Los franceses presentaron el transistor GAA de siete niveles del mañana
No ha sido ningún secreto durante mucho tiempo que con la tecnología de proceso de 3 nm, los transistores pasarán de canales FinFET de “aletas” verticales a canales de nanopáginas horizontales completamente rodeados por puertas o GAA (gate-all-around). Hoy, el instituto francés CEA-Leti mostró cómo se pueden utilizar los procesos de fabricación de transistores FinFET para producir transistores GAA multinivel. Y mantener la continuidad de los procesos técnicos es una base confiable para una transformación rápida. Para el Simposio de circuitos y tecnología VLSI […]