Los módulos de memoria basados en chips Samsung B-die son, sin duda, una de las opciones más populares entre los entusiastas. Sin embargo, el fabricante surcoreano los considera obsoletos y actualmente está deteniendo su producción, ofreciendo en su lugar otros chips de memoria DDR4 que utilizan procesos de fabricación más nuevos. Esto significa que el ciclo de vida de los módulos de memoria DDR4 no bufferizados de Samsung, basados en chips B-die, ha llegado a su fin y pronto desaparecerán del mercado. Otros fabricantes que utilizan chips Samsung B-die también dejarán de suministrar estos módulos.
Los chips Samsung B-die y los módulos de memoria basados en ellos han ganado un amplio reconocimiento gracias a su versatilidad y potencial de overclocking. Escalan maravillosamente en frecuencia, responden bien al aumento de voltaje y permiten funcionar con tiempos muy agresivos. Una ventaja importante de los módulos basados en chips Samsung B-die es su robustez y amplia compatibilidad con varios controladores de memoria, lo que los hace especialmente populares entre los propietarios de sistemas basados en procesadores Ryzen.
Sin embargo, la producción de chips B-die utiliza un proceso tecnológico bastante antiguo con normas de 20 nm, por lo que el deseo de Samsung de dejar de producir estos dispositivos semiconductores en favor de alternativas más modernas es comprensible. Recientemente, la empresa anunció el inicio de la producción de chips DDR4 SDRAM utilizando tecnología de clase 1z-nm (de tercera generación), mientras que los chips fabricados con un proceso de 1y-nm (de segunda generación) se han estado produciendo durante más de un año y medio. El fabricante está instando a la transición hacia estos. A los chips B-die se les ha asignado oficialmente el estatus EOL (End of Life) — el final del ciclo de vida.
En lugar de los legendarios chips Samsung B-die, ahora otras ofertas tomarán protagonismo. Los chips M-die han alcanzado las fases de producción en masa, y su proceso de fabricación utiliza una norma de 1y nm. Los chips A-die, fabricados con una tecnología aún más avanzada que cumple con normas de 1z nm, también han llegado a la fase de producción cualificativa. Esto significa que la memoria basada en chips M-die estará disponible en el mercado muy pronto, mientras que los módulos construidos con los chips A-die estarán al alcance de los usuarios en un plazo de seis meses.
La principal ventaja de los nuevos chips de memoria con núcleos actualizados, además de los modernos procesos de fabricación y un potencial de frecuencia potencialmente más alto, es su mayor capacidad. Permiten la producción de módulos DDR4 de memoria de 16 GB de capacidad en una cara y módulos de 32 GB de capacidad en dos caras, algo que anteriormente no era posible.
Cabe recordar que este verano se esperan cambios significativos en la gama de módulos de memoria DDR4 SDRAM disponibles en el mercado. Además de los nuevos chips de Samsung, se espera que en las placas de memoria también se apliquen chips E-die de Micron y C-die de SK Hynix. Es muy probable que todos estos cambios ocasionen un aumento tanto en la capacidad promedio como en el potencial de frecuencia de los módulos DDR4 SDRAM.
Fuente: 3dnews.ru
