El único desarrollador mundial de circuitos integrados de memoria magnética MRAM, la empresa Everspin Technologies, sigue perfeccionando las tecnologías de producción. Hoy, Everspin y la empresa GlobalFoundries colaboran para desarrollar la tecnología de fabricación de chips STT-MRAM con normas de 12 nm y transistores FinFET.
La empresa Everspin tiene más de 650 patentes y solicitudes relacionadas con la memoria MRAM. Este tipo de memoria grava en una celda de manera similar a cómo se graba información en un plato magnético de un disco duro. Sin embargo, en el caso de los chips, cada celda tiene su (supuesto) cabezal magnético. La memoria STT-MRAM, que ha llegado para sustituir a la anterior, funciona con aún menores costos energéticos, ya que utiliza corrientes más pequeñas en los modos de escritura y lectura.
Inicialmente, la memoria MRAM fue fabricada por encargo de Everspin por la empresa NXP en su fábrica en Estados Unidos. En 2014, Everspin firmó un acuerdo de colaboración con GlobalFoundries. Juntos comenzaron a desarrollar los procesos de fabricación de MRAM discretas e integradas (STT-MRAM) utilizando procesos más avanzados.
Con el tiempo, GlobalFoundries estableció la producción de chips STT-MRAM de 40 nm y 28 nm (culminando con el nuevo chip STT-MRAM de 1 Gb), así como preparó el proceso tecnológico 22FDX para la integración de matrices STT-MRAM en controladores utilizando un proceso de 22 nm en obleas FD-SOI. El nuevo acuerdo entre Everspin y GlobalFoundries llevará la producción de chips STT-MRAM al proceso tecnológico de 12 nm.
La memoria MRAM se acerca en velocidad a la memoria SRAM y potencialmente puede reemplazarla en controladores para el Internet de las Cosas. Además, es no volátil y mucho más resistente al desgaste que la memoria NAND convencional. La transición a normas de 12 nm permitirá aumentar la densidad de grabación de la MRAM, que es su principal desventaja.
Fuente: 3dnews.ru
