Laŭ industrifontoj en Tajvano, kiu Interreta rimedo DigiTimes, ĉina memorfabrikisto ChangXin Memory Technologies (CXMT) en plena svingo preparas liniojn por amasproduktado de LPDDR4-memoro. ChangXin, ankaŭ konata kiel Innotron Memory, laŭdire evoluigis sian propran DRAM-produktadprocezon uzante 19nm-teknologion.
Por komerca produktado de memoro ĉe ĝia unua 300 mm entrepreno, ChangXin devis en la unua duono de 2019. Ve, ĉi tio ankoraŭ ne okazis. Sed la komenco de produktado de 8-Gbit DDR4 LPDDR4-blatoj estos akompanata de ekspansio de kapablo al 20 mil 300-nm-siliciaj oblatoj monate. La maksimuma kapablo de la linioj ĉe la entrepreno ChangXin atingas 125 mil 300 mm oblatojn monate. Sed ĉi tio ankaŭ ne estas la limo. La firmao diris, ke ĝi komencos konstrui duan planton venontjare por prilabori 300mm-memoroblatojn.
Samtempe, ĉi tiu ĉina fabrikanto povas renkonti problemojn de malsama speco. Ni rememoru, ke la unua ĉina kompanio, kiu komencos amasproduktadon de DRAM-memoro, estis Fujian Jinhua. Usono kun malpermeso aĉeti produktan ekipaĵon de usonaj partneroj. En Tajvano ili kredas, ke ChangXin alfrontos la samajn problemojn kiel Fujian. Krome, ĝi rekrutis kvalifikitajn inĝenierojn de la antaŭa tajvana filio de la japana Elpida, kies komerco estis absorbita fare de la amerika Micron. Analizistoj atendas asertojn kontraŭ ChangXin de Micron kaj sankciojn se la ĉina flanko ne respondas.
Paralele, ChangXin disvolvas teknikan procezon por produkti memoron kun 17 nm-normoj. Kompletigo de evoluo estas atendita en 2021. Verŝajne, la dua ChangXin-fabriko komencos labori kun la produktado de DRAM-kristaloj kun ĉi tiuj normoj. Krom se, kompreneble, usonaj sankcioj kaj la maĥinacioj de Micron fariĝos nesuperebla obstaklo sur ŝia vojo.
fonto: 3dnews.ru