El único desarrollador mundial de chips de memoria MRAM magnetorresistivos discretos, Everspin Technologies, continúa mejorando las tecnologías de producción. Hoy Everspin y GlobalFoundries juntos para desarrollar tecnología para la producción de microcircuitos STT-MRAM con estándares de 12 nm y transistores FinFET.
Everspin tiene más de 650 patentes y aplicaciones relacionadas con la memoria MRAM. Esta es la memoria, cuya escritura en una celda es similar a escribir información en una placa magnética de un disco duro. Sólo en el caso de los microcircuitos cada celda tiene su propio (condicionalmente) cabezal magnético. La memoria STT-MRAM que la reemplazó, basada en el efecto de transferencia de impulso del espín del electrón, opera con costos de energía aún más bajos, ya que utiliza corrientes más bajas en los modos de escritura y lectura.
Inicialmente, la memoria MRAM encargada por Everspin fue producida por NXP en su planta de EE. UU. En 2014, Everspin celebró un acuerdo de trabajo conjunto con GlobalFoundries. Juntos, comenzaron a desarrollar procesos de fabricación MRAM (STT-MRAM) discretos e integrados utilizando procesos de fabricación más avanzados.
Con el tiempo, las instalaciones de GlobalFoundries lanzaron la producción de chips STT-MRAM de 40 nm y 28 nm (que finalizaron con un nuevo producto: un chip STT-MRAM discreto de 1 Gbit) y también prepararon la tecnología de proceso 22FDX para integrar STT- MRAM se integra en controladores utilizando tecnología de proceso de 22 nm en obleas FD-SOI. El nuevo acuerdo entre Everspin y GlobalFoundries conducirá a la transferencia de la producción de chips STT-MRAM a la tecnología de proceso de 12 nm.
La memoria MRAM se está acercando al rendimiento de la memoria SRAM y potencialmente puede reemplazarla en controladores para Internet de las cosas. Al mismo tiempo, no es volátil y mucho más resistente al desgaste que la memoria NAND convencional. La transición a los estándares de 12 nm aumentará la densidad de grabación de MRAM, y este es su principal inconveniente.
Fuente: 3dnews.ru