La transición del silicio a semiconductores de banda prohibida ancha (nitruro de galio, carburo de silicio y otros) permite aumentar significativamente las frecuencias de operación y mejorar la eficiencia de las soluciones. Por lo tanto, una de las áreas de aplicación prometedora para los chips y transistores de banda ancha es la comunicación y los radares. La electrónica basada en soluciones de GaN proporciona un aumento de potencia y un alcance ampliado para los radares, lo que ya ha sido aprovechado por los militares.
La empresa Lockheed Martin , ha señalado que las primeras estaciones de radar móviles (RLS) basadas en electrónica con elementos de nitruro de galio han sido entregadas a las tropas de EE. UU. No se han desarrollado nuevas soluciones en la empresa. Las RLS de contrabatería AN/TPQ-53, que fueron adoptadas desde 2010, han sido convertidas a una base de elementos de GaN. Este es el primer y único radar en el mundo que utiliza semiconductores de banda ancha.
Gracias a la transición a componentes activos de GaN, la RLS AN/TPQ-53 ha incrementado el alcance de detección de posiciones de artillería ocultas y ha adquirido la capacidad de seguir simultáneamente objetivos aéreos. En particular, la RLS AN/TPQ-53 ha comenzado a utilizarse contra drones, incluidos los de pequeño tamaño. La identificación de posiciones de artillería ocultas puede llevarse a cabo tanto en un sector de 90 grados como con un campo de visión circular de 360 grados.
La empresa Lockheed Martin es el único proveedor de radares con FAS (red de antenas en fase) para las tropas de EE. UU. La transición a una base de elementos de GaN le permite prever un liderazgo continuo a largo plazo en el desarrollo y producción de sistemas de radar.
Fuente: 3dnews.ru
