La empresa Google presentó "Half-Double", una nueva técnica de ataque de clase RowHammer que permite modificar el contenido de bits individuales en la memoria RAM dinámica (DRAM). El ataque se reproduce en algunos chips DRAM modernos, cuyos fabricantes han logrado reducir la geometría de las celdas.
Recordemos que los ataques de clase RowHammer permiten distorsionar el contenido de bits individuales en la memoria mediante la lectura cíclica de datos de celdas de memoria adyacentes. Dado que la memoria DRAM se presenta como un arreglo bidimensional de celdas, cada una compuesta por un condensador y un transistor, la realización de lecturas continuas de una misma área de memoria provoca fluctuaciones de voltaje y anomalías, que causan una pequeña pérdida de carga en las celdas vecinas. Si la intensidad de lectura es lo suficientemente alta, una celda vecina puede perder una cantidad considerable de carga y el ciclo de regeneración subsiguiente no tendrá tiempo para restaurar su estado original, lo que llevará a la modificación del valor de los datos almacenados en la celda.
Para protegerse contra RowHammer, los fabricantes de chips implementaron el mecanismo TRR (Target Row Refresh), que protege contra la distorsión de celdas en filas adyacentes. El método Half-Double permite eludir esta protección manipulando el hecho de que las distorsiones no se limitan a las filas adyacentes y se propagan a otras filas de memoria, aunque en menor medida. Los ingenieros de Google demostraron que, para las filas de memoria "A", "B" y "C", se puede atacar la fila "C" con un acceso muy intensivo a la fila "A" y una pequeña actividad que afecte a la fila "B". Los accesos a la fila "B" durante el ataque activan una fuga no lineal de cargas y permiten utilizar la fila "B" como medio de transporte para transmitir el efecto Rowhammer de la fila "A" a la fila "C".
A diferencia del ataque TRRespass, que manipula las fallas en diferentes implementaciones del mecanismo de prevención de distorsión de celdas, el ataque Half-Double se basa en las propiedades físicas del sustrato de silicio. Half-Double muestra que los efectos que probablemente conducen a Rowhammer son una propiedad de distancia, y no de proximidad directa de las celdas. A medida que disminuye la geometría de las celdas en los chips modernos, también aumenta el radio de influencia de las distorsiones. No se puede descartar que el efecto se observe a una distancia de más de dos filas.
Se destaca que, junto con la asociación JEDEC, se han formulado varias propuestas con un análisis de las posibles maneras de bloquear este tipo de ataques. Se ha revelado información sobre el método ya que Google considera que la investigación realizada amplía significativamente la comprensión del fenómeno Rowhammer y subraya la importancia de la cooperación entre investigadores, fabricantes de chips y otras partes interesadas en el desarrollo de una solución integral y a largo plazo para la protección.
Fuente: opennet.ru
