-die-blatoj estas ilia senpretenda kaj larĝa kongruo kun diversaj memorregiloj, por kiuj ili estas precipe ŝatataj de posedantoj de sistemoj bazitaj sur Ryzen-procesoroj.
Tamen, por la produktado de blatoj B-die, oni uzas sufiĉe malnovan teknologian procezon kun 20 nm-normoj, do la deziro de Samsung forlasi la produktadon de tiaj duonkonduktaĵoj en favoro de pli modernaj alternativoj estas sufiĉe komprenebla. Antaŭ nelonge, la kompanio anoncis la komencon de produktado de DDR4 SDRAM-blatoj uzante 1z-nm-teknologion (tria generacio), kaj blatoj produktitaj per la 1y-nm-teknologio (dua generacio) estas produktitaj dum pli ol jaro kaj duono. Estas ĉi tiuj, al kiuj la fabrikanto instigas vin ŝanĝi. B-die-fritoj estas oficiale asignitaj EOL (Fino de Vivo) statuso - fino de vivociklo.
Anstataŭ la legendaj blatoj Samsung B-die, aliaj proponoj nun estos distribuitaj. M-die-blatoj, kiuj estas kreitaj per 1y nm-proceza teknologio, atingis la stadion de amasproduktado. A-die-fritoj, produktitaj per eĉ pli altnivela teknologio kun 1z nm-normoj, ankaŭ atingis la kvalifikan produktadstadion. Ĉi tio signifas, ke memoro sur M-die-fritoj estos vendotataj en tre proksima estonteco, kaj moduloj konstruitaj sur A-die-fritoj estos disponeblaj por uzantoj ene de ses monatoj.
La ĉefa avantaĝo de novaj memoraj blatoj kun ĝisdatigitaj kernoj, krom modernaj teknikaj procezoj kaj eble pli alta frekvenca potencialo, estas ankaŭ ilia pliigita kapablo. Ili permesas la produktadon de unuflankaj memormoduloj DDR4 kun kapacito de 16 GB kaj duflankaj moduloj kun kapacito de 32 GB, kio antaŭe estis neebla.
Indas memori, ke ĉi-somere ni povas atendi gravajn ŝanĝojn en la gamo de DDR4 SDRAM-memormoduloj disponeblaj sur la merkato. Krom la novaj Samsung-fritoj, E-die-fritoj de Micron kaj C-die de SK Hynix ankaŭ devus esti uzataj en memorstrioj. Verŝajnas, ke ĉiuj ĉi tiuj ŝanĝoj kaŭzos pliiĝon ne nur en la averaĝa volumo, sed ankaŭ en la ofteco-potencialo de averaĝaj DDR4 SDRAM-moduloj.
fonto: 3dnews.ru